本技術(shù)涉及一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路。

背景技術(shù)：

1、基于超導(dǎo)量子干涉器件(superconducting?quantum?interferencedevice，以下簡(jiǎn)稱squid)的磁傳感器是目前已知的最靈敏的磁傳感器，其中低溫超導(dǎo)squid靈敏度優(yōu)于10飛特，高溫超導(dǎo)squid靈敏度優(yōu)于100飛特。squid磁傳感器是重要的高端應(yīng)用傳感器，廣泛應(yīng)用于生物磁，地球物理探測(cè)，極低場(chǎng)核磁共振等微弱磁場(chǎng)探測(cè)用用領(lǐng)域，具有很高的科研和應(yīng)用價(jià)值。對(duì)于高水平的白噪聲，多余的噪聲通常是由于外部干擾或結(jié)中捕獲的磁通抑制了vf傳遞系數(shù)，導(dǎo)致i0發(fā)生變化，使squid不再優(yōu)化或?qū)ΨQ，對(duì)于直流squid來(lái)說(shuō)。多余的低頻噪聲可能是由于被困磁通在器件中移動(dòng)而產(chǎn)生的電報(bào)噪聲。如果這種噪聲在非常低的頻率下很明顯，那么在輸出端就會(huì)直接看到磁鏈跳變，并且在fft頻譜中會(huì)觀察到一個(gè)很大的1/f噪聲。如果磁通跳變太快而無(wú)法在時(shí)域內(nèi)分辨，則fft頻譜將呈現(xiàn)特征洛倫茲形式。有幾種方法可以處理多余的噪音:使用squid芯片上的嵌入式加熱器將squid加熱到超過(guò)tc，然后重新冷卻以排出捕獲的通量

2、經(jīng)檢索，專利：一種單通道dc?squid信號(hào)收錄裝置(cn202223119330.1)，在液氮環(huán)境中的超導(dǎo)量子干涉器內(nèi)設(shè)置一個(gè)反饋線圈，通過(guò)測(cè)試電路產(chǎn)生一個(gè)變化的磁場(chǎng)進(jìn)行找尋工作點(diǎn)；在液氮環(huán)境中的超導(dǎo)量子干涉器內(nèi)一個(gè)加熱電阻，通過(guò)控制開關(guān)sw3，對(duì)超導(dǎo)量子干涉器的環(huán)境加熱；與超導(dǎo)量子干涉器連接有信號(hào)處理電路；設(shè)置一復(fù)位開關(guān)，控制超導(dǎo)量子干涉器恢復(fù)正常工作狀態(tài)；設(shè)置一主控制器，連接復(fù)位開關(guān)的開關(guān)控制器、信號(hào)處理電路、加熱電路以及測(cè)試電路。上述的裝置雖然也采用加熱電路，但是上述的電路只是進(jìn)行加熱，沒有調(diào)配等功能，且不能實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程的控制調(diào)配，導(dǎo)致操作不方便。

3、有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計(jì)人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

3、一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，包括mcu單元、開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元和轉(zhuǎn)接單元，所述mcu單元的控制輸出端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連，所述mcu單元的heat+端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連，所述mcu單元的heat-端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連；

4、所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元包括相同且獨(dú)立的第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊和第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊，所述mcu單元的heat+端與第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊相連，所述mcu單元的heat-端與第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊相連，其中，第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊和第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊各自的輸出端與產(chǎn)品相連。

5、優(yōu)選地，所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊包括芯片u2a和芯片u2b，芯片u2b的第十六引腳與mcu單元的控制輸出端相連，芯片u2b的第十四引腳通過(guò)電阻r41接地，芯片u2b的第十五引腳與芯片u2a的第二引腳相連，芯片u2a的第三引腳通過(guò)并聯(lián)電阻r36和電阻r13與產(chǎn)品相連，芯片u2a的第一引腳與mcu單元的控制輸出端相連，mcu單元的heat+端連接至芯片u2b的第十五引腳和芯片u2a的第二引腳之間。

6、優(yōu)選地，所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，所述mcu單元的型號(hào)為r5f211b4sp。

7、優(yōu)選地，所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，所述芯片u2a的型號(hào)為adg1634l。

8、優(yōu)選地，所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，所述mcu單元的輸出端通過(guò)轉(zhuǎn)接單元與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元相連。

9、借由上述方案，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

10、本實(shí)用新型可以遠(yuǎn)程控制探頭倉(cāng)加熱片的即時(shí)加熱，使設(shè)備調(diào)試探頭信號(hào)時(shí)更方便。

11、上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。

技術(shù)特征：

1.一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，其特征在于：包括mcu單元(1)和開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元(2)，所述mcu單元(1)的控制輸出端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元(2)的輸入端相連，所述mcu單元(1)的heat+端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元(2)的輸入端相連，所述mcu單元(1)的heat-端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元(2)的輸入端相連；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，其特征在于：所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊包括芯片u2a和芯片u2b，芯片u2b的第十六引腳與mcu單元(1)的控制輸出端相連，芯片u2b的第十四引腳通過(guò)電阻r41接地，芯片u2b的第十五引腳與芯片u2a的第二引腳相連，芯片u2a的第三引腳通過(guò)并聯(lián)電阻r36和電阻r13與產(chǎn)品相連，芯片u2a的第一引腳與mcu單元(1)的控制輸出端相連，mcu單元(1)的heat+端連接至芯片u2b的第十五引腳和芯片u2a的第二引腳之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，其特征在于：所述mcu單元(1)的型號(hào)為r5f211b4sp。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，其特征在于：所述芯片u2a的型號(hào)為adg1634l。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于直接耦合直流squid的加熱控制電路，其特征在于：所述mcu單元(1)的輸出端通過(guò)轉(zhuǎn)接單元(3)與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元(2)相連。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種適用于直接耦合直流SQUID的加熱控制電路，包括MCU單元、開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元和轉(zhuǎn)接單元，所述MCU單元的控制輸出端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連，所述MCU單元的HEAT+端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連，所述MCU單元的HEAT?端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸入端相連，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)單元的輸出端與轉(zhuǎn)接單元的輸入端相連。本技術(shù)能實(shí)現(xiàn)即時(shí)加熱，使設(shè)備調(diào)試探頭信號(hào)時(shí)更方便。

技術(shù)研發(fā)人員：封燮,趙凱明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州卡迪默克醫(yī)療器械有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240626
技術(shù)公布日：2025/5/8