專利名稱：含蒽和三嗪衍生物的顯示器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明針對當前存在的需求，其目的是改善發(fā)藍光OLED的性能，更具體而言，本發(fā)明的目的是提高器件的操作穩(wěn)定性并增強其色純度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在許多實施方案中得到實現(xiàn)，所提供的器件包含陽極；陰極；和陰極和陽極之間的發(fā)光區(qū)域，其中發(fā)光區(qū)域包含蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物，其中蒽衍生物化合物選自結構式I(A)(1)～I(A)(11)、結構式I(B)、結構式I(C)和結構式I(D)，而三嗪衍生物化合物選自結構式II(A)、II(B)、II(C)和II(D)，其中各個結構式和取代基在本文中予以說明。(1)術語“層”指的是其組成一般與相鄰層的組成不同的單一層。(2)術語“區(qū)域”指的是單一層、多個層比如兩層、三層或多層，和/或一個或多個“分區(qū)”。(3)電荷傳輸分區(qū)(即空穴傳輸分區(qū)和電子傳輸分區(qū))一詞和發(fā)光分區(qū)一詞中所用的術語“分區(qū)”指的是單一層、多個層、層中的單一功能區(qū)或?qū)又械亩鄠€功能區(qū)。(4)蒽衍生物化合物一詞指的是一類相關的未取代和取代化合物，這些化合物均含有相同的如下結構式所示的三稠合苯環(huán)結構單元
其中本文提供了該蒽衍生物化合物的示意性實例。(5)三嗪衍生物化合物一詞指的是一類相關的未取代和取代化合物，這些化合物均含有相同的芳香雜環(huán)結構單元，其中苯的任何三個CH原子均被氮原子以相鄰或非相鄰的方式所置換，比如在1，2，3位、1，2，4位、1，2，5位、1，2，6位或1，3，5位。氮原子的置換比如可以發(fā)生在1，3，5位，如以下結構式所示 其中本文提供了該三嗪衍生物化合物的示意性實例。(6)如果含有蒽衍生物化合物和/或三嗪衍生物化合物的層在功能或物性上可等同視作電極或其它非發(fā)光區(qū)域的一部分，那么在這些實施方案中為了方便起見，在本文中就視含有該蒽衍生物化合物和/或三嗪衍生物化合物的該層為發(fā)光區(qū)域的一部分。(7)“非蒽和非三嗪衍生物化合物”一詞指的是除蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物以外的化合物。
具體實施例方式
本發(fā)明的有機發(fā)光器件(“OLED”)在其發(fā)光區(qū)域中包括至少一種蒽衍生物化合物和至少一種三嗪衍生物化合物。為了實現(xiàn)本發(fā)明，可采用任何適宜的層順序和層組成。
第一個說明性實施方案見

圖1，其中OLED 110是按所示順序構成的陽極120；發(fā)光區(qū)域130；和陰極140。
第二個說明性實施方案見圖2，其中OLED 210是按所示順序構成的第一電極220；發(fā)光區(qū)域230，它由發(fā)光分區(qū)230B和電荷傳輸分區(qū)230A構成；和第二電極240。第一電極如果是陰極，則第二電極就是陽極；或者第一電極是陽極，而第二電極是陰極。電荷傳輸分區(qū)可以是空穴傳輸分區(qū)，此時第二電極是陽極；或者，電荷傳輸分區(qū)是電子傳輸分區(qū)，此時第二電極就是陰極。
第三個說明性實施方案見圖3，其中OLED 310是按所示順序構成的陽極320；任選緩沖層322；發(fā)光區(qū)域330，它由空穴傳輸分區(qū)330A、發(fā)光分區(qū)330B和電子傳輸分區(qū)330C構成；和陰極340。
為了方便起見，圖1-3中沒畫出基底；但要知道，基底可處于所示OLED的任何適當位置處，比如與其中一個電極接觸。
所述至少一種三嗪衍生物化合物可以是一種、兩種、三種或多種化合物。如果存在著兩種或多種三嗪衍生物化合物，它們可以是等比或非等比的混合物；或者，三嗪衍生物化合物呈未混合形式，比如分別處于不同的層中或者處于單層的不同區(qū)中。在許多實施方案中，至少一種三嗪衍生物化合物可以視作電子傳輸材料，因為電子在三嗪衍生物化合物中比空穴傳輸?shù)酶?。在許多實施方案中，除了作為電子傳輸體之外，許多三嗪衍生物化合物也可作為藍光發(fā)光體，即空穴和電子在其中發(fā)生組合以致發(fā)射出可見光譜藍色譜區(qū)內(nèi)的光的材料。
所述至少一種蒽衍生物化合物可以是一種、兩種、三種或多種化合物。如果存在著兩種或多種蒽衍生物化合物，它們可以是等比或非等比的混合物；或者，蒽衍生物化合物呈未混合形式，比如分別處于不同的層中或者處于單層的不同區(qū)中。至少一種蒽衍生物化合物可以是有機電致發(fā)光型材料，它可視作藍光發(fā)光體，即空穴和電子在其中發(fā)生組合以致發(fā)射出可見光譜藍色譜區(qū)內(nèi)的光的材料。在許多實施方案中，許多蒽衍生物化合物也能傳輸空穴、電子或者空穴和電子二者均可傳輸，其傳輸能力分為差、尚可、良好或優(yōu)異幾等。因為在許多實施方案中蒽衍生物化合物既可以是藍光發(fā)光體又可以是電荷傳導體，該雙重性能在一定程度上使蒽衍生物化合物在OLED中所處的位置更具靈活性。
所述至少一種蒽衍生物化合物和至少一種三嗪衍生物化合物可以處于所述OLED的一個、兩個或多個層、分區(qū)或區(qū)域中，比如以下的示例性OLED構造(其中OLED中存在著兩種或多種蒽衍生物化合物，這些蒽衍生物化合物彼此可以是相同或不同的；并且其中OLED中存在著兩種或多種三嗪衍生物化合物，這些三嗪衍生物化合物彼此可以是相同或不同的)(1)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。(2)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(非蒽和非三嗪衍生物化合物)/陰極。(3)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。(4)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/陰極。(5)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/陰極。(6)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(含蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物的第一層，和含三嗪衍生物化合物的第二層)/陰極。(7)陽極/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(含蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物的第一層，和含非蒽和非三嗪衍生物化合物的第二層)/陰極。(8)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。(9)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(非蒽和非三嗪衍生物化合物)/陰極。(10)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)/陰極。(11)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。(12)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。(13)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(非蒽和非三嗪衍生物化合物)/陰極。(14)陽極/空穴傳輸分區(qū)(蒽衍生物化合物)/發(fā)光分區(qū)(非蒽和非三嗪衍生物化合物)/電子傳輸分區(qū)(三嗪衍生物化合物)/陰極。
在6、7中，含蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物的層可等同地視作發(fā)光分區(qū)的一部分。
在1～7中，這些構造任選進一步包括空穴傳輸分區(qū)(與陽極相鄰)，該分區(qū)包含蒽衍生物化合物和/或非蒽和非三嗪衍生物化合物。
在8～14中，這些構造在空穴傳輸分區(qū)(與陽極相鄰)中任選進一步包括非蒽和非三嗪衍生物化合物。
包括蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物的發(fā)光區(qū)域可以是一層、兩層或多層。比如就單層發(fā)光區(qū)域而言，蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物沿整個層厚方向上按不同的濃度發(fā)生沉積，從而形成兩個功能區(qū)發(fā)光分區(qū)(比如，蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)和電子傳輸分區(qū)(比如，蒽衍生物化合物+三嗪衍生物化合物)，其中電子傳輸分區(qū)中蒽衍生物化合物的濃度比如比發(fā)光分區(qū)中的更低，或者任選甚至在電子傳輸分區(qū)中完全不含蒽衍生物化合物。在許多實施方案中，提供了由蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物的混合物構成的單一發(fā)光層，它們在整個層內(nèi)的濃度都是均勻的。多層發(fā)光區(qū)域比如可以由以下構成與電荷傳輸層接觸的發(fā)光層；和界于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)光層。
發(fā)光分區(qū)可包括一種蒽衍生物化合物，或者兩種或多種蒽衍生物化合物的混合物。在采用兩種或多種蒽衍生物化合物的混合物時，蒽衍生物化合物可以是任何適宜的重量比，比如等量比或非等量比；一種化合物在混合物中的存在量比如可以是0.1重量％～99.9重量％，余量為另一種化合物。除了蒽衍生物化合物以外，電荷傳輸物質(zhì)可以在發(fā)光分區(qū)中存在，其濃度比如是0重量％～約95重量％(基于發(fā)光分區(qū))，余量是蒽衍生物化合物，其濃度為100重量％～約5重量％(基于發(fā)光分區(qū))。
或者，發(fā)光分區(qū)可包括一種三嗪衍生物化合物，或者兩種或多種三嗪衍生物化合物的混合物。在采用兩種或多種三嗪衍生物化合物的混合物時，三嗪衍生物化合物可以是任何適宜的重量比，比如等量比或非等量比；一種化合物在混合物中的存在量比如可以是0.1重量％～99.9重量％，余量為另一種化合物。除了三嗪衍生物化合物以外，電荷傳輸物質(zhì)可以在發(fā)光分區(qū)中存在，其濃度基于發(fā)光分區(qū)重量比如是0重量％～約95重量％，余量是三嗪衍生物化合物，其濃度基于發(fā)光分區(qū)重量為100重量％～約5重量％。
還有一種可能是，發(fā)光分區(qū)可包括蒽衍生物化合物與三嗪衍生物化合物的混合物。在采用兩種或多種蒽衍生物化合物與三嗪衍生物化合物的混合物時，蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物各自可以是任何適宜的重量比，比如等量比或非等量比；一種化合物在混合物中的存在量比如可以是0.1重量％～99.9重量％，余量為其它化合物。除了蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物以外，電荷傳輸物質(zhì)也可以在發(fā)光分區(qū)中存在，其濃度(基于發(fā)光分區(qū))重量比如是0重量％～約95重量％，余量是蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物，其(基于發(fā)光分區(qū)重量)濃度為100重量％～約5重量％。
在許多實施方案中，發(fā)光分區(qū)可包括一種或多種任何適宜重量比的非蒽和非三嗪衍生物化合物，比如等量比或非等量比。向發(fā)光分區(qū)中添加一種或多種非蒽和非三嗪衍生物化合物可對發(fā)射光的色彩強度或色純度產(chǎn)生影響，這是未添加這樣一種或多種非蒽和非三嗪衍生物化合物的發(fā)光分區(qū)所達不到的。在本發(fā)明的許多實施方案中，制造的是發(fā)藍光的OLED；在另一些實施方案中，通過在發(fā)光區(qū)域中采用適當材料而制造出發(fā)其它色光的OLED，比如向發(fā)光分區(qū)中添加一種或多種非蒽和非三嗪衍生物化合物，以將藍色改變成其它色彩。
電荷傳輸分區(qū)(無論是空穴傳輸分區(qū)還是電子傳輸分區(qū))包括一種電荷傳輸物質(zhì)或者任何適宜重量比的兩種或多種電荷傳輸物質(zhì)的混合物，比如等量比或非等量比；一種化合物在混合物中的存在量比如是0.1重量％～99.9重量％，余量是另一種化合物。電荷傳輸分區(qū)可包括一種或多種蒽衍生物化合物、一種或多種三嗪衍生物化合物、一種或多種非蒽和非三嗪衍生物化合物，或者其任意混合物。
取決于OLED以哪一側面向觀察者，OLED各層可以是透明或不透明的。以下通過構建本發(fā)明的OLED對示例性材料進行說明。
基本透明的基底可包含各種適宜的材料，包括比如聚合物組分、玻璃、石英等。適宜的聚合物組分包括但不限于聚酯，比如MYLAR、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚砜等。也可以選擇其它的基底材料。
基底的厚度為約10～約5,000μm，并且更特別地是約25～約1,000μm。
陽極可包含適宜的正電荷注入材料，比如氧化銦錫(ITO)、硅、氧化錫和功函為約4eV～約6eV的金屬，比如金、鉑和鈀。其它適宜的陽極材料包括但不限于導電性的碳、π共軛聚合物比如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等，其功函比如等于或大于約4eV，尤其是約4eV～約6eV?；就该鞯年枠O比如可包含氧化銦錫(ITO)、非常薄的基本透明金屬層，它包含功函為約4eV～約6eV的金屬如金、鈀等，其厚度比如是約10～約200，尤其是約30?！s100。陽極的厚度可以是約10?！s50,000，優(yōu)選的厚度范圍將取決于陽極材料的光電常數(shù)。陽極厚度的一個示例范圍是約300?！s3,000。
陰極可包含適宜的電子注入材料，比如金屬，包括高功函組分，比如功函為約4eV～約6eV的金屬，或者低功函組分，比如功函為約2eV～約4eV的金屬。陰極可包含低功函(低于約4eV)金屬與至少一種其它金屬的組合。低功函金屬與第二或其它金屬的有效百分比為小于約0.1重量％～約99.9重量％。低功函金屬的示意性實例包括但不限于，堿金屬比如鋰或鈉；2A族或堿土金屬比如鈹、鎂、鈣或鋇；和III族金屬，包括稀土金屬和錒系金屬如鈧、釔、鑭、鈰、銪、鋱或錒。鋰、鎂和鈣是優(yōu)選的低功函金屬。在許多實施方案中，構成陰極時優(yōu)選的陰極材料是Mg-Ag合金陰極。其它特殊的陰極包含金屬-有機物混合層(MOML)。陰極可以由鋰合金和其它高功函金屬如鋁和銦構成。
基本透明的陰極可包含非常薄的基本透明金屬層，它包含功函為約2eV～約4eV的金屬，比如鎂、銀、鋁、鈣、銦、鋰和其合金比如Mg∶Ag合金，該合金比如由約80～95體積％的鎂和約20～約5體積％的銀構成，以及Li∶Al合金，該合金比如由約90～99體積％的鋁和約10～約1體積％的鋰構成，等等，該層的厚度比如是約10～約200，尤其是約30?！s100。
陰極的厚度比如可以是約10nm～約1,000nm。
本發(fā)明OLED中所用的陽極和陰極各自均可以是單層的或者由兩層、三層或多層構成。比如，電極可由電荷注入層(即電子注入層或空穴注入層)和封閉層構成。然而在許多實施方案中，電荷注入層可視作與電極獨立。
電子注入層可包括非常薄的基本透明金屬層，它由功函為約2eV～約4eV的金屬構成，比如鎂、銀、鋁、鈣、銦、鋰和其合金，比如Mg∶Ag合金，該合金比如由約80～95體積％的鎂和約20～約5體積％的銀構成，以及Li∶Al合金，該合金比如由約90～99體積％的鋁和約10～約1體積％的鋰構成，等等，該層的厚度比如是約10?！s200，尤其是約30?！s100。電子注入層也可以包括非常薄的絕緣材料比如氧化物材料或堿金屬化合物，參見美國專利5,457,565；5,608,287和5,739,635。
空穴注入層可由適當?shù)恼姾勺⑷氩牧蠘嫵?，比如氧化銦錫(ITO)、硅、氧化錫和功函為約4eV～約6eV的金屬，比如金、鉑和鈀。其它適宜的空穴注入層材料包括但不限于，導電性碳、π共軛聚合物比如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等，其功函比如等于或大于約4eV，尤其是約4eV～約6eV?；就该鞯目昭ㄗ⑷氩牧峡捎煞浅１〉幕就该鹘饘賹訕嫵桑搶影癁榧s4eV～約6eV的金屬如金、鈀等，其厚度比如是約10?！s200，尤其是約30?！s100?？昭ㄗ⑷雽拥钠渌m宜形式參見美國專利4,885,211和5,703,436。
為了提高熱穩(wěn)定性、提高環(huán)境穩(wěn)定性和/或按其它方式改善有機發(fā)光器件的性能，在陽極和/或陰極上可包括封閉層。提高有機發(fā)光器件熱穩(wěn)定性所用的封閉層的實例是由SiO、SiO2或其混合物構成的層。提高有機發(fā)光器件環(huán)境穩(wěn)定性所用的封閉層的實例是由穩(wěn)定金屬比如銀、鋁、銦或金構成的層。提高有機發(fā)光器件環(huán)境穩(wěn)定性所用的封閉層的其它實例是由低功函金屬構成的層，參見比如美國專利5,059,861。封閉層的厚度比如是約20nm～約5,000nm，或者約50nm～500nm。
緩沖層可以由具有某些空穴注入和傳輸性能的材料構成，之所以選擇該層的目的是改善器件的性能。緩沖層可用的適宜材料包括半導體性有機材料；比如卟啉衍生物如1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)，參見美國專利4,356,429，酞菁銅、四甲基酞菁銅；酞菁鋅；酞菁氧化鈦；酞菁鎂等，并且其中酞菁銅是一個優(yōu)選的實例。也可以采用這些材料與其它適宜材料的混合物。緩沖層中可以采用的其它適宜材料包括半導體性和絕緣性金屬組分，比如金屬氧化物如MgO、Al2O3、BeO、BaO、AgO、SrO、SiO、SiO2、ZrO2、CaO、Cs2O、Rb2O、Li2O、K2O和Na2O；和金屬鹵化物，比如LiF、KCl、NaCl、CsCl、CsF和KF。緩沖層的厚度可以是約1nm～約100nm，或者約5nm～約25nm，或者約1nm～約5nm。
蒽衍生物化合物的實例包括如下通式結構所示的蒽衍生物化合物。其中取代基R1、R2、R3、R4、R5和R6各自獨立地選自氫、1～24個碳原子的烷基；1～9個碳原子的烷氧基；三苯基甲硅烷基；任選被取代的6～20個碳原子的芳基；任選被取代的5～24個碳原子的雜芳基；鹵素，比如氟、氯、溴；和氰基。雜芳基中的雜原子比如是氮、硫或氧。芳基和雜芳基任選被如下例示的同一部分或不同部分取代一次、兩次或多次1～9個碳原子的烷基；1～9個碳原子的烷氧基；鹵素比如氟、氯、溴；和氰基等。
其它蒽衍生物化合物實例包括美國專利5,972,247所公開的那些，該文中公開了如下通式結構的蒽衍生物化合物其中取代基R7、R8、R9和R10各自獨立地選自如下各組組1氫，或者1～24個碳原子的烷基；組2任選被取代的6～20個碳原子的芳基；組3構成萘基、蒽基、芘基或苝基的稠合芳香環(huán)所必需的碳原子；組4任選被取代的5～24個碳原子的雜芳基；組5呋喃基、噻吩基、吡啶基或喹啉基的稠合雜芳香環(huán)；組61～24個碳原子的烷氧基、氨基、烷氨基或芳氨基；和組7氟、氯、溴或氰基。
雜芳基中的雜原子比如是氮、硫或氧。芳基和雜芳基任選被如下例示的同一部分或不同部分取代一次、兩次或多次1～9個碳原子的烷基；1～9個碳原子的烷氧基；鹵素比如氟、氯、溴；和氰基等。
還有其它的蒽衍生物化合物實例包括美國專利5,9 35,721所公開的如下通式結構的蒽衍生物化合物其中取代基R11、R12、R13和R14各自獨立地選自如下各組組1氫，或者1～24個碳原子的烷基；組2任選被取代的6～20個碳原子的芳基；組3構成萘基、蒽基、芘基或苝基的稠合芳香環(huán)所必需的碳原子；組45～24個碳原子的任選被取代的雜芳基，構成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基和其它雜環(huán)體系的稠合雜芳香環(huán)所必需的碳原子；組51～24個碳原子的烷氧基、氨基、烷氨基或芳氨基；和組6氟、氯、溴或氰基。
雜芳基中的雜原子比如是氮、硫或氧。芳基和雜芳基任選被如下例示的同一部分或不同部分取代一次、兩次或多次1～9個碳原子的烷基；1～9個碳原子的烷氧基；鹵素比如氟、氯、溴；和氰基等。
通式I(C)蒽衍生物化合物中一個優(yōu)選的實例是9，10-二-(2-萘基)蒽衍生物化合物。
蒽衍生物化合物其它實例也包括如下結構所示的化合物其中R15和R16獨立地選自氫、比如1～約6個碳原子的烷基、約6～約30個碳原子的芳基。取代基R15和R16的具體實例是氫、甲基、叔丁基、苯基、萘基等；X和Y獨立地選自氫、比如1～約6個碳原子的烷基、約6～約30個碳原子的芳基、比如1～約6個碳原子的烷氧基、鹵素、氰基等。X和Y取代基的具體實例是氫、甲基、叔丁基、叔丁氧基等。
三嗪衍生物化合物的實例參見美國專利6,229,012、6,225,467和6,057,048。三嗪衍生物化合物的實例比如以下結構所示其中Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自獨立地是任選被取代的6～約20個碳原子的芳基，并且芳基比如可以選自苯基、茋、聯(lián)苯基、萘基、吡啶基和喹啉基等。該芳基任選被選自如下的取代基取代一次、兩次或多次比如1～約6個碳原子的烷基、比如1～約6個碳原子的烷氧基、比如1～約3個碳原子的二烷基氨基、鹵素、氰基等；R17～R18取代基獨立地選自氫，脂肪族基團，比如1～約6個碳原子的烷基、比如1～約6個碳原子的烷氧基，鹵素比如氯，氰基等；L是二價基團，選自-C(R′R″)-、亞乙基、-Si(R′R″)-、氧原子、硫原子等，其中R′和R″各自獨立地是氫原子、含1～約10個碳原子的烷基、或者含1～約10個碳原子的烷氧基。
發(fā)光區(qū)域，特別是發(fā)光分區(qū)，可進一步包括約0.01重量％～約25重量％(基于發(fā)光分區(qū)的重量)的發(fā)光材料作為摻雜劑。發(fā)光區(qū)域中可以采用的摻雜劑材料的實例是熒光材料，比如香豆素、二氰基亞甲基吡喃、聚甲炔、氧雜苯并蒽、呫噸、吡喃鎓、2-羥基喹啉、苝等。另一類優(yōu)選的熒光材料是喹吖啶酮染料。喹吖啶酮染料的示意性實例包括喹吖啶酮、2-甲基喹吖啶酮、2，9-二甲基喹吖啶酮、2-氯喹吖啶酮、2-氟喹吖啶酮、1，2-苯并喹吖啶酮、N，N′-二甲基喹吖啶酮、N，N′-二甲基-2-甲基喹吖啶酮、N，N′-二甲基-2，9-二甲基喹吖啶酮、N，N′-二甲基-2-氯喹吖啶酮、N，N′-二甲基-2-氟喹吖啶酮、N，N′-二甲基-1，2-苯并喹吖啶酮等，參見美國專利5,227,252；5,276,381和5,593,788。還一類可以采用的熒光材料是稠環(huán)熒光染料。適宜的稠環(huán)熒光染料的實例包括苝、紅熒烯、蒽、暈苯、菲、芘等，參見美國專利3,172,862。熒光材料還包括丁二烯，比如1，4-二苯基丁二烯和四苯基丁二烯，以及茋等，參見美國專利4,356,429和5,516,577。其它可以采用的熒光材料的實例參見美國專利5,601,903。
另外，發(fā)光區(qū)域中可以采用的發(fā)光摻雜劑是美國專利5,935,720所公開的熒光染料，比如4-(二氰基亞甲基)-2-I-丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)；鑭系金屬螯合配合物，比如三(乙酰丙酮酸根合)(菲咯啉)鋱、三(乙酰丙酮酸根合)(菲咯啉)銪和三(噻吩甲酰三氟丙酮酸根合)(菲咯啉)銪，以及Kido等人在“采用鑭系配合物的發(fā)白光有機電發(fā)光器件”，Jpn.J.Appl.Phys.，第35卷、第L394-L396頁(1996)中所公開的那些，還有磷光材料，比如含有可產(chǎn)生強的自旋軌道偶合的重金屬原子的有機金屬化合物，比如Baldo等人在“有機電發(fā)光器件的高效有機磷光發(fā)射”，Letters toNature，第395卷，第151-154頁(1998)中所公開的那些。優(yōu)選的實例包括2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-phorpine鉑(II)(PtOEP)和fac三(2-苯基吡啶)銦(Ir(ppy)3)。
除了三嗪衍生物材料和蒽衍生物材料以外，發(fā)光區(qū)域，特別是空穴傳輸分區(qū)，也可以包括一種或多種具有空穴傳輸性能的其它材料。發(fā)光區(qū)域中可以采用的空穴傳輸材料的實例包括聚吡咯、聚苯胺、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚噻吩、美國專利5,728,801所公開的聚芳胺及其衍生物，還有已知的半導體性有機材料；卟啉衍生物比如美國專利4,356,429所公開的1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)，酞菁銅、四甲基酞菁銅；酞菁鋅；酞菁氧化鈦；酞菁鎂；等等。
發(fā)光區(qū)域中可以采用的一類特定的空穴傳輸材料是芳香族叔胺，比如參見美國專利4,5 39,507。芳香族叔胺的適宜實例包括但不限于雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷，N，N，N-三(對甲苯基)胺、1，1-雙(4-二對甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷、1，1-雙(4-二對甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、N，N′-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺、N，N′-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺、N，N′-二苯基-N，N′-雙(4-甲氧基苯基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺、N，N，N′，N′-四對甲苯基-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺、N，N′-二-1-萘基-N，N′-二苯基-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺、N，N′-雙(對聯(lián)苯)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(聯(lián)苯TPD)及其混合物等?？稍诎l(fā)光區(qū)域中采用的一類優(yōu)選的芳香族叔胺是萘基取代的聯(lián)苯胺衍生物，比如N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)。另一類芳香族叔胺是多核芳香族胺。這類多核芳香族胺的實例包括但不限于，N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基-間甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-對氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對氯苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間氯苯胺；N，N-雙-[4′-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-1-氨基萘，及其混合物等；4，4′-雙(9-咔唑基)-1，1′-聯(lián)苯化合物，比如4，4′-雙(9-咔唑基)-1，1′聯(lián)苯和4，4′-雙(3-甲基-9-咔唑基)-1，1′-聯(lián)苯等。
發(fā)光區(qū)域中可以采用的一類特定的空穴傳輸材料是吲哚并咔唑，比如參見美國專利5,942,340和5,952,115，比如5，11-二萘基-5，11-二氫吲哚并[3，2-b]咔唑和2，8-二甲基-5，11-二萘基-5，11-二氫吲哚并[3，2-b]咔唑；N，N，N′，N′-四芳基聯(lián)苯胺，其中芳基選自苯基、間甲苯基、對甲苯基、間甲氧基苯基、對甲氧基苯基、1-萘基、2-萘基等。N，N，N′，N′-四芳基聯(lián)苯胺的示意性實例是N，N′-二-1-萘基-N，N′-二苯基-1，1′聯(lián)苯-4，4′二胺，更優(yōu)選此化合物；N，N′-雙(3-甲基苯基)-N，N′二苯基-1，1′聯(lián)苯-4，4′-二胺；N，N′-雙(3-甲氧基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺等。
在許多實施方案中，發(fā)光區(qū)域可包括一種或多種具有所需性能比如電子傳輸和/或發(fā)光性能的非蒽和非三嗪衍生物化合物。在許多實施方案中，許多以下例示的非蒽和非三嗪衍生物化合物均具有電子傳輸和/或發(fā)光性能，因此可用于發(fā)光區(qū)域中(比如發(fā)光分區(qū)和/或電子傳輸分區(qū))；聚芴，比如聚(9，9-二正辛基芴-2，7-二基)、聚(2，8-(6，7，12，12-四烷基茚并芴)以及含芴的共聚物，比如芴-胺共聚物，參見Bernius等人的Proceedings of SPIE Conference on OrganicLight Emitting Materials and Devices III，Denver，Colorado，1999年7月，第3797卷，第129頁。
其它適宜的非蒽和非三嗪衍生物化合物包括金屬喔星型化合物(oxinoid)，參見美國專利4,539,507；5,151,629；5,150,006；5,141,671和5,846,666。具體的示意性實例包括三(8-羥基喹啉酸)鋁(Alq3)、雙(8-羥基喹啉酸根合)-(4-苯基苯酚合)鋁(Balq)。其它實例包括三(8-羥基喹啉酸)鎵、雙(8-羥基喹啉酸)鎂、雙(8-羥基喹啉酸)鋅、三(5-甲基-8-羥基喹啉酸)鋁、三(7-丙基-8-羥基喹啉酸根合)鋁、雙[苯并{f}-8-羥基喹啉酸]鋅、雙(10-羥基苯并[h]喹啉酸)鈹?shù)取?br> 其它適宜的一類非蒽和非三嗪衍生物化合物是茋衍生物，比如參見美國專利5,516,577。非蒽和非三嗪衍生物化合物的進一步實例是金屬硫代喔星型(thioxiniod)化合物，參見美國專利5,846,666，在此將其全文引入作為參考，金屬硫代喔星型化合物比如雙(8-喹啉硫醇合)鋅、雙(8-喹啉硫醇合)鎘、三(8-喹啉硫醇合)鎵、三(8-喹啉硫醇合)銦、雙(5-甲基-喹啉硫醇合)鋅、三(5-甲基-喹啉硫醇合)鎵、三(5-甲基-喹啉硫醇合)銦、雙(5-甲基-喹啉硫醇合)鎘、雙(3-甲基-喹啉硫醇合)鎘、雙(5-甲基-喹啉硫醇合)鋅、雙[苯并{f}-8-喹啉硫醇合]鋅、雙[3-甲基苯并{f}-8-喹啉硫醇合]鋅、雙[3，7-二甲基苯并{f}-8-喹啉硫醇合]鋅等。具體的非蒽和非三嗪衍生物化合物是雙(8-喹啉硫醇合)鋅、雙(8-喹啉硫醇合)鎘、三(8-喹啉硫醇合)鎵、三(8-喹啉硫醇合)銦和雙[苯并{f}8-喹啉硫醇合]鋅。其它適宜的非蒽和非三嗪衍生物化合物是美國專利5,925,472公開的噁二唑金屬螯合物，這類材料包括雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4噁二唑合]鈹；雙[(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑合]鋰；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對甲苯基-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對甲苯基-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[5-(對叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[5-(對叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(3-氟苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[5-(4-氯苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基-4-甲基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-α-(2-羥基萘基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對吡啶基-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對吡啶基-1，3，4-噁二唑合]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(2-噻吩基)-1，3，4-噁二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噻二唑合]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噻二唑合]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噻二唑合]鋅；和雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噻二唑合]鈹，等等。另一類適宜的非蒽和非三嗪衍生物化合物是喹啉，比如1，4-雙(4-苯基喹啉-2-基)苯、4，4′-雙(4-苯基喹啉-2-基)-1，1′-聯(lián)苯(TA)。
在許多實施方案中，除了有機電發(fā)光材料以外，發(fā)光區(qū)域還包括一種或多種空穴傳輸材料和/或一種或多種電子傳輸材料，這些有機電發(fā)光材料、空穴傳輸材料和/或電子傳輸材料可處于獨立的層中，比如美國專利4,539,507；4,720,432和4,769,292所公開的OLED；或者處于同一層中從而形成兩種或多種材料的混合區(qū)，比如美國專利5,853,905；5,925,980；6,130,001、6,114,055；6,392,250；6,392,339所公開的OLED。
發(fā)光區(qū)域的厚度并非定值，比如可以是約10?！s10,000，一般為約200～約2,000，特別是約500?！s1,500。在許多實施方案中，發(fā)光區(qū)域包括兩層或多層，每層的厚度比如可以是約10?！s5,000，一般為約50?！s2,000，而且特別是約100?！s1,500。
OLED每層的組成沿層厚方向上可以是總體上均勻或不均勻的，每層可完全由一種材料構成或者由多種材料的混合物構成。
可借助任何適宜的薄膜成型技術通過在基底上先后形成所需各層而制造出該OLED，典型技術是旋轉(zhuǎn)涂布法或真空熱蒸發(fā)沉積法。有關有機發(fā)光器件的制造和操作的細節(jié)內(nèi)容比如參見美國專利4,539,507和4,769,292。
同比如含有蒽衍生物化合物作為發(fā)光材料而以喹啉型金屬螯合物衍生物化合物(并非三嗪衍生物化合物)作為電子傳輸材料的OLED的其它發(fā)藍光OLED相比，本發(fā)明的有機發(fā)光器件顯示出改進的性能，比如操作穩(wěn)定性更高并且改善了色純度。
除非另有說明，所有百分數(shù)和份數(shù)均以重量計。
CuPc NPB
BH2 Tl制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為31.25mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為240cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.144，0.083)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為8.7V。在該電流密度下在氮氣氣氛中連續(xù)操作60h之后，發(fā)射強度的衰減小于初始強度的1％。對比實施例1(現(xiàn)有技術)所制造的有機發(fā)光器件(以下稱為器件B)的結構是ITO陽極(50nm)/CuPc卟啉化合物緩沖層(15nm)/NPB芳香族叔胺化合物空穴傳輸層(30nm)/BH2蒽衍生物化合物發(fā)光層(30nm)/AlQ3喹啉型金屬螯合物衍生物化合物電子傳輸層(20nm)/Mg∶Ag陰極(鎂與銀的體積比為9∶1，200nm)。AlQ3的分子結構是 所有其它有機化合物的分子結構見前一實施例。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為31.25mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為390cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.154，0.114)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為8.3V。在該電流密度下在氮氣氣氛中連續(xù)操作60h之后，發(fā)射強度的衰減約為初始強度的10％。
從器件A(本發(fā)明)和B(現(xiàn)有技術)的性能對比可知，器件A的色純度更高，這一點從較小的CIE坐標值可明顯地看出，尤其是其“y”(即第二個)坐標。實際上，器件A高的色純度達到了NTSC工業(yè)標準(NTSC標準的藍坐標為(0.14，0.08))。很明顯，器件B不能滿足這些標準。除了色純度較高以外，器件A同器件B相比其操作穩(wěn)定性也得到提高。因此，本發(fā)明的發(fā)藍光OLED同現(xiàn)有技術器件相比更適合于潛在的工業(yè)應用，因為它們能提供更優(yōu)的性能。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為25.00mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為451cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.158，0.149)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為10.3V。對比實施例2(現(xiàn)有技術)所制造的有機發(fā)光器件(以下稱為器件D)的結構是ITO陽極(50nm)/NPB芳香族叔胺化合物空穴傳輸層(30nm)/SBPA蒽衍生物化合物發(fā)光層(42nm)/AlQ3喹啉衍生物化合物電子傳輸層(20nm)/Mg∶Ag陰極(鎂與銀的體積比為9∶1，200nm)。
各有機化合物的結構見之前的實施例。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為25.00mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為322cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.189，0.261)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為9.3V。
從器件C(本發(fā)明)和D(現(xiàn)有技術)的性能對比可知，器件C的色純度更高，這一點從較小的CIE坐標值可明顯地看出，尤其是其“y”(即第二個)坐標。
除此之外，器件A和C表明，本發(fā)明器件性能的改善并不限于某一特定的蒽衍生物化合物或某一特定的三嗪衍生物化合物。采用多種蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物均可以制造出性能改善的有機發(fā)光器件。
吖啶酮發(fā)藍光材料的分子結構是 吖啶酮發(fā)藍光材料其它有機化合物的結構見之前的實施例。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為2 5.00mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為410cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.158，0.112)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為10.4V。
從器件C和E色純度坐標的對比可以看出，本發(fā)明器件的色純度可通過向發(fā)光分區(qū)中添加發(fā)藍光材料而得到進一步的改善。
各有機化合物的結構見之前的實施例。
在器件F-i中，發(fā)光分區(qū)第二層中SBPA∶TBT之比為(體積比100∶0，即不含TBT)；在器件F-ii中，發(fā)光分區(qū)第二層中SBPA∶TBT之比為(體積比95∶5)；而在器件F-iii中，發(fā)光分區(qū)第二層中SBPA∶TBT之比為(體積比75∶25)。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
在電流密度31.25mA/cm2下連續(xù)驅(qū)動100h后，器件F-i、F-ii和F-iii的強度比初始強度降低了40％、30％和23％。
因此可以看出，在發(fā)光分區(qū)中采用蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物的混合物可進一步改善本發(fā)明器件的性能，尤其可提高器件的操作穩(wěn)定性。還可以看出，某些混合比比其它混合比進一步提高了器件的操作穩(wěn)定性。
各有機化合物的分子結構見之前的實施例。
制造器件時采用的是真空沉積法，基壓為5×10-6torr，由此將全部的有機層和陰極熱蒸發(fā)在涂有ITO的玻璃基底上，該基底用UV-臭氧清潔法事先清潔過。
驅(qū)動時采用的電流密度為31.25mA/cm2，該器件產(chǎn)生了強度為200cd/m2并且色純度相當于CIE圖(0.145，0.108)坐標的藍光發(fā)射。在這些條件下操作該器件時所需的驅(qū)動電壓為8.1V。在該電流密度下在氮氣氣氛中連續(xù)操作600h后，發(fā)射強度衰減僅為初始強度的約10％。
因此可以看出，在發(fā)光分區(qū)中采用蒽衍生物化合物與電荷傳輸材料的混合物，加之在電子傳輸分區(qū)中采用蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物，可以獲得具有純的藍光發(fā)射和優(yōu)異的操作穩(wěn)定性的有機發(fā)藍光器件。
從以上的實施例中可以得出結論，本發(fā)明的發(fā)藍光OLED更適合于潛在的工業(yè)應用，因為它們與其它的發(fā)藍光OLED相比能提供更優(yōu)的性能。
權利要求
1.器件，它包含陽極；陰極；和陰極和陽極之間的發(fā)光區(qū)域，其中該發(fā)光區(qū)域包含蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物。
2.器件，它包含陽極；陰極；和陰極和陽極之間的發(fā)光區(qū)域，其中該發(fā)光區(qū)域包含蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物，其中蒽衍生物化合物選自結構式I(A)(1)～I(A)(11)、結構式I(B)、結構式I(C)和結構式I(D) 其中取代基R1、R2、R3、R4、R5和R6各自獨立地選自氫、1～24個碳原子的烷基；1～9個碳原子的烷氧基；三苯基甲硅烷基；任選被取代的6～20個碳原子的芳基；任選被取代的5～24個碳原子的雜芳基；鹵素；以及氰基； 其中取代基R7、R8、R9和R10各自獨立地選自如下各組組1氫，或者1～24個碳原子的烷基；組2任選被取代的6～20個碳原子的芳基；組3構成萘基、蒽基、芘基或苝基的稠合芳香環(huán)所必需的碳原子；組4任選被取代的5～24個碳原子的雜芳基；組5呋喃基、噻吩基、吡啶基或喹啉基的稠合雜芳香環(huán)；組61～24個碳原子的烷氧基、氨基、烷氨基或芳氨基；和組7氟、氯、溴或氰基； 其中取代基R11、R12、R13和R14各自獨立地選自如下各組組1氫，或者1～24個碳原子的烷基；組2任選被取代6～20個碳原子的芳基；組3構成萘基、蒽基、芘基或苝基的稠合芳香環(huán)所必需的碳原子；組45～24個碳原子的任選被取代的雜芳基，構成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基的稠合雜芳香環(huán)所必需的碳原子；組51～24個碳原子的烷氧基、氨基、烷氨基或芳氨基；和組6氟、氯、溴或氰基； 其中R15和R16獨立地選自氫、1～約6個碳原子的烷基、約6～約30個碳原子的芳基；X和Y獨立地選自氫、1～約6個碳原子的烷基、約6～約30個碳原子的芳基、1～約6個碳原子的烷氧基、鹵素、氰基；并且三嗪衍生物化合物選自結構式II(A)、II(B)、II(C)和II(D) 其中Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自獨立地是6～約20個碳原子的芳基，該芳基任選被取代；R17～R18取代基獨立地選自氫、1～約6個碳原子的脂肪族基團、1～約6個碳原子的烷氧基、鹵素、氰基；而L是二價基團，選自-C(R′R″)-、亞乙基、-Si(R′R″)-、氧原子、硫原子，其中R′和R″各自獨立地是氫原子、含1～約10個碳原子的烷基以及含1～約10個碳原子的烷氧基。
3.權利要求2的器件，其中蒽衍生物化合物選自結構式I(A)(4)和結構式I(D)。
4.權利要求2的器件，其中三嗪衍生物化合物選自結構式II(B)。
5.權利要求2的器件，其中蒽衍生物化合物是 BH2。
6.權利要求1的器件，其中蒽衍生物化合物是 BH2。
全文摘要
公開了一種器件，它包含陽極；陰極；和陰極和陽極之間的發(fā)光區(qū)域，其中該發(fā)光區(qū)域包含蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物。
文檔編號H01L51/00GK1482691SQ03132888
公開日2004年3月17日 申請日期2003年7月25日 優(yōu)先權日2002年7月26日
發(fā)明者H·阿茲茲, H 阿茲茲, 波波維克, 胡南星, Z·D·波波維克, せ舳, A·-M·霍爾 申請人:施樂公司