本技術(shù)涉及集成電路板，特別是涉及一種電磁屏蔽封裝體。

背景技術(shù)：

1、在電子器件領(lǐng)域里，有很多對(duì)電磁干擾較為敏感的集成電路芯片，例如射頻芯片，尤其是高頻射頻芯片，在實(shí)際應(yīng)用中，這些芯片需做好電磁屏蔽，避免電磁波干擾，以確保電子裝置的正常運(yùn)作。相關(guān)技術(shù)中，封裝體采用電磁屏蔽膜屏蔽電磁波對(duì)芯片的干擾，而電磁屏蔽膜包括相互貼合的屏蔽層和絕緣層，屏蔽層中含有導(dǎo)電粒子，絕緣層位于屏蔽層靠近電子元件的一側(cè)，在使用時(shí)需要先將絕緣層對(duì)應(yīng)于電路板接地區(qū)的部分去掉，然后再將電磁屏蔽膜與電路板高溫壓合，在熱壓過(guò)程中通過(guò)導(dǎo)電粒子與電路板的接地區(qū)電連接，進(jìn)而將干擾電荷導(dǎo)入電路板的接地區(qū)，從而實(shí)現(xiàn)屏蔽。然而，此種結(jié)構(gòu)電磁屏蔽封裝體在加工時(shí)，由于電磁屏蔽膜在壓合于電路板上之前需要先去掉部分絕緣層，這導(dǎo)致，電磁屏蔽封裝體的加工工藝比較復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是：提出一種電磁屏蔽封裝體，其具有加工工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種電磁屏蔽封裝體，包括電路板、電子元件和電磁屏蔽膜，所述電子元件設(shè)置在所述電路板上，所述電路板具有接地區(qū)，所述接地區(qū)位于所述電子元件的外周；

3、其中，所述電磁屏蔽膜包括屏蔽層、絕緣層和導(dǎo)電粒子，所述屏蔽層與所述絕緣層相貼合，且所述絕緣層位于所述屏蔽層朝向所述電路板的一側(cè)，所述屏蔽層、所述絕緣層限定出屏蔽腔并形成圍繞所述屏蔽腔的連接圍邊，所述連接圍邊遮蓋所述接地區(qū)，所述導(dǎo)電粒子的平均粒徑為dμm，所述屏蔽層的厚度為d1μm，所述絕緣層的厚度為d2μm，d≥d1+d2，所述導(dǎo)電粒子設(shè)于所述屏蔽層中，且所述連接圍邊中，部分所述導(dǎo)電粒子穿過(guò)所述絕緣層與所述接地區(qū)連接，所述電子元件位于所述屏蔽腔中。

4、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述屏蔽層的材質(zhì)為高彈性熱塑性樹(shù)脂或高彈性熱固性樹(shù)脂。

5、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述導(dǎo)電粒子為銀粉或銀包銅粉。

6、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述屏蔽層中，所述導(dǎo)電粒子的含量大于10％wt。

7、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述導(dǎo)電粒子均布于所述屏蔽層中。

8、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述絕緣層為熱熔膠膜。

9、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述絕緣層的材質(zhì)為熱塑性樹(shù)脂。

10、本實(shí)用新型一個(gè)特定的實(shí)施例中，所述連接圍邊中，所述絕緣層延伸至所述屏蔽層之外。

11、本實(shí)用新型實(shí)施例一種電磁屏蔽封裝體，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：

12、本實(shí)用新型的電磁屏蔽封裝體，電磁屏蔽膜與電路板高溫壓合，而由于導(dǎo)電粒子的平均粒徑d、屏蔽層的厚度d1、絕緣層的厚度d2，三者滿足：d≥d1+d2，因此，電磁屏蔽膜與電路板高溫壓合時(shí)，熱壓裝置向電磁屏蔽膜背向電路板的側(cè)面施壓，導(dǎo)電粒子會(huì)刺破軟化后的絕緣層與接地區(qū)連接，基于此，接地區(qū)結(jié)合電磁屏蔽膜中的導(dǎo)電粒子網(wǎng)絡(luò)，最終形成完整的法拉第籠來(lái)實(shí)現(xiàn)屏蔽；而導(dǎo)電粒子是刺破絕緣層與接地區(qū)連接，因此，電磁屏蔽封裝體在加工時(shí)，電磁屏蔽膜在壓合于電路板上之前不需要經(jīng)過(guò)去掉部分絕緣層的工序，電磁屏蔽封裝體具有加工工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種電磁屏蔽封裝體，其特征在于，包括電路板(1)、電子元件(2)和電磁屏蔽膜(3)，所述電子元件(2)設(shè)置在所述電路板(1)上，所述電路板(1)具有接地區(qū)(11)，所述接地區(qū)(11)位于所述電子元件(2)的外周；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述屏蔽層(31)的材質(zhì)為高彈性熱塑性樹(shù)脂或高彈性熱固性樹(shù)脂。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述導(dǎo)電粒子(33)為銀粉或銀包銅粉。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述導(dǎo)電粒子(33)均布于所述屏蔽層(31)中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述絕緣層(32)為熱熔膠膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述絕緣層(32)的材質(zhì)為熱塑性樹(shù)脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽封裝體，其特征在于，所述連接圍邊(200)中，所述絕緣層(32)延伸至所述屏蔽層(31)之外。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及集成電路板技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種電磁屏蔽封裝體，包括電路板、電子元件和電磁屏蔽膜，電子元件設(shè)置在電路板上，電路板具有接地區(qū)，接地區(qū)位于電子元件的外周；電磁屏蔽膜包括屏蔽層、絕緣層和導(dǎo)電粒子，屏蔽層與絕緣層相貼合，且絕緣層位于屏蔽層朝向電路板的一側(cè)，屏蔽層、絕緣層限定出屏蔽腔并形成圍繞屏蔽腔的連接圍邊，連接圍邊遮蓋接地區(qū)，導(dǎo)電粒子的平均粒徑為Dμm，屏蔽層的厚度為d<subgt;1</subgt;μm，絕緣層的厚度為d<subgt;2</subgt;μm，D≥d<subgt;1</subgt;+d<subgt;2</subgt;，電磁屏蔽膜與電路板高溫壓合時(shí)，熱壓裝置向電磁屏蔽膜背向電路板的側(cè)面施壓，導(dǎo)電粒子會(huì)刺破軟化后的絕緣層與接地區(qū)連接，即，電磁屏蔽膜加工時(shí)不需要經(jīng)過(guò)去掉部分絕緣層的工序，工藝簡(jiǎn)單。

技術(shù)研發(fā)人員：陳木久,陳巧,劉晶云
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市卓漢材料技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240229
技術(shù)公布日：2025/5/8