高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及空氣凈化領(lǐng)域和醫(yī)療保健領(lǐng)域，尤其是涉及一種高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)射器的驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的負(fù)氧離子產(chǎn)生技術(shù)和裝置產(chǎn)生的負(fù)氧離子的能量低、濃度低、數(shù)量少。不易被人體吸收，不符合醫(yī)學(xué)要求的高能量、高濃度、小粒徑、余弦傳播型，且大都有負(fù)面污染物伴隨產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明需要提供一種高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的驅(qū)動(dòng)電路，包括余弦載波發(fā)生器及負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器。所述余弦載波發(fā)生器用于產(chǎn)生余弦波。所述負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器與所述余弦載波發(fā)生器連接，用于形成按余弦波變化的負(fù)高壓，所述高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器包括發(fā)射器，所述負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器與所述發(fā)射器連接以使所述發(fā)射器電暈放電形成按所述余弦波運(yùn)動(dòng)規(guī)律變化的負(fù)氧離子。
[0005]本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的驅(qū)動(dòng)電路中，由于包括余弦載波發(fā)生器及與所述余弦載波發(fā)生器連接的負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器，使得與所述負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器連接的所述發(fā)射器電暈放電形成按所述余弦波運(yùn)動(dòng)規(guī)律變化的負(fù)氧離子，產(chǎn)生的負(fù)氧離子能量高，且更利于人體吸收。
[0006]在一些實(shí)施方式中，所述余弦載波發(fā)生器加載有人體生理生命余弦波。
[0007]在一些實(shí)施方式中，所述人體生理生命余弦波的波動(dòng)頻率為60-80次/min的整數(shù)倍。
[0008]在一些實(shí)施方式中，所述負(fù)高壓加速電場(chǎng)發(fā)生器與虛地電荷平衡網(wǎng)絡(luò)連接以將地球作為正極從而使得所述負(fù)氧離子從所述發(fā)射器的發(fā)射端向地球輻射。
[0009]在一些實(shí)施方式中，所述驅(qū)動(dòng)電路連接有電源輸入單元，所述驅(qū)動(dòng)電路與所述電源輸入單元之間連接有保護(hù)電路以防止所述驅(qū)動(dòng)電路過流、過壓。
[0010]在一些實(shí)施方式中，所述驅(qū)動(dòng)電路連接有操控電路，所述操控電路用于根據(jù)用戶輸入控制所述驅(qū)動(dòng)電路。
[0011]在一些實(shí)施方式中，所述高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器設(shè)有人機(jī)交互界面，所述人機(jī)交互界面與操控電路連接以實(shí)現(xiàn)人為調(diào)控所述人體生理生命余弦波的波動(dòng)頻率。
[0012]在一些實(shí)施方式中，所述負(fù)高壓的電壓值在-0.6?-2.5萬伏之間。
[0013]在一些實(shí)施方式中，用于保健康復(fù)和疾病治療時(shí)所述負(fù)高壓的電壓值在-1.5?-2萬伏之間。
[0014]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說明】
[0015]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的立體示意圖。
[0017]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的分解示意圖。
[0018]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的另一個(gè)分解示意圖。
[0019]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的功能模塊示意圖。
[0020]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的風(fēng)道的立體示意圖。
[0021]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的發(fā)射器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的發(fā)射針組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的發(fā)射針的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的針架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器的電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0027]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)所述特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0028]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接?？梢允菣C(jī)械連接，也可以是電連接。可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0029]在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。
[0031]請(qǐng)參閱圖1至圖4，本發(fā)明實(shí)施方式的高能負(fù)氧離子粒子流發(fā)生器10，包括外殼12及收容于外殼12內(nèi)的空氣處理器14、發(fā)射器16、驅(qū)動(dòng)電路18、保護(hù)電路20及操控電路22。
[0032]本實(shí)施方式中，外殼12基本矩形，并包括底板121、與底板121平行設(shè)置的頂板123及自底板121的邊緣向上延伸且連接底板121及頂板123的前側(cè)板125、后側(cè)板127、左側(cè)板129、及右側(cè)板12a。如此，底板121、頂板123、前側(cè)板125、后側(cè)板127、左側(cè)板129及右側(cè)板12a圍合構(gòu)成收容空間12b。空氣處理器14、發(fā)射器16、驅(qū)動(dòng)電路18、保護(hù)電路20及操控電路22收容于收容空間12b內(nèi)，其中，驅(qū)動(dòng)電路18、保護(hù)電路20及操控電路22可以形成于一個(gè)電路板或多個(gè)電路板上。
[0033]外殼12形成有進(jìn)風(fēng)口 120及出風(fēng)口 122。本實(shí)施方式中，進(jìn)風(fēng)口 120形成于左側(cè)板129及右側(cè)板12a上。具體的，進(jìn)風(fēng)口 120包括形成于左側(cè)板129上且靠近前側(cè)板125及后側(cè)板127的長(zhǎng)條