本公開總體上涉及半導(dǎo)體封裝，更具體地，涉及一種包括層疊在其中的多個芯片的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、電子產(chǎn)品需要在物理尺寸不斷變小時處理大量的數(shù)據(jù)。因此，有必要增加這些電子產(chǎn)品中使用的半導(dǎo)體裝置的集成度。

2、然而，由于半導(dǎo)體集成技術(shù)的限制，無法僅通過單個半導(dǎo)體芯片滿足所需功能。因此，需要制造具有嵌入在其中的多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。

3、盡管半導(dǎo)體封裝包括多個半導(dǎo)體芯片，但是基于要安裝半導(dǎo)體封裝的電子產(chǎn)品的要求，半導(dǎo)體封裝需要具有指定的尺寸或比指定的尺寸小的尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在實(shí)施方式中，一種半導(dǎo)體封裝可包括：芯片層疊物，其包括在垂直方向上層疊的多個半導(dǎo)體芯片；多個垂直互連器，各個垂直互連器具有分別連接到所述多個半導(dǎo)體芯片的第一端，并且在所述垂直方向上延伸；模制層，其覆蓋芯片層疊物和垂直互連器，同時暴露垂直互連器的第二端；多個著陸焊盤，其形成在模制層的一個表面上方以分別與垂直互連器的第二端接觸，其中，多個著陸焊盤是導(dǎo)電的并且分別與垂直互連器的第一端交疊；以及封裝再分布層，其通過著陸焊盤電連接到垂直互連器。

2、在另一實(shí)施方式中，一種制造半導(dǎo)體封裝的方法可包括以下步驟：在基板上在垂直方向上層疊多個半導(dǎo)體芯片以形成芯片層疊物；形成在垂直方向上延伸的多個垂直互連器，多個垂直互連器的第一端分別連接到所述多個半導(dǎo)體芯片；形成模制層以覆蓋芯片層疊物和垂直互連器，同時暴露垂直互連器的第二端；在模制層上方形成多個著陸焊盤以分別與垂直互連器的第二端接觸，其中，多個著陸焊盤是導(dǎo)電的并且分別與垂直互連器的第一端交疊；以及形成通過著陸焊盤電連接到垂直互連器的封裝再分布層。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述垂直互連器中的每一個包括接合引線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述著陸焊盤中的每一個的中心與所述垂直互連器的所述下端中的每一個的中心重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述垂直互連器的一些所述上端的中心不與所述著陸焊盤的中心或所述垂直互連器的所述下端的中心重合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述封裝再分布層包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述多個半導(dǎo)體芯片中的每一個還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述半導(dǎo)體芯片在對角方向上偏移層疊，以暴露靠近所述第一邊緣的所述第一一側(cè)芯片焊盤，覆蓋靠近所述第二邊緣的所述第一另一側(cè)芯片焊盤，并且暴露靠近所述第三邊緣的所述焊盤。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述最上半導(dǎo)體芯片還包括位于所述最上半導(dǎo)體芯片上的最上再分布焊盤，并且

10.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

18.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體封裝。一種半導(dǎo)體封裝可包括：芯片層疊物，其包括在垂直方向上層疊的多個半導(dǎo)體芯片；多個垂直互連器，各個垂直互連器具有分別連接到所述多個半導(dǎo)體芯片的第一端，并且在所述垂直方向上延伸；模制層，其覆蓋芯片層疊物和垂直互連器，同時暴露垂直互連器的第二端；多個著陸焊盤，其形成在模制層的一個表面上方以分別與垂直互連器的第二端接觸，其中，多個著陸焊盤是導(dǎo)電的并且分別與垂直互連器的第一端交疊；以及封裝再分布層，其通過著陸焊盤電連接到垂直互連器。

技術(shù)研發(fā)人員：李采城,金鐘薰,崔?？?成基俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8