靜電防護電路以及具有該靜電防護電路的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示裝置的靜電防護電路，所述靜電防護電路包括：驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示圖像的顯示單元；至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號；至少一個晶體管，電結(jié)合到時鐘信號線；以及至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極并結(jié)合到晶體管的漏電極的第一電極和被構(gòu)造為維持電壓的第二電極。
【專利說明】靜電防護電路以及具有該靜電防護電路的顯示裝置
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明的實施例涉及一種靜電防護電路以及一種包括該靜電防護電路的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，與陰極射線管顯示器相比，諸如有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的平板顯示裝置具有若干優(yōu)勢，例如尺寸小、厚度薄且功耗低，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率且全彩色的圖像。這些優(yōu)勢已經(jīng)使得平板顯示裝置被廣泛地應用在各種領域中。目前，OLED顯示裝置已經(jīng)用于計算機、膝上型電腦、手機、TV、音頻/視頻裝置等等。
[0003]根據(jù)施加給以矩陣形式排列的多個像素中的每個像素的圖像數(shù)據(jù)信號，這樣的OLED顯示器通過控制傳輸?shù)接袡C發(fā)光元件的驅(qū)動電流的量來顯示圖像。
[0004]通常，將玻璃基底用作顯示裝置的基底，但是玻璃基底也作為絕緣體，所以在面板制造工藝過程中產(chǎn)生的靜電電荷收集在玻璃基底上，因此，導致外部顆粒(諸如灰塵)容易附著到玻璃基底，由此導致工藝故障。此外，面板中的元件可能因為靜電而被損壞，因此，期望在平面顯示面板中防止靜電的收集。
[0005]傳統(tǒng)地，將屏蔽靜電的線或者電阻器插入到顯示面板的邊緣中。此外，使用二極管的靜電防護電路安裝在提供用于驅(qū)動顯示面板的電源電壓的線和提供用于照明測試的信號的線之間。
[0006]然而，隨著顯示器的尺寸增加，在制造工藝和模塊組裝過程中靜電荷的出現(xiàn)變得更加頻繁。因此，傳統(tǒng)技術(shù)(諸如用于屏蔽靜電的線或者電阻器)不能有效地防止在大尺寸的顯示面板中發(fā)生靜電。此外，當安裝靜電防護電路時，由于因靜電而引起的高電位差導致的在靜電防護電路中發(fā)生諸如爆炸的事件，所以由于短路而導致的損壞會經(jīng)常發(fā)生。從而，顯示面板的驅(qū)動會失效。
[0007]因此，耐抗靜電的顯示面板的設計被用于防止顯示面板的驅(qū)動故障，并且用于防止由于對靜電防護電路的爆炸損壞引起的對OLED顯示器的顯示面板造成損壞，并且同時有效地防止在大尺寸的顯示面板中發(fā)生靜電。
[0008]在此【背景技術(shù)】部分中公開的上述信息僅僅是為了增進對本發(fā)明的【背景技術(shù)】的理解，并且因此，其可能包含不構(gòu)成在該國對本領域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信
肩、O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的示例實施例可以防止顯示面板中靜電的發(fā)生和流入，以防止顯示面板的故障和損壞，并防止由于靜電導致的顯示裝置的制造工藝故障。
[0010]此外，可以提供能有效地應用于大尺寸的顯示面板的靜電防護設計電路，以避免由于在顯示裝置中的靜電的流入而導致的驅(qū)動失效，因此提供具有優(yōu)良品質(zhì)的顯示面板。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種顯示裝置的靜電防護電路，所述靜電防護電路包括:驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示圖像的顯示單元；至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號；至少一個晶體管，電結(jié)合到時鐘信號線；以及至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極并結(jié)合到晶體管的漏電極的第一電極和被構(gòu)造為維持電壓的第二電極。
[0012]時鐘信號線可以通過柵極金屬線與晶體管的柵電極相結(jié)合。
[0013]晶體管可以包括:半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)的雜質(zhì)摻雜區(qū)域和未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體區(qū)域；柵電極層，位于半導體層上；以及柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間，其中，柵極絕緣層被構(gòu)造為通過流經(jīng)時鐘信號線的靜電電流而產(chǎn)生電打開或者電短路。
[0014]半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域可以包括:第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的部分。
[0015]靜電防護電路還可以包括具有電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域的第一電極的電容器，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:顯示單元，包括多個像素并被構(gòu)造為通過基于與圖像數(shù)據(jù)信號相對應的數(shù)據(jù)電壓發(fā)射光來顯示圖像；驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示單元；至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為將時鐘信號傳輸?shù)津?qū)動電路；以及靜電防護電路，包括:至少一個晶體管，電結(jié)合到時鐘信號線；以及至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極以及被構(gòu)造為施加有固定電壓的第二電極。
[0017]靜電防護電路可以結(jié)合在時鐘信號線和驅(qū)動電路之間。
[0018]時鐘信號線可以通過柵極金屬線結(jié)合到靜電防護電路的晶體管的柵電極。
[0019]晶體管可以包括:半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)并且電結(jié)合到電容器的第一電極的雜質(zhì)摻雜區(qū)域以及未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體層；柵電極層，位于半導體層上；以及柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間。
[0020]半導體的雜質(zhì)摻雜區(qū)域可以包括:第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的部分。
[0021]柵極絕緣層可以被構(gòu)造為由于靜電電流流經(jīng)至少一條時鐘信號線而引起電打開或者引起電短路。
[0022]顯示裝置還可以包括具有電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域的第一電極的電容器，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的顯示面板的靜電防護電路的示意圖。
[0024]圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的在圖1中示出的實施例的靜電防護電路的基本單元的電路圖。
[0025]圖3是根據(jù)在圖1中示出的本發(fā)明的示例實施例的沿B-B’線截取的在圖1中示出的實施例的靜電防護電路中的一部分的放大剖視圖。
[0026]—些附圖標號的描述[0027]CL1、CL2、CL3、CL4:時鐘信號線
[0028]GL1、GL2、GL3:柵極金屬線
[0029]T1、T2、T3:靜電防護晶體管
[0030]C1、C2、C3:電容器
[0031]10:本征半導體層區(qū)域
[0032]11、12:p型雜質(zhì)摻雜區(qū)域
[0033]20:柵極絕緣層30:層間絕緣層
[0034]40:時鐘信號線50:柵電極層
[0035]60:柵極金屬線70:電容器的第一電極
[0036]80:絕緣層 90:電容器的第二電極
【具體實施方式】
[0037]在下文中，將結(jié)合示出本發(fā)明的示例實施例的附圖更充分地描述本發(fā)明的實施例。本領域的技術(shù)人員將理解的是，所描述的實施例可以以各種不同的方式進行修改，而均未脫離本發(fā)明的精神和范圍。
[0038]可以省略與示例實施例的描述不相關(guān)的部分，以使得描述清楚。此外，貫穿本說明書，相同的附圖標記指的是相同的元件。
[0039]貫穿本說明書和權(quán)利要求書，當描述為元件“結(jié)合”到另一元件時，該元件可以“直接結(jié)合”到另一元件，或者可以通過一個或者多個其他元件“電結(jié)合”到其他元件。此外，除非明確地作出相反描述，否則詞語“包括”和諸如“包含”或者“包括”的變型將被理解為意指包括所述元件，但是未必要排除任何其他元件。
[0040]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的顯示面板的靜電防護電路的示意圖。[0041 ] 參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的本示例實施例，顯示面板的靜電防護電路設置在顯示裝置中。在示例實施例中，靜電防護電路設置在包括顯示面板(或者顯示單元)的顯示裝置中，其中，顯示面板(或者顯示單元)包括顯示圖像的多個像素和驅(qū)動顯示面板的驅(qū)動電路。更詳細地講，靜電防護電路可以設置在驅(qū)動電路和用來向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號的多個時鐘信號線CLl至CL4之間。在圖1中，靜電防護電路可以設置在多個時鐘信號的一側(cè)。
[0042]S卩，根據(jù)本發(fā)明的本示例實施例，靜電防護電路可以分別地電結(jié)合(或者電連接)到時鐘信號線，以防止或者減小靜電放電(ESD)流經(jīng)向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號(例如，預定的時鐘信號)的時鐘信號線的可能性，其中，驅(qū)動電路將柵極信號或者掃描信號傳輸?shù)接娠@示圖像的多個像素形成的像素單元，或者傳輸?shù)斤@示面板中的數(shù)據(jù)源輸出電路。
[0043]參照圖1，根據(jù)本示例實施例，靜電防護電路由分別地結(jié)合(或連接)到時鐘信號線CLl至CL4的靜電防護晶體管和電容器形成。
[0044]S卩，靜電防護電路電結(jié)合到傳輸多個時鐘信號的多個時鐘信號線中的至少一條時鐘信號線，并電結(jié)合到均具有與靜電防護晶體管的漏電極和源電極電結(jié)合的第一電極的電容器。
[0045]圖1示出了根據(jù)本示例實施例的靜電防護電路包括三個靜電防護晶體管T1-T3和三個電容器C1-C3，但是本發(fā)明不限于此。靜電防護電路可以包括與多條時鐘信號線相對應的多個靜電防護晶體管和多個電容器。在圖1中，第一線的靜電防護晶體管Tl包括:源電極is和漏電極1D，沿相同的線互相結(jié)合；以及柵電極1G，形成在源電極IS和漏電極ID的頂部上，并且柵極絕緣層插入在柵電極IG與源電極IS和漏電極ID之間。第一線的靜電防護晶體管Tl的源電極IS和漏電極ID在其更低的部分處互相結(jié)合，并且在柵電極IG層疊的上部中彼此分開。
[0046]此外，靜電防護晶體管Tl的柵電極IG通過柵極金屬線GLl與相應的時鐘信號線CL3電結(jié)合。時鐘信號線CL3和柵極金屬線GLl通過多個接觸孔CH電結(jié)合，并且柵極金屬線GLl在時鐘信號線的一側(cè)延伸并且通過接觸孔與靜電防護晶體管Tl的柵電極IG電結(jié)
入
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[0047]此外，在靜電防護晶體管Tl的下側(cè)彼此結(jié)合的源電極IS和漏電極ID在同一層中結(jié)合到第一線的電容器Cl的第一電極CE1。第一線的電容器Cl由第一電極CE1、絕緣層和第二電極FE形成，其中，第一電極CEl均與靜電防護晶體管Tl的源電極IS和漏電極ID相結(jié)合，絕緣層層疊在第一電極CEl上，第二電極FE層疊在絕緣層上。如圖1中所示，作為單個導線層，第二電極FE是形成靜電防護電路的電容器Cl至C3中每個電容器的第二電極。通過第二電極FE施加固定電壓(例如，預設的固定電壓)，并且在形成靜電防護電路的多個電容器的一側(cè)的電極被設定為固定電壓的電壓。
[0048]在圖1的不例實施例中，對應于時鐘信號結(jié)合的靜電防護晶體管和電容器形成在具有上述結(jié)構(gòu)的每條線上。即，靜電防護晶體管T2和電容器C2結(jié)合到時鐘信號線CL2，靜電防護晶體管T3和電容器C3結(jié)合到時鐘信號線CLl。
[0049]分別將時鐘信號線CLl至CL3電連接到靜電防護電路的柵極金屬線GLl至GL3是用于將時鐘信號傳輸?shù)街T如數(shù)據(jù)源輸出電路、柵極驅(qū)動器、掃描驅(qū)動器等的驅(qū)動電路而結(jié)合的金屬線。當在柵極金屬線中包括在平板工藝中不遵循天線規(guī)則(antenna rule)的柵極金屬線時，提供與在時鐘信號線和驅(qū)動電路之間的金屬線GLl至GL3相結(jié)合的靜電防護電路來防止靜電流經(jīng)時鐘線號線。
[0050]這里，“不遵循天線規(guī)則”是指延伸的柵極金屬線的面積與結(jié)合到柵極金屬線的晶體管的柵電極的面積之比大于特定值。
[0051]在此，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的靜電防護電路的操作。如圖1所示，當外部靜電流經(jīng)時鐘信號線CL2時，結(jié)合到不遵循天線規(guī)則的柵極金屬線GL2的靜電防護晶體管T2的柵極絕緣層燃毀或者被損壞，以防止外部靜電傳輸顯示面板中的其他電路元件。即，增加了在顯示面板中與圖像顯示的電路操作無關(guān)的靜電防護晶體管，因此，當靜電流經(jīng)多個時鐘信號線的一部分時，高靜電電流或者低靜電電流被引導到增加的靜電晶體管，然后靜電防護晶體管中的最薄的柵極絕緣層燒毀，以此保護顯示面板的驅(qū)動電路。
[0052]本發(fā)明的本示例實施例不限于圖1，并且在結(jié)合時鐘信號線和驅(qū)動電路的柵極金屬線上可以形成至少一個靜電防護電路。
[0053]與靜電防護晶體管的漏電極和源電極結(jié)合的電容器的第二電極FE施加有固定電壓并且維持在固定電壓，以傳導(或引導)外部靜電電流至靜電防護晶體管。電容器的第一電極與靜電防護晶體管的漏電極和源電極相結(jié)合，以防止在傳導(或引導)靜電期間電容器的兩個電極之間的電短路，電容器的第二電極FE結(jié)合到固定電壓的電源。
[0054]這里，通過引導靜電電流使靜電防護晶體管的柵極絕緣層燒毀的含義可以根據(jù)高或低水平的靜電電流的量而改變，但是其意味著靜電電流影響靜電防護電路的柵極絕緣層，因此導致電打開(例如，電開路)或者電短路。
[0055]當靜電防護晶體管電打開時，電的流動停止(或者不連接)，從而外部靜電不影響顯示面板中的電路元件的操作。此外，當靜電防護晶體管電短路時，過量的電流流經(jīng)靜電防護晶體管，盡管電流僅聚積在與靜電防護晶體管的源-漏電極相結(jié)合的電容器的第一電極中，使得相應的電容器維持被充以與第一電極的靜電電壓和第二電極的固定電壓之間的差一樣大的電壓。因此，可以防止外部靜電經(jīng)由時鐘信號線和柵極金屬線流入顯示面板的驅(qū)動電路中。
[0056]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的本示例實施例的圖1的靜電防護電路的基本單元“A”的電路圖。
[0057]在本發(fā)明的示例實施例中，基本單元包括結(jié)合到柵極金屬線的至少一個晶體管和至少一個電容器，其中，柵極金屬線與多個時鐘信號線中的相應的一條時鐘信號線電結(jié)合，從而，靜電防護電路包括多個此類晶體管和多個此類電容器。
[0058]因此，根據(jù)本發(fā)明的本示例實施例，部分“A”是靜電防護電路的基本單元，并且是結(jié)合到多條時鐘信號線中的一條時鐘信號線(例如，圖1中的CL3)的靜電防護電路的一部分。例如，部分“A”包括與柵極金屬線GLl相結(jié)合的第一條線的靜電防護晶體管Tl和電容器Cl，其中，柵極金屬線GLl與圖1中的時鐘信號線CL3相結(jié)合。
[0059]靜電防護晶體管Tl包括:柵電極1G，與施加有時鐘信號或者外部靜電電壓的柵極金屬線GLl結(jié)合；源電極IS ;和漏電極1D。源電極IS和漏電極ID共同結(jié)合到第一節(jié)點NI。
[0060]電容器Cl包括第一電極和第二電極,其中，第一電極結(jié)合到第一節(jié)點NI,第二電極結(jié)合到傳輸固定電壓VDH的電源。
[0061]當外部靜電電流被引導至靜電防護晶體管Tl的柵電極1G，并且因此被引導至柵極絕緣層(即，柵電極的下層短路)時，電容器Cl在第一電極中聚積過量的靜電電流。此外，電容器Cl充有與聚積在第一電極中的靜電電壓和施加到第二電極的固定電壓VDH之間的差相對應的電壓，并且維持該充電電壓。然后，靜電可以存儲在靜電防護電路中，使得靜電不能影響顯示面板中的其他電路元件，因此保護顯示裝置免受靜電的影響。
[0062]可選擇地，當外部靜電被引導至靜電防護晶體管Tl的柵電極IG時，柵極絕緣層(即，柵電極的下層)電打開并且因此電分離，使得靜電不能影響顯示面板的其他電路元件。
[0063]圖3是根據(jù)本發(fā)明的本示例實施例的沿圖1的線B-B’截取的圖1的靜電防護電路的放大剖視圖。
[0064]雖然在圖3中未示出，但是可以根據(jù)沿線B-B’截取的部分的剖面結(jié)構(gòu)的最下部(或區(qū)域)中的每種構(gòu)成方式來設置絕緣基底。
[0065]S卩，由氧化硅形成的緩沖層和絕緣基底可以形成在靜電防護晶體管T2和電容器C2的最下部(或區(qū)域)，但是因為此技術(shù)內(nèi)容在本領域中是已知的，所以將不再提供對靜電防護電路結(jié)構(gòu)的剖面的進一步描述。
[0066]此外，線B-B’是從時鐘信號線CL2延伸然后穿過兩條時鐘信號線CL3和CL4的線，但是為了更好地理解和易于描述，將從圖3中省略沒有與靜電防護晶體管T2電結(jié)合的時鐘信號線CL3和CL4。
[0067]參照圖3，首先，形成靜電防護晶體管T2的半導體層SCL。半導體層SCL可以由例如多晶娃(Poly-Si)形成。[0068]柵極絕緣層20形成在半導體層SCL上。柵極絕緣層20的構(gòu)成材料不受具體限制，并且可以例如包括:諸如氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)等的無機材料；無機材料的組合；和/或諸如PVP (聚乙烯基苯酚)、聚酰亞胺等的有機材料。通常，柵極絕緣層20是最薄的層，從而柵極絕緣層20在靜電防護晶體管中可以因靜電的流入而被燒毀，因此可以引起電打開或者電短路。
[0069]在形成柵極絕緣層20之后，柵電極層50通過圖案化形成在形成有半導體層SCL的區(qū)域之上的部分中。
[0070]在柵電極層50被圖案化之后，利用柵電極層50作為摻雜阻止層來摻雜雜質(zhì)，并且在圖3的示例實施例中，摻入P型雜質(zhì)，從而形成P型雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12。未摻入有雜質(zhì)的本征半導體層區(qū)域10保持在位于柵電極層50的一部分下方的半導體層SCL中。
[0071]P型雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12可以分別形成為源電極和漏電極。雖然在圖3中未示出，但是P型雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12可以彼此結(jié)合，使得可以在靜電防護晶體管T2的另一個位置中形成公共節(jié)點。此外，電容器C2的導電層70形成在與公共節(jié)點相同的層中。SP，P型雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12彼此結(jié)合，并且導電層70與P型雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12相結(jié)合，并且導電層70形成電容器C2的第一電極CE2。
[0072]同時，在形成柵極絕緣層20之后，可以在區(qū)域(例如，預定的區(qū)域)中通過圖案化來形成時鐘信號線40。然而，本實施例不限于此，并且可以通過與形成靜電防護電路的工藝分開的工藝形成時鐘信號線40。
[0073]時鐘信號線40是用來將時鐘信號從控制器傳輸給驅(qū)動電路的金屬線。形成金屬線的材料沒有限制，可以是導電材料或者其合金。例如，金屬線可以由諸如鑰(Mo)、鉭(Ta)、鈷(Co)等的金屬材料或者其合金形成。
[0074]在形成柵電極層50之后，可以在柵電極層50上形成層間絕緣層30。圖3示出了形成層間絕緣層30使得其延伸到時鐘信號線40的上部，但是示例實施例不限于此。
[0075]層間絕緣層30的材料不受具體限制，但是，與柵極絕緣層20類似，層間絕緣層30可以例如由諸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等的無機材料、無機材料的組合或者諸如聚乙烯酚(PVP)、聚酰亞胺等的有機材料形成。在圖3中，層間絕緣層30形成為單層，但是可以由至少兩層形成。此外，層間絕緣層30可以由和柵極絕緣層相同的絕緣材料形成，或者可以由不同的材料形成。
[0076]在形成層間絕緣層30之后，通過圖案化部分地暴露時鐘信號線40和柵電極層50，然后形成柵極金屬線60 (例如，GL2)。柵極金屬線60 (GL2)可以由導電金屬材料形成，但是其不限于此。例如，柵極金屬線60可以由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)等的導電材料或者其合金形成。
[0077]柵極金屬線60 (GL2)通過層間絕緣層30中的暴露時鐘信號線40和柵電極層50的接觸孔電連接已經(jīng)圖案化的并且被暴露的時鐘信號線40和柵電極層50。
[0078]因此，流自時鐘信號線40的靜電電流被傳輸?shù)綎烹姌O層50。然后，位于柵電極層50和半導體層SCL之間的柵極絕緣層20被燒毀并且因此電打開或者短路。
[0079]同時，在導電層形成為電容器C2的第一電極70之后,在第一電極70上層疊絕緣層80。然后，導電層作為電容器C2的第二電極90形成在絕緣層80上?？梢允┘庸潭妷航o第二電極90。因此，當靜電防護晶體管T2的柵極絕緣層20由于靜電電流而短路時，靜電電流聚積在與源電極和漏電極(即，半導體SCL的雜質(zhì)摻雜區(qū)域11和12)電結(jié)合的電容器C2的第一電極70中。因此，靜電電流不會流到顯示面板的其他電路元件中。
[0080]在圖3的示例實施例中，可以形成在柵極金屬線60 (GL2)的上部和電容器C2的第二電極90中的層可以是已知的層，例如層間絕緣層、保護層等，并且這些層可以通過顯示面板的制造工藝形成。因為這在本領域中代表普通技術(shù)，所以將不提供進一步的描述。
[0081]雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認為是實際的示例實施例的內(nèi)容描述了本發(fā)明，但是應該理解的是，本發(fā)明不限于公開的實施例，而是相反，旨在覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。從而，本領域的技術(shù)人員能夠從【具體實施方式】中選擇和替換。而且，本領域的普通技術(shù)人員可以在沒有使性能劣化的情況下去除在說明書中描述的組成元件的一部分或者為提高性能而增加組成元件。此外，本領域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)工藝環(huán)境或設備來改變說明書中描述的方法的步驟的順序。因此，其旨在通過權(quán)利要求和它們的等同物限定本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置的靜電防護電路，所述靜電防護電路包括: 驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示圖像的顯示單元； 至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號； 至少一個晶體管，電 結(jié)合到時鐘信號線；以及 至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極和被構(gòu)造為維持電壓的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電防護電路，其中，時鐘信號線通過柵極金屬線與晶體管的柵電極相結(jié)合。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電防護電路，其中，晶體管包括: 半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)的雜質(zhì)摻雜區(qū)域和未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體區(qū)域； 柵電極層，位于半導體層上；以及 柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間， 其中，柵極絕緣層被構(gòu)造為通過流經(jīng)時鐘信號線的靜電電流產(chǎn)生電打開或者電短路。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電防護電路，其中，半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域包括: 第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及 第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的部分。
5.如權(quán)利要求3所述的靜電防護電路，其中，電容器的第一電極電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。
6.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 顯示單元，包括多個像素并被構(gòu)造為通過基于與圖像數(shù)據(jù)信號相對應的數(shù)據(jù)電壓發(fā)射光來顯示圖像； 驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示單元； 至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為將時鐘信號傳輸?shù)津?qū)動電路；以及 靜電防護電路，包括: 至少一個晶體管，電結(jié)合到時鐘信號線；以及 至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極以及被構(gòu)造為施加有固定電壓的第二電極。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，靜電防護電路結(jié)合在時鐘信號線和驅(qū)動電路之間。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，時鐘信號線通過柵極金屬線結(jié)合到靜電防護電路的晶體管的柵電極。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，晶體管包括: 半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)并且電結(jié)合到電容器的第一電極的雜質(zhì)摻雜區(qū)域以及未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體層； 柵電極層，位于半導體層上；以及 柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，半導體的雜質(zhì)摻雜區(qū)域包括:第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及 第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的一部分。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，柵極絕緣層被構(gòu)造為由于靜電電流流經(jīng)至少一條時鐘信號線而引起電打開或者引起電短路。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，電容器的第一電極電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。
【文檔編號】G09G3/32GK103972228SQ201310653295
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月28日
【發(fā)明者】金容載, 鄭寶容, 李海衍 申請人:三星顯示有限公司