本發(fā)明屬于光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,具體涉及一種基于光刻掩膜引導(dǎo)氧空位調(diào)控的氧化物半導(dǎo)體薄膜平面p/n超結(jié)構(gòu)的制備方法,特別適用于光電化學(xué)水分解、太陽能燃料生產(chǎn)和自驅(qū)動(dòng)光電子器件等領(lǐng)域。、光電化學(xué)技術(shù)憑借其獨(dú)特的光-電-化學(xué)耦合效應(yīng),為太陽能轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存提供了一種有前景的方法,并在環(huán)境治理、生...