本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種沉積裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種包括多個(gè)磁體組件的沉積裝置。

背景技術(shù)：

1、目前，具有相對(duì)輕的重量和相對(duì)小的尺寸的顯示裝置已經(jīng)在開發(fā)中。陰極射線管(crt)顯示裝置由于性能和有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格已經(jīng)被使用。然而，crt顯示裝置相對(duì)大。因此，諸如等離子體顯示裝置、液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示裝置由于它們相對(duì)小的尺寸、輕的重量和低功耗而越來越多地被使用。

2、在制造顯示裝置中，可以使用具有靶的沉積裝置。在某些情況下，作為沉積材料的來源的靶可能被不均勻地侵蝕。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例，一種沉積裝置包括：基板支撐件，其中基板被固定到所述基板支撐件；面對(duì)所述基板的靶；第一磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方，并且包括在第一方向上延伸并具有第一長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第一磁體的第二磁體；以及第二磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方且在基本垂直于所述第一方向的第二方向上與所述第一磁體組件間隔開，并且包括在所述第一方向上延伸并具有大于所述第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第二磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，其中所述第一磁體組件的所述第二磁體和所述第二磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上具有彼此基本相同的長(zhǎng)度。

2、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第一磁體組件和所述第二磁體組件被設(shè)置為沿所述第二方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

3、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第一磁體組件的所述第二磁體和所述第二磁體組件的所述第二磁體均具有矩形形狀。

4、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第一磁體組件的所述第一磁體和所述第二磁體以及所述第二磁體組件的所述第一磁體和所述第二磁體均包括多個(gè)磁體塊。

5、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第二磁體組件的所述第一磁體的磁體塊的數(shù)量大于所述第一磁體組件的所述第一磁體的磁體塊的數(shù)量。

6、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：第三磁體組件，在所述第二方向上與所述第二磁體組件間隔開，并且包括在所述第一方向上延伸的第一磁體和至少部分地圍繞所述第三磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，其中所述第一磁體組件的所述第二磁體和所述第三磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上具有基本相同的長(zhǎng)度。

7、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第三磁體組件的所述第一磁體具有大于所述第一長(zhǎng)度且小于所述第二長(zhǎng)度的第三長(zhǎng)度。

8、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：在所述第二方向上與所述第二磁體組件間隔開的多個(gè)磁體組件，其中所述多個(gè)磁體組件中的每個(gè)磁體組件包括第一磁體和至少部分地圍繞該磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，并且其中所述第一磁體組件、所述第二磁體組件以及所述多個(gè)磁體組件的布置相對(duì)于在所述第一方向上延伸的一條假想線對(duì)稱。

9、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第一磁體組件、所述第二磁體組件以及所述多個(gè)磁體組件中包括的磁體組件的數(shù)量為奇數(shù)。所述第一磁體組件的所述第二磁體、所述第二磁體組件的所述第二磁體以及所述多個(gè)磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上的長(zhǎng)度全部彼此相同，并且兩個(gè)相鄰的磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度彼此不同。

10、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：設(shè)置在所述第二磁體組件的一部分與所述靶之間并且包括鐵磁性材料的調(diào)磁器(shunt)。

11、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述調(diào)磁器被布置成與所述基板的邊緣重疊。

12、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：用于容納所述基板支撐件和所述靶的室；用于向所述室提供真空的真空提供器；和用于將工藝氣體提供到所述室中的氣體提供器。

13、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：用于固定所述靶的墊板；空腔板，被設(shè)置在所述墊板下方以固定所述墊板，并且被固定到所述室；和設(shè)置在所述空腔板和所述墊板之間的不粘層。

14、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述第一磁體組件的一部分被設(shè)置為與所述基板不重疊。

15、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例，一種沉積裝置包括：基板支撐件，其中基板被固定到所述基板支撐件；面對(duì)所述基板的靶；第一磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方，并且包括在第一方向上延伸并具有第一長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第一磁體的第二磁體；以及第二磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方且在基本垂直于所述第一方向的第二方向上與所述第一磁體組件間隔開，并且包括在所述第一方向上延伸并具有大于所述第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第二磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，其中所述第一磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上的長(zhǎng)度小于所述第二磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上的長(zhǎng)度，并且所述第一磁體組件的一部分與所述基板不重疊。

16、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述沉積裝置進(jìn)一步包括：第三磁體組件，在所述第二方向上與所述第二磁體組件間隔開，并且包括在所述第一方向上延伸的第一磁體和至少部分地圍繞所述第三磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，其中所述第一磁體組件的所述第二磁體和所述第三磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上具有基本相同的長(zhǎng)度。

17、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例，一種沉積裝置包括：基板支撐件，其中基板被固定到所述基板支撐件；面對(duì)所述基板的靶；以及設(shè)置在所述靶下方的多個(gè)磁體組件，其中所述多個(gè)磁體組件中的每個(gè)磁體組件包括在第一方向上延伸的第一磁體和至少部分地圍繞所述第一磁體的第二磁體，其中所述多個(gè)磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上具有彼此基本相同的長(zhǎng)度，并且所述多個(gè)磁體組件中的至少兩個(gè)磁體組件的所述第一磁體具有彼此不同的長(zhǎng)度。

18、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)磁體組件的布置相對(duì)于在所述第一方向上延伸的一條假想線對(duì)稱。

19、在本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例中，兩個(gè)緊鄰的磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度彼此不同。

20、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施例，一種沉積裝置包括：基板支撐件；設(shè)置在所述基板支撐件上的基板；面對(duì)所述基板的靶；以及設(shè)置在靶下方并且包括第一磁體組件、第二磁體組件和第三磁體組件的多個(gè)磁體組件，其中所述多個(gè)磁體組件中的每個(gè)磁體組件包括在第一方向上延伸的第一磁體和至少部分地圍繞所述第一磁體的第二磁體，其中所述第二磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度不同于所述第一磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度和所述第三磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度。

技術(shù)特征：

1.一種沉積裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括：

3.一種沉積裝置，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積裝置，其中所述磁體組件的布置相對(duì)于在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的線對(duì)稱。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積裝置，其中兩個(gè)緊鄰的磁體組件的所述第一磁體的長(zhǎng)度彼此不同。

技術(shù)總結(jié)
一種沉積裝置包括：基板支撐件，其中基板被固定到所述基板支撐件；面對(duì)所述基板的靶；第一磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方，并且包括在第一方向上延伸并具有第一長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第一磁體的第二磁體；以及第二磁體組件，被設(shè)置在所述靶下方且在基本垂直于所述第一方向的第二方向上與所述第一磁體組件間隔開，并且包括在所述第一方向上延伸并具有大于所述第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度的第一磁體和至少部分地圍繞所述第二磁體組件的所述第一磁體的第二磁體，其中所述第一磁體組件的所述第二磁體和所述第二磁體組件的所述第二磁體在所述第一方向上具有彼此基本相同的長(zhǎng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：李寬龍,南相睦,金顯佑,邊宰號(hào)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8