本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及其測試方法。

背景技術(shù)：

1、多晶硅電熔絲(poly?fuse)作為小密度嵌入式一次性可編程元件，廣泛應(yīng)用在集成電路中。電熔絲技術(shù)根據(jù)電遷移理論，通過電熔絲被電流的熔斷與否來存儲信息，多晶硅電熔絲在熔斷前電阻很小，在持續(xù)的大電流熔斷后電阻可視做無窮大，并且電熔絲斷裂的狀態(tài)將永久的保持。電熔絲技術(shù)已經(jīng)廣泛的用于冗余電路來改善芯片失效的問題或者晶片的編號，設(shè)備的基本碼等等，來取代小容量的一次可編程存儲器。

2、而對于電熔絲編程(fuse?programming)性能驗(yàn)證，通常在晶圓制造完成之后進(jìn)行晶圓測試(cp)，往往耗時(shí)較長且靈活性不夠。因此，如何優(yōu)化電熔絲測試方法，節(jié)約測試時(shí)間，是目前需要解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何優(yōu)化電熔絲測試方法、節(jié)約測試時(shí)間，提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及其測試方法。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的劃片道上，包括：晶體管，包括襯底、源極、漏極和柵極；電熔絲，包括第一端和第二端；其中，所述源極通過第一金屬線電連接至第一焊盤，所述電熔絲的第二端通過第二金屬線電連接至第二焊盤，所述漏極、所述襯底以及所述電熔絲的第一端分別通過相應(yīng)的第三金屬線電連接至第三焊盤，所述柵極通過第四金屬線電連接至第四焊盤，通過采用預(yù)設(shè)規(guī)則對所述第一焊盤、所述第二焊盤、所述第三焊盤、所述第四焊盤施加電壓能夠?qū)崿F(xiàn)測試所述電熔絲的電阻以及測試所述晶體管的性能。

3、為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體測試方法，包括如下步驟：提供一半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)采用本發(fā)明所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)；采用預(yù)設(shè)規(guī)則對所述第一焊盤、所述第二焊盤、所述第三焊盤、所述第四焊盤施加電壓以測試所述電熔絲的電阻以及測試所述晶體管的性能。

4、上述技術(shù)方案通過將半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的劃片道上，并將電熔絲和晶體管分別連接至焊盤，可以在晶圓制造過程中實(shí)現(xiàn)線內(nèi)同時(shí)監(jiān)控電熔絲的電阻和晶體管的性能，快速調(diào)整工藝，提高工藝的靈活性。通過設(shè)置多個(gè)焊盤將燒寫電路拆分，將所述電熔絲與所述晶體管分開，便于控制變量，分結(jié)構(gòu)單獨(dú)測試各個(gè)元件的性能，提高測試的靈活性和精準(zhǔn)性。半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)將漏極、襯底以及電熔絲的第一端短接至同一焊盤，減少所述半導(dǎo)體測試中的焊盤數(shù)量，優(yōu)化所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的電路布局，進(jìn)而降低所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的面積，節(jié)約晶圓空間。

5、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的劃片道上，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)規(guī)則包括：在編程前，在所述第二焊盤以及所述第三焊盤施加測試電壓以測試所述電熔絲的電阻，以及在所述第一焊盤、所述第三焊盤以及所述第四焊盤施加測試電壓以測試所述晶體管的性能；和/或

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電熔絲在編程后達(dá)到預(yù)定的電阻狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬線、所述第二金屬線、所述第三金屬線以及所述第四金屬線由同一金屬層圖形化形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電熔絲的材料為多晶硅。

6.一種半導(dǎo)體測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述采用預(yù)設(shè)規(guī)則包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述電熔絲在編程后達(dá)到預(yù)定的電阻狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶體管的性能為所述晶體管的閾值電壓或飽和電流。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及其測試方法。半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)設(shè)置于晶圓的劃片道上，包括：晶體管，包括襯底、源極、漏極和柵極；電熔絲，包括第一端和第二端；其中，源極通過第一金屬線電連接至第一焊盤，電熔絲的第二端通過第二金屬線電連接至第二焊盤，漏極、襯底以及電熔絲的第一端分別通過相應(yīng)的第三金屬線電連接至第三焊盤，柵極通過第四金屬線電連接至第四焊盤，通過采用預(yù)設(shè)規(guī)則對第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤施加電壓以測試電熔絲的電阻以及測試晶體管的性能。上述技術(shù)方案可以在晶圓制造過程中實(shí)現(xiàn)線內(nèi)同時(shí)監(jiān)控電熔絲的電阻和晶體管的性能，快速調(diào)整工藝，提高工藝的靈活性。

技術(shù)研發(fā)人員：郭麗娜,劉翔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海積塔半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8