本申請涉及半導體制作的，尤其是涉及一種基座。

背景技術：

1、在半導體工藝中，需要在半導體襯底上形成金屬薄膜及氧化膜，為了防止不純物的擴散等問題，在工藝中使用cvd裝置、氧化膜形成裝置及擴散裝置等裝置。其中有將多個半導體襯底豎直排列位于高溫加熱的立式爐里，通過注入反應氣體進行氧化反應的裝置。

2、該裝置包括保溫桶、石英舟、工藝管等，其中，保溫桶的下方通常設有基座（具體為石英基座），以用于對基座上方的保溫桶和下方的金屬件之間進行隔熱，減少上方在反應腔內(nèi)進行加熱時，熱傳遞到保溫桶上的熱傳導到下方的金屬件上的可能。

3、但是，在上方的保溫桶熱傳導到基座的上表面的溫度，和位于基座下表面的溫度不同，會使得基座產(chǎn)生較大的內(nèi)應力，使得基礎受內(nèi)應力的影響出現(xiàn)破裂或是破損的可能，影響基座的使用壽命，因此需要進一步改進。

技術實現(xiàn)思路

1、為了延長基座的使用壽命，本申請?zhí)峁┮环N基座。

2、本申請?zhí)峁┑囊环N基座，采用如下的技術方案：

3、一種基座，包括基座本體，所述基座本體的上表面繞自身軸線開設有環(huán)形凹槽，所述基座本體的上表面開設有連通于環(huán)形凹槽的定位卡槽。

4、通過采用上述技術方案，通過設置有環(huán)形凹槽，可對于通過保溫桶熱傳導到基座本體上的熱量所引起的內(nèi)應力，在環(huán)形凹槽形成的應力釋放單元內(nèi)進行釋放，減少由于內(nèi)應力拉伸，以使得基座本體靠近于保溫桶的表面出現(xiàn)破裂的可能，以延長該基座本體的使用壽命。由于在對半導體制作過程中，基座本體和保溫桶可能轉動，為減少保溫桶和基座之間出現(xiàn)相對滑移后影響后續(xù)對半導體襯底的加工效果，因此通過設置有定位卡槽，以使得保溫桶和基座同軸轉動，進而以對放置在保溫桶上的多個半導體襯底同軸轉動。

5、優(yōu)選的，所述定位卡槽內(nèi)底壁的高度高于所述環(huán)形凹槽內(nèi)底壁的高度。

6、通過采用上述技術方案，將定位卡槽內(nèi)底壁的高度高于環(huán)形凹槽內(nèi)底壁的高度，以減少放置于基座上的保溫桶和環(huán)形凹槽之間出現(xiàn)緊密貼合后，影響基座本體后續(xù)在溫度差情況下對產(chǎn)生的內(nèi)應力的釋放，間接延長基座本體的使用壽命。

7、優(yōu)選的，所述定位卡槽設置有若干個。

8、通過采用上述技術方案，通過設置有若干個定位卡槽，以提高對保溫桶的定位效果。

9、優(yōu)選的，所述基座本體的下表面沿其自身軸線開設有第一環(huán)形放置槽，所述基座本體設有卡嵌于第一環(huán)形放置槽的第一密封圈。

10、通過采用上述技術方案，通過設置有第一密封圈，以對基座本體和下方金屬件之間進行一定的隔熱效果，以減少基座本體和下方金屬件之間直接接觸時，受溫度差所產(chǎn)生的內(nèi)應力的可能，以減少基座本體受內(nèi)應力影響出現(xiàn)破裂的可能，進一步延長該基座本體的使用壽命。且可用于基座和下方金屬件之間的密封，減少上方加熱時的熱氣和輸入的工藝氣體流通到下方金屬件的可能。

11、優(yōu)選的，所述基座本體具體包括放置板以及與放置板下表面一體成型的連接環(huán)，所述環(huán)形凹槽設置于放置板的上表面，所述第一環(huán)形放置槽設置于連接環(huán)的下表面，所述連接環(huán)繞放置板的軸線設置，所述連接環(huán)的外徑小于放置板的直徑。

12、優(yōu)選的，所述放置板的上表面開設有抽氣孔，所述連接環(huán)的側壁開設有連通于抽氣孔的通孔。

13、通過采用上述技術方案，在對半導體進行加工的過程中，工藝裝置內(nèi)的反應腔需要進行抽真空設置時，此時需要外置的抽氣機構將反應腔內(nèi)的空氣進行抽氣，在連接環(huán)的側壁上設置有連通于抽氣孔的通孔，由于連接環(huán)的外徑小于放置板的直徑，以便為抽氣機構中提供避讓空間，接著通過通孔和抽氣孔以將反應腔的空氣進行抽取。

14、優(yōu)選的，所述基座本體由石英制成，所述通孔延伸至所述連接環(huán)的內(nèi)周壁，所述放置板的下表面沿其自身的軸線開設有第二環(huán)形放置槽，所述第二環(huán)形放置槽連通于所述通孔，所述放置板設有卡嵌于第二環(huán)形放置槽的第二密封圈。

15、通過采用上述技術方案，由于在加工通孔和抽氣孔時，通常為鉆孔設備進行加工，由于基座本體由石英材質(zhì)制成，較脆，由于連接環(huán)自身厚度有限，在加工通孔時，容易損壞連接環(huán)的內(nèi)周壁，且在后續(xù)進行抽真空時，會對未打通的通孔的內(nèi)壁施加一定的壓力，由于此時內(nèi)壁較薄，可能使得此時連接環(huán)的內(nèi)周壁受壓出現(xiàn)破損的可能，因此將通孔延伸至連接環(huán)的內(nèi)周壁上，并通過設置有第二密封圈，以對打通的通孔進行密封，在抽氣機構進行抽氣時，以對第二密封圈施加壓力，以加大對通孔的密封效果，減少位于基座本體下方的氣體流動到反應腔內(nèi)的可能。

16、優(yōu)選的，所述第一密封圈和所述第二密封圈均為聚四氟乙烯密封圈。

17、通過采用上述技術方案，由于聚四氟乙烯密封圈具有較高的化學穩(wěn)定性以及熱穩(wěn)定性，在受到反應腔內(nèi)的溫度加熱時，第一密封圈和第二密封圈受熱出現(xiàn)破損的可能，其次，就是其摩擦系數(shù)交底，在基座本體進行轉動時，可減少磨損，具有較高的耐磨性，使用壽命較長。

18、綜上所述，本實用新型具有以下有益效果：

19、1、通過設置有環(huán)形凹槽，可對于通過保溫桶熱傳導到基座本體上的熱量所引起的內(nèi)應力，在環(huán)形凹槽形成的應力釋放單元內(nèi)進行釋放，減少由于內(nèi)應力拉伸，以使得基座本體靠近于保溫桶的表面出現(xiàn)破裂的可能，以延長該基座本體的使用壽命。

20、2、通過設置有定位卡槽，以使得保溫桶和基座同軸轉動，進而以對放置在保溫桶上的多個半導體襯底同軸轉動。

技術特征：

1.一種基座，其特征在于：包括基座本體（1），所述基座本體（1）的上表面繞自身軸線開設有環(huán)形凹槽（2），所述基座本體（1）的上表面開設有連通于環(huán)形凹槽（2）的定位卡槽（3）。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基座，其特征在于：所述定位卡槽（3）內(nèi)底壁的高度高于所述環(huán)形凹槽（2）內(nèi)底壁的高度。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種基座，其特征在于：所述定位卡槽（3）設置有若干個。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種基座，其特征在于：所述基座本體（1）的下表面沿其自身軸線開設有第一環(huán)形放置槽（4），所述基座本體（1）設有卡嵌于第一環(huán)形放置槽（4）的第一密封圈（41）。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種基座，其特征在于：所述基座本體（1）具體包括放置板（11）以及與放置板（11）下表面一體成型的連接環(huán)（12），所述環(huán)形凹槽（2）設置于放置板（11）的上表面，所述第一環(huán)形放置槽（4）設置于連接環(huán)（12）的下表面，所述連接環(huán)（12）繞放置板（11）的軸線設置，所述連接環(huán)（12）的外徑小于放置板（11）的直徑。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種基座，其特征在于：所述放置板（11）的上表面開設有抽氣孔（7），所述連接環(huán)（12）的側壁開設有連通于抽氣孔（7）的通孔（5）。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種基座，其特征在于：所述基座本體（1）由石英制成，所述通孔（5）延伸至所述連接環(huán)（12）的內(nèi)周壁，所述放置板（11）的下表面沿其自身的軸線開設有第二環(huán)形放置槽（6），所述第二環(huán)形放置槽（6）連通于所述通孔（5），所述放置板（11）設有卡嵌于第二環(huán)形放置槽（6）的第二密封圈（61）。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種基座，其特征在于：所述第一密封圈（41）和所述第二密封圈（61）均為聚四氟乙烯密封圈。

技術總結
本申請涉及半導體制作的技術領域，提供了一種基座，其包括基座本體，所述基座本體的上表面繞自身軸線開設有環(huán)形凹槽，所述基座本體的上表面開設有連通于環(huán)形凹槽的定位卡槽。本申請通過設置的環(huán)形凹槽，對通過保溫桶熱傳導到基座本體上的熱量所引起的內(nèi)應力，在環(huán)形凹槽內(nèi)進行釋放，減少由于內(nèi)應力拉伸，以使得基座本體靠近于保溫桶的表面出現(xiàn)破裂的可能，以延長該基座本體的使用壽命；以及通過設置的定位卡槽，以使得保溫桶和基座同軸轉動，進而以對放置在保溫桶上的多個半導體襯底同軸轉動的有益效果。

技術研發(fā)人員：張忠恕,張娟,趙鶴,楊波,齊芷彬,高闖
受保護的技術使用者：北京凱芯新材料科技有限公司
技術研發(fā)日：20240327
技術公布日：2024/11/21