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微圖案形成方法和使用其的微通道晶體管和微通道發(fā)光晶體管的形成方法本發(fā)明涉及一種使用有機線或有機-無機混合線形成微圖案的方法，更具體地，涉及一種使用有機線或有機-無機復合線作為圖案化掩模來形成微圖案的方法以及使用其來形成電子器件的方法。目前，由于能夠在襯底上形成納米級圖案的方法多數(shù)基...

一種晶圓級陽極鍵合方法本發(fā)明涉及一種晶圓級鍵合方法，尤其是涉及一種晶圓級陽極鍵合方法。目前在微機械系統(tǒng)、微電子以及光電子領(lǐng)域，晶圓級鍵合技術(shù)正被廣泛應(yīng)用。在過去幾十年，各種鍵合技術(shù)已經(jīng)被開發(fā)出來，主要分為直接鍵合和中間層鍵合，直接鍵合技術(shù)包括硅-硅熔融鍵合，硅-玻璃陽極鍵合。在微機...

電容式微加工超聲換能器制造方法及被檢體信息獲取裝置本公開涉及可以在超聲探測器和其它應(yīng)用中使用的電容式微加工超聲換能器，并且還涉及用于制造該電容式微加工超聲換能器的方法。超聲診斷近來已經(jīng)被看作用于疾病的早期檢測的技術(shù)。在這種診斷領(lǐng)域中，在研究中的有前景的超聲發(fā)送和接收技術(shù)之一是取代壓...

微機械功能裝置、尤其揚聲器裝置、以及相應(yīng)的制造方法本發(fā)明涉及一種微機械功能裝置、尤其一種揚聲器裝置、以及一種相應(yīng)的制造方法。雖然也可以采用任意的微機械功能裝置，但是借助在硅基礎(chǔ)上的微機械揚聲器裝置來解釋本發(fā)明以及其所基于的問題。與麥克風封裝或壓力傳感器封裝相比，其中其必須在小的構(gòu)造...

制造諧振式傳感器的方法本申請要求2011年12月2日提交的日本專利申請第2011-264543號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本文中描述的實施例涉及制造諧振式傳感器的方法。圖6-圖17示出了相關(guān)技術(shù)的諧振式傳感器的必要部分的構(gòu)成。圖6示出了必要組件的結(jié)構(gòu)，圖7-圖15示出了...

MEMS器件及其形成方法本發(fā)明涉及半導體器件，具體而言，本發(fā)明涉及MEMS器件及其形成方法。微電子機械系統(tǒng)(MEMS)器件可用于諸如麥克風、加速度計、噴墨打印機等各種應(yīng)用。常用類型的MEMS器件采用可移動元件(有時被稱為檢測質(zhì)量塊(proofmass))作為電容器極板，以及采用固定...

用于MEMS芯片封裝的無小島引線框、引線框陣列及封裝結(jié)構(gòu)本申請涉及用于MEMS芯片封裝的引線框，更具體來說，本申請涉及用于MEMS芯片封裝、如OCSOP（開蓋式小尺寸封裝）、OCDIP（開蓋式雙列直排封裝）的無小島引線框及其封裝結(jié)構(gòu)。封裝是電子器件制造過程中一個非常重要的步驟，通過...

一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，具體地說涉及一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法。表面犧牲層加工(表面微機械)技術(shù)是硅微加工的主要技術(shù)之一。釋放工藝是MEMS制造過程中經(jīng)常使用的工藝。釋放工藝分為濕法釋放和干法釋放兩種。干法釋放采用等離子體進行刻蝕時，...

一種高占空比絕熱微橋結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法本發(fā)明涉及探測器微細加工，具體指一種高占空比的紅外探測器單元結(jié)構(gòu)及其實現(xiàn)方法，它適用于非制冷焦平面器件，也適用于其它需要高占空比薄膜微橋結(jié)構(gòu)的器件。非制冷焦平面本質(zhì)上是一種“熱”探測器，利用敏感元的“輻射熱效應(yīng)”進行紅外探測，其核心是具有...

?磁致伸縮式微動夾鉗本發(fā)明涉及夾鉗，特別是微動夾鉗。微機電工程、光學工程、生物醫(yī)學工程等領(lǐng)域的迅猛發(fā)展迫切需要能夠在亞毫米級、微米級空間進行操作的微執(zhí)行機構(gòu)。微動夾鉗是微執(zhí)行機構(gòu)中的重要執(zhí)行器件，可用于完成微小物體的夾持、移動和組裝等動作，在微裝配、微操作等方面具有重要的作用。目前...

一種實現(xiàn)納米硅量子點可控摻雜的方法本發(fā)明涉及一種對納米硅量子點摻雜的方法，尤其是一種實現(xiàn)納米硅量子點可控摻雜的方法，屬于納米光電子器件。在半導體材料和器件的研究過程中，非晶硅薄膜作為一種光電材料已成為非晶半導體材料研究的重點和核心，并被廣泛應(yīng)用于多種器件，比如薄膜晶體管(T...

?多層的硅微機械零件的制造方法和由此方法獲得的零件本發(fā)明涉及多層的硅微機械零件的制造方法和由此方法獲得的零件，這些零件尤其用在鐘表制造領(lǐng)域。硅微機械零件的現(xiàn)有制造技術(shù)允許零件側(cè)面的垂直度被控制得足夠好，以便將這些零件用作鐘表機構(gòu)的構(gòu)件。然而，采用現(xiàn)有技術(shù)從單塊硅片制造具有多層的零件...

一種非晶納米片的制備方法本發(fā)明涉及一種非晶納米片的制備方法。制備非晶合金粉末的方法主要有霧化法、機械合金化法以及化學沉積法等。霧化法是廣泛采用的能夠大批量生產(chǎn)非晶合金粉末的方法，但是其設(shè)備復雜且昂貴，對合金的流動性要求高，難以獲得納米級的非晶合金粉末；化學沉積法雖然可以獲得納米級的...

微機電系統(tǒng)器件加工中金屬層與絕緣層圖形對準誤差電學測試結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)(MEMS)器件加工技術(shù)，特別是一種微機電系統(tǒng)器件加工中金屬層與絕緣層圖形對準誤差電學測試結(jié)構(gòu)，屬于電學及半導體領(lǐng)域。在微機電系統(tǒng)(MEMS)器件加工中存在許多層材料，其中既有導電層材料，又有絕緣層材料。...

一種制備超薄二維石墨片的方法本發(fā)明屬于納米科技與新材料領(lǐng)域，具體涉及超薄二維石墨片的制備方法。厚度小于10個原子層的石墨片中的電子結(jié)構(gòu)與體材料石墨有顯著的不同，所以一般認為厚度小于10個原子層(共約4nm)的石墨片屬于二維材料。二維石墨片具有極其優(yōu)良的電學性質(zhì)，其中以單層石墨的性質(zhì)...

微機電系統(tǒng)器件加工中不同導電層圖形間對準誤差電學測試結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)(MEMS)器件加工技術(shù)，特別是一種微機電系統(tǒng)器件加工中不同導電層圖形間對準誤差電學測試結(jié)構(gòu)，屬于電學及半導體領(lǐng)域。在微機電系統(tǒng)(MEMS)器件加工中存在多層導電材料。例如，硅襯底、多晶硅1、多晶硅2和金屬...

一種超高頻納米振蕩器本發(fā)明涉及的是在納米尺度基于碳納米管高頻振蕩特性、電致變形原理和遂穿電流對碳納米管微小軸向振蕩引起的間隙變化的高度敏感性而設(shè)計的超高頻納米振蕩器。在過去十多年中，碳納米管制備技術(shù)已經(jīng)高度發(fā)展。由于碳納米管的尺寸特征和優(yōu)異的機械和電子性能，研究人員設(shè)計出了眾多基于...

微機械熱流式傳感器的加工方法本發(fā)明涉及一種熱流式傳感器的加工方法，尤其是涉及一種應(yīng)用于微機械傳感領(lǐng)域的熱流式傳感器加工方法。微電子機械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem縮寫成MEMS)技術(shù)是將微電子器件與微機械結(jié)構(gòu)融為一體的、跨學科的先進制造技術(shù)，其目的...

分布式微機電系統(tǒng)移相器芯片級微封裝構(gòu)件本發(fā)明涉及一種微機電系統(tǒng)(MEMS)移相器芯片級微封裝構(gòu)件。移相器是相控陣雷達、衛(wèi)星通信、移動通信設(shè)備中的核心組件中最重要的部分，它的工作頻帶、插入損耗直接影響著這些設(shè)備的抗干擾能力和靈敏度以及系統(tǒng)的重量、體積和成本。目前，國內(nèi)外研究者已開發(fā)出...

微米和亞微米針陣列的制備方法本發(fā)明涉及一種納米和微米微結(jié)構(gòu)材料的制備方法，特別是一種微米和亞微米針陣列的制備方法。微米和亞微米針陣列的制備是一項具有重要應(yīng)用背景的技術(shù)。在光學領(lǐng)域，微米/亞微米針陣列可作為近場光學探針，獲取近場光學信息；在生物醫(yī)藥領(lǐng)域，微米針陣列主要應(yīng)用于皮下無疼給...