本發(fā)明屬于存儲(chǔ)類芯片，尤其涉及一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式。

背景技術(shù)：

1、在當(dāng)前存儲(chǔ)類芯片的封裝與加工領(lǐng)域，隨著電子產(chǎn)品不斷向小型化、高性能化發(fā)展，對(duì)于芯片封裝及組裝工藝的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。傳統(tǒng)的芯片加工方式往往局限于單一的封裝結(jié)構(gòu)和工藝流程，難以滿足多樣化的市場(chǎng)需求。例如，在芯片貼裝環(huán)節(jié)，不同形狀和規(guī)格的芯片原料(如條狀、單顆狀等)缺乏統(tǒng)一且高效的聯(lián)動(dòng)處理模式，使得生產(chǎn)效率受限，并且容易在各工序銜接過(guò)程中產(chǎn)生質(zhì)量波動(dòng)，像進(jìn)料質(zhì)量把控不精準(zhǔn)可能導(dǎo)致后續(xù)封裝出現(xiàn)缺陷，焊接、清潔、填充等步驟若不能協(xié)同優(yōu)化，不僅會(huì)增加生產(chǎn)成本，還會(huì)影響芯片的最終性能與可靠性，無(wú)法適應(yīng)快速迭代的電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述情況，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片貼裝，極大拓展了芯片封裝的應(yīng)用場(chǎng)景。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用了如下技術(shù)方案：本發(fā)明提供了一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，包括以下步驟：

3、準(zhǔn)備unit1條狀基板和unit2單顆基板；

4、對(duì)unit1條狀基板和unit2單顆基板進(jìn)行表面貼片作業(yè)；

5、對(duì)unit1條狀基板和unit2單顆基板表面進(jìn)行植球；

6、對(duì)unit1條狀基板進(jìn)行切單顆作業(yè)；

7、將切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2單顆基板進(jìn)行貼裝焊接；

8、將貼裝焊接完成的產(chǎn)品進(jìn)行切單作業(yè)，形成單個(gè)封裝體。

9、進(jìn)一步地，在執(zhí)行表面貼片作業(yè)后，采用underfill膠填充芯片底部，以增強(qiáng)芯片與基板間的機(jī)械連接強(qiáng)度。

10、進(jìn)一步地，在進(jìn)行植球工藝時(shí)，在unit1條狀基板底部進(jìn)行植球，在unit2單顆基板頂部進(jìn)行植球。

11、進(jìn)一步地，在切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2單顆基板進(jìn)行貼裝焊接后，于unit2單顆基板底部進(jìn)行植球。

12、本發(fā)明還提供了另外一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，包括以下步驟：

13、準(zhǔn)備unit1條狀基板和unit2條狀基板；

14、對(duì)unit1條狀基板和unit2條狀基板進(jìn)行表面貼片作業(yè)；

15、對(duì)unit1條狀基板和unit2條狀基板表面進(jìn)行植球；

16、對(duì)unit1條狀基板進(jìn)行切單顆作業(yè)；

17、將切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2條狀基板進(jìn)行貼裝焊接；

18、將貼裝焊接完成的產(chǎn)品進(jìn)行切單作業(yè)，形成單個(gè)封裝體。

19、進(jìn)一步地，在進(jìn)行植球工藝時(shí)，在unit2條狀基板頂部進(jìn)行植球。

20、進(jìn)一步地，切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2條狀基板進(jìn)行貼裝焊接后，于unit2條狀基板底部進(jìn)行植球。

21、本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明所提供的兩種pop疊層結(jié)構(gòu)封裝，創(chuàng)新性地采用條狀堆疊和單顆堆疊相結(jié)合的模式，打破了傳統(tǒng)單一封裝結(jié)構(gòu)的局限，能夠依據(jù)不同產(chǎn)品需求，快速切換并實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片貼裝，極大拓展了芯片封裝的應(yīng)用場(chǎng)景。

技術(shù)特征：

1.一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：包括以下步驟：

2.一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：包括以下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：在執(zhí)行表面貼片作業(yè)后，采用underfill膠填充芯片底部，以增強(qiáng)芯片與基板間的機(jī)械連接強(qiáng)度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：在進(jìn)行植球工藝時(shí)，在unit1條狀基板底部進(jìn)行植球，在unit2單顆基板頂部進(jìn)行植球。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：在切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2單顆基板進(jìn)行貼裝焊接后，于unit2單顆基板底部進(jìn)行植球。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：在進(jìn)行植球工藝時(shí)，在unit2條狀基板頂部進(jìn)行植球。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型的pop疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于：在切割成單顆后的unit1條狀基板和unit2條狀基板進(jìn)行貼裝焊接后，于unit2條狀基板底部進(jìn)行植球。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種新型的POP疊層結(jié)構(gòu)封裝實(shí)現(xiàn)方式，屬于存儲(chǔ)類芯片技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所提供的兩種POP疊層結(jié)構(gòu)封裝，創(chuàng)新性地采用條狀堆疊和單顆堆疊相結(jié)合的模式，打破了傳統(tǒng)單一封裝結(jié)構(gòu)的局限，能夠依據(jù)不同產(chǎn)品需求，快速切換并實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片貼裝，極大拓展了芯片封裝的應(yīng)用場(chǎng)景。

技術(shù)研發(fā)人員：曹若培
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日榮半導(dǎo)體（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8