本發(fā)明涉及晶體管噪聲處理，尤其涉及一種器件噪聲密度確定方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)。

背景技術：

1、隨著半導體制造技術的發(fā)展，對于半導體器件質(zhì)量要求越來越高。半導體器件的質(zhì)量與其噪聲特性密切相關，目前主要通過檢測和分析半導體器件噪聲的性質(zhì)，對半導體器件的質(zhì)量和可靠性進行篩查。檢測和分析半導體器件噪聲的性質(zhì)的通用噪聲模型bsim4(berkeley?short-channel?igfet?model)通過使用相同的擬合參數(shù)對半導體器件的反型區(qū)和非反型區(qū)的噪聲密度進行仿真模擬，可以得到半導體器件在亞閾值區(qū)的噪聲密度和反型區(qū)的噪聲密度，其中，半導體器件在亞閾值區(qū)的噪聲密度接近半導體器件在反型區(qū)的噪聲密度。

2、但實際上半導體器件在亞閾值區(qū)的噪聲密度遠大于反型區(qū)的噪聲密度，因此使用bsim4進行仿真模擬所反映的半導體在亞閾值區(qū)的噪聲密度不夠準確，進而導致使用bsim4進行仿真模擬所反映的半導體器件的總噪聲密度不夠準確，如何提高使用bsim4進行仿真模擬所得到的半導體器件的總噪聲密度的準確度是目前亟待解決的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種器件噪聲密度確定方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，能夠提高根據(jù)器件參數(shù)和第一噪聲擬合參數(shù)有效值所確定的器件在反型區(qū)的第一噪聲密度的準確度和器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度的準確度，從而提高了bsim4的噪聲模型所反映的器件的總噪聲密度的準確度，即提高了bsim4的總噪聲密度的仿真準確度，解決由于器件在反型區(qū)的噪聲密度模型和器件在亞閾值區(qū)的噪聲密度模型所用到的噪聲擬合參數(shù)noia是同一個常量參數(shù)，導致bsim4的總噪聲密度的仿真準確度較低的問題。

2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種器件噪聲密度確定方法，所述方法包括：

3、獲取器件的柵極電壓以及器件參數(shù)；

4、根據(jù)所述柵極電壓確定所述器件的第一噪聲擬合參數(shù)有效值；

5、基于所述器件參數(shù)和所述第一噪聲擬合參數(shù)有效值，確定所述器件在反型區(qū)的第一噪聲密度和所述器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度；

6、根據(jù)所述第一噪聲密度和所述第二噪聲密度確定所述器件的總噪聲密度。

7、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種器件噪聲密度確定裝置，所述裝置包括：

8、參數(shù)獲取模塊，用于獲取器件的柵極電壓以及器件參數(shù)；

9、第一確定模塊，用于根據(jù)所述柵極電壓確定所述器件的第一噪聲擬合參數(shù)有效值；

10、第二確定模塊，用于基于所述器件參數(shù)和所述第一噪聲擬合參數(shù)有效值，確定所述器件在反型區(qū)的第一噪聲密度和所述器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度；

11、第三確定模塊，用于根據(jù)所述第一噪聲密度和所述第二噪聲密度確定所述器件的總噪聲密度。

12、根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種電子設備，包括處理器與存儲器，

13、所述存儲器，用于存儲代碼和相關數(shù)據(jù)；

14、所述處理器，用于執(zhí)行所述存儲器中的代碼用以實現(xiàn)如本發(fā)明實施例中任一所述的器件噪聲密度確定方法。

15、根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如本發(fā)明實施例中任一所述的器件噪聲密度確定方法。

16、本發(fā)明實施例中，通過獲取器件的柵極電壓以及器件參數(shù)，并根據(jù)柵極電壓確定器件的第一噪聲擬合參數(shù)有效值，然后基于器件參數(shù)和第一噪聲擬合參數(shù)有效值，確定器件在反型區(qū)的第一噪聲密度和器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度，并根據(jù)第一噪聲密度和第二噪聲密度確定器件的總噪聲密度。由于第一噪聲擬合參數(shù)的有效值基于柵極電壓確定，隨柵極電壓的變化而變化，非常量參數(shù)，從而在根據(jù)器件參數(shù)和第一噪聲擬合參數(shù)有效值確定器件(半導體器件)在反型區(qū)的第一噪聲密度和在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度的時候，第一噪聲密度與第二噪聲密度基于不同的第一噪聲擬合參數(shù)有效值確定，使得第一噪聲密度與第二噪聲密度之間的過度不會過于平緩，即bsim4不再使用相同的擬合參數(shù)對半導體器件的反型區(qū)和非反型區(qū)的噪聲密度進行仿真模擬，而是使用不同的擬合參數(shù)對半導體器件的反型區(qū)和非反型區(qū)的噪聲密度進行仿真模擬，可以更準確地反映器件實際的第一噪聲密度(反型區(qū)的噪聲密度)和第二噪聲密度(亞閾值區(qū)的噪聲密度)，以提高第一噪聲密度和第二噪聲密度確定的準確度，進而可以提高使用bsim4進行仿真模擬半導體器件總噪聲密度的準確度。

技術特征：

1.一種器件噪聲密度確定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述柵極電壓確定所述器件的第一噪聲擬合參數(shù)有效值，包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，構建所述噪聲擬合參數(shù)有效值計算模型，包括：

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件為多指柵結構。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件參數(shù)包括所述器件的溫度、有效遷移率、溝道電流、有效溝道長度、第二噪聲擬合參數(shù)的頻率、第一模型參數(shù)、第二模型參數(shù)、第三模型參數(shù)、柵氧電容、源端載流子濃度、漏端載流子濃度、有效溝道寬度、溝道效應參數(shù)；

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述器件參數(shù)和所述第一噪聲擬合參數(shù)有效值確定所述器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度，包括：

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一噪聲密度和所述第二噪聲密度確定所述器件的總噪聲密度，包括：

8.一種器件噪聲密度確定裝置，其特征在于，所述裝置包括：

9.一種電子設備，其特征在于，包括處理器與存儲器，

10.一種存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權利要求1至7任一項所述的器件噪聲密度確定方法。

技術總結
本發(fā)明提供了一種器件噪聲密度確定方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取器件的柵極電壓以及器件參數(shù)，根據(jù)柵極電壓確定器件的第一噪聲擬合參數(shù)有效值，基于器件參數(shù)和第一噪聲擬合參數(shù)有效值，確定器件在反型區(qū)的第一噪聲密度和器件在亞閾值區(qū)的第二噪聲密度，根據(jù)第一噪聲密度和第二噪聲密度確定器件的總噪聲密度，能夠更準確地反映器件的實際的第一噪聲密度(反型區(qū)的噪聲密度)和第二噪聲密度(亞閾值區(qū)的噪聲密度)，提高了根據(jù)器件參數(shù)和第一噪聲擬合參數(shù)有效值所確定的第一噪聲密度和第二噪聲密度的準確度，從而提高了使用BSIM4進行仿真模擬所得到的半導體器件的總噪聲密度的準確度。

技術研發(fā)人員：朱朝嵩
受保護的技術使用者：廣州增芯科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/8