本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法、數(shù)據(jù)寫入方法及存儲(chǔ)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、相變存儲(chǔ)器(pcm)中，最為核心的是以硫系化合物為基礎(chǔ)的相變材料?？捎糜诖鎯?chǔ)數(shù)據(jù)的相變材料中至少存在兩種可明顯區(qū)分的固體相結(jié)構(gòu)，通常是非晶相(無序)和結(jié)晶相(有序)兩種狀態(tài)。其中，對(duì)于相變材料，將晶態(tài)結(jié)構(gòu)加熱至熔化并使其快速冷卻，即經(jīng)歷一個(gè)快速退火過程凝結(jié)而得到非晶態(tài)。在相變存儲(chǔ)器中，可以通過使用一個(gè)強(qiáng)度較高但作用時(shí)間短促的電脈沖于相變材料上，在焦耳熱的作用下，當(dāng)溫度升高到相變材料的熔點(diǎn)之上后，經(jīng)過一個(gè)快速的熱量釋放過程(其降溫速度超過109k/s)，相變材料由熔融態(tài)直接進(jìn)入非晶態(tài)，此過程為寫0(reset，復(fù)位)操作。

2、但是，受限于外圍電路電阻的影響，實(shí)際存儲(chǔ)陣列中不同區(qū)域的存儲(chǔ)單元寫0所需要的能量不同。遠(yuǎn)端存儲(chǔ)單元需要的較高的電壓才能夠充分reset，然而，對(duì)近端存儲(chǔ)單元來說，過高的電壓會(huì)帶來寫擾動(dòng)以及可靠性下降的問題，因此，不同區(qū)域的存儲(chǔ)陣列需要對(duì)應(yīng)不同的reset條件以保證性能。同時(shí)，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，不同wafer(晶圓)之間，不同die(裸片)之間，外圍電路電阻也可能存在差異。

3、因此，如何合理地劃分ed(electrical?distance，電學(xué)距離)區(qū)域，區(qū)分出外圍電路電阻不同的存儲(chǔ)單元，成為了需要解決的問題。相關(guān)技術(shù)中，所有die按照一個(gè)相對(duì)固定的經(jīng)驗(yàn)值來劃分ed區(qū)域，這樣，無法得到最好的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法、裝置、存儲(chǔ)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電學(xué)距離區(qū)域的精確劃分和精細(xì)調(diào)整，既保證遠(yuǎn)端存儲(chǔ)單元能夠充分reset，也能改善近端存儲(chǔ)單元的可靠性和降低功耗。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，包括：在裸片上繪制電阻變化線；其中，所述電阻變化線上包括多個(gè)采樣點(diǎn)；不同所述采樣點(diǎn)具有不同的電阻；對(duì)所述裸片進(jìn)行電性測(cè)試，記錄多個(gè)所述采樣點(diǎn)的測(cè)試值；其中，所述測(cè)試值表征所述采樣點(diǎn)中的存儲(chǔ)單元的復(fù)位狀況；基于多個(gè)所述采樣點(diǎn)的所述測(cè)試值，將所述裸片劃分為多個(gè)電學(xué)距離區(qū)域。

4、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在所述裸片上繪制所述電阻變化線，包括：基于晶圓可接受度測(cè)試中的線電阻，確定第一斜率；按照所述第一斜率，在所述裸片上繪制所述電阻變化線。

5、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述晶圓可接受度測(cè)試中的線電阻，包括：位線線電阻和字線線電阻；所述第一斜率，等于所述位線線電阻與所述字線線電阻的商。

6、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，對(duì)所述裸片進(jìn)行電性測(cè)試，記錄所述電阻變化線上的多個(gè)所述采樣點(diǎn)的所述測(cè)試值，包括：向所述裸片施加初始測(cè)試電壓，并記錄多個(gè)所述采樣點(diǎn)在所述初始測(cè)試電壓下的所述測(cè)試值；逐步調(diào)整所述裸片上的測(cè)試電壓，并記錄多個(gè)所述采樣點(diǎn)在每個(gè)所述測(cè)試電壓下的所述測(cè)試值。

7、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，基于多個(gè)所述采樣點(diǎn)的所述測(cè)試值，將所述裸片劃分為多個(gè)所述電學(xué)距離區(qū)域，包括：在多個(gè)所述采樣點(diǎn)中，確定出區(qū)域劃分點(diǎn)；其中，所述區(qū)域劃分點(diǎn)，為每次調(diào)整所述測(cè)試電壓后，所述測(cè)試值達(dá)到拐點(diǎn)的所述采樣點(diǎn)；基于所述區(qū)域劃分點(diǎn)，在所述裸片上繪制區(qū)域劃分線，將所述裸片劃分為多個(gè)所述電學(xué)距離區(qū)域；其中，所述區(qū)域劃分線與所述電阻變化線相交于所述區(qū)域劃分點(diǎn)。

8、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，基于所述區(qū)域劃分點(diǎn)，在所述裸片上繪制所述區(qū)域劃分線，包括：穿過所述區(qū)域劃分點(diǎn)，按照第二斜率，在所述裸片上繪制所述區(qū)域劃分線；其中，所述第二斜率與第一斜率的乘積等于-1。

9、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在所述初始測(cè)試電壓下，所述電阻變化線上所有的所述采樣點(diǎn)均被充分復(fù)位。

10、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述測(cè)試值包括：所述采樣點(diǎn)中的存儲(chǔ)單元的復(fù)位閾值電壓。

11、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種數(shù)據(jù)寫入方法，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，包括：上述方案中所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法；以及，基于目標(biāo)存儲(chǔ)單元所處的電學(xué)距離區(qū)域，向所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元施加對(duì)應(yīng)的電脈沖，以向所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)0。

12、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述方案中所述方法中的步驟。

13、可以理解的是，本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過繪制出電阻變化線，可以確定出具有不同外圍電路電阻的多個(gè)采樣點(diǎn)，也即，確定出具有不同外圍電路電阻的多個(gè)采樣點(diǎn)；進(jìn)而，通過電性測(cè)試，記錄下各個(gè)采樣點(diǎn)的測(cè)試值，確定出各個(gè)采樣點(diǎn)的復(fù)位狀況；進(jìn)而，根據(jù)各個(gè)采樣點(diǎn)的復(fù)位狀況，劃分出多個(gè)電學(xué)距離區(qū)域。這樣，在寫入數(shù)據(jù)0的過程中，可以基于所處的電學(xué)距離區(qū)域，對(duì)各個(gè)電學(xué)距離區(qū)域的存儲(chǔ)單元施加對(duì)應(yīng)的電脈沖，確保每個(gè)存儲(chǔ)單元均能滿足合適的reset條件。從而，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電學(xué)距離區(qū)域的精確劃分和精細(xì)調(diào)整，既保證了遠(yuǎn)端存儲(chǔ)單元能夠充分reset，也能改善近端存儲(chǔ)單元的可靠性和降低功耗，使得相變存儲(chǔ)器的reset操作更加靈活可控。

技術(shù)特征：

1.一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，在所述裸片上繪制所述電阻變化線，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，所述晶圓可接受度測(cè)試中的線電阻，包括：位線線電阻和字線線電阻；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，對(duì)所述裸片進(jìn)行電性測(cè)試，記錄所述電阻變化線上的多個(gè)所述采樣點(diǎn)的所述測(cè)試值，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，基于多個(gè)所述采樣點(diǎn)的所述測(cè)試值，將所述裸片劃分為多個(gè)所述電學(xué)距離區(qū)域，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，基于所述區(qū)域劃分點(diǎn)，在所述裸片上繪制所述區(qū)域劃分線，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法，其特征在于，所述測(cè)試值包括：所述采樣點(diǎn)中的存儲(chǔ)單元的復(fù)位閾值電壓。

9.一種數(shù)據(jù)寫入方法，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

10.一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述程序時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述方法中的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，公開了一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法、數(shù)據(jù)寫入方法及存儲(chǔ)設(shè)備。電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法包括：在裸片上繪制電阻變化線；其中，電阻變化線上包括多個(gè)采樣點(diǎn)；不同采樣點(diǎn)具有不同的電阻；對(duì)裸片進(jìn)行電性測(cè)試，記錄多個(gè)采樣點(diǎn)的測(cè)試值；其中，測(cè)試值表征采樣點(diǎn)中的存儲(chǔ)單元的復(fù)位狀況；基于多個(gè)采樣點(diǎn)的測(cè)試值，將裸片劃分為多個(gè)電學(xué)距離區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：邱雅琪,周光樂,楊海波,匡睿,丁航晨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新存科技（武漢）有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8