一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子裝置，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，以及圍繞所述集成電路的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層；在所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的上方形成具有開(kāi)口的第一鈍化層，所述開(kāi)口暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層；形成填充所述開(kāi)口并覆蓋部分所述第一鈍化層表面的保護(hù)金屬層；在所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層暴露的表面上形成第二鈍化層；在所述第二鈍化層內(nèi)形成若干孔洞；采用有機(jī)化合物填充所述孔洞。根據(jù)本發(fā)明的方法，有效釋放金屬焊線(xiàn)對(duì)第二鈍化層的額外應(yīng)力作用，不會(huì)產(chǎn)生金屬焊線(xiàn)與保護(hù)金屬層橋接短路的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件的保護(hù)環(huán)主要用來(lái)保護(hù)芯片切割時(shí)不受損壞，阻止切割時(shí)因刀片產(chǎn)生的裂痕損壞到芯片。一般是將接觸孔/通孔/金屬層相疊形成的一個(gè)金屬屏蔽環(huán)，它與核心芯片有一定的間距，與硅片的切割道也有一定的距離，所述的間距和距離按工藝，器件不同會(huì)有所不同。所述保護(hù)環(huán)一般可以接地，例如在使用P型基片的情況下，與P+接在一起，接到芯片的地。保護(hù)環(huán)除了在切割時(shí)起到保護(hù)作用外，也能起到其他作用，例如屏蔽芯片外的干擾；可以防止潮氣從側(cè)面端口侵入等；而將外部產(chǎn)生的任何電荷的影響就近接地，可以使外部對(duì)芯片本體的沖擊降到最小。并且，如圖1所示，作為保護(hù)半導(dǎo)體器件的表面使之免受外界氣氛影響，往往還可以在保護(hù)環(huán)的頂部金屬層101上形成具有開(kāi)口的鈍化膜102，以及填充所述開(kāi)口并覆蓋鈍化膜102的金屬鋁層103。
[0003]目前，在各種芯片封裝制程中，打線(xiàn)接合(wirebonding)是最早亦為目前應(yīng)用最廣的技術(shù)，此技術(shù)首先將芯片固定于導(dǎo)線(xiàn)架上，再以細(xì)金屬線(xiàn)將芯片上的電路和導(dǎo)線(xiàn)架上的引腳相連接。由于打線(xiàn)線(xiàn)后所形成的焊線(xiàn)下垂，使得焊線(xiàn)與線(xiàn)路基板上的保護(hù)環(huán)的金屬鋁層相接觸，而造成橋接短路的問(wèn)題，如圖2所示，這將影響到制程良率和器件的可靠性。
[0004]現(xiàn)有的避免焊線(xiàn)與保護(hù)環(huán)的金屬鋁層相接觸的方法主要是在保護(hù)環(huán)的金屬鋁層的上方形成氧化物鈍化層，然而由于打線(xiàn)接合工藝施加熱和機(jī)械應(yīng)力，故打線(xiàn)后的焊線(xiàn)(wire)與鈍化層相接觸，在應(yīng)力的作用下很容易導(dǎo)致鈍化層的碎裂，進(jìn)而焊線(xiàn)與鈍化層下方的保護(hù)環(huán)的金屬鋁層電連接，造成橋接短路的問(wèn)題，如圖3所示。
[0005]因此，有必要提出一種新的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括:
[0008]提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，以及圍繞所述集成電路的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層；
[0009]在所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的上方形成具有開(kāi)口的第一鈍化層，所述開(kāi)口暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層；
[0010]形成填充所述開(kāi)口并覆蓋部分所述第一鈍化層表面的保護(hù)金屬層；
[0011]在所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層暴露的表面上形成第二鈍化層；
[0012]在所述第二鈍化層內(nèi)形成若干孔洞；
[0013]采用有機(jī)化合物填充所述孔洞。
[0014]進(jìn)一步，所述孔洞貫穿所述第二鈍化層。
[0015]進(jìn)一步，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。
[0016]進(jìn)一步，所述保護(hù)金屬層的材料為金屬鋁。
[0017]進(jìn)一步，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的材料為氧化物或氮化物。
[0018]進(jìn)一步，所述氧化物為T(mén)EOS氧化娃。
[0019]進(jìn)一步，所述氮化物的材料為氮化硅。
[0020]進(jìn)一步，采用有機(jī)化合物填充所述孔洞后，還包括進(jìn)行打線(xiàn)接合的步驟。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例二提供一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0022]半導(dǎo)體襯底；
[0023]集成電路；
[0024]保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述集成電路，包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層；
[0025]第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層，并且具有暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層的開(kāi)口；
[0026]保護(hù)金屬層，所述保護(hù)金屬層填充所述開(kāi)口，并覆蓋部分所述第一鈍化層的表面；
[0027]第二鈍化層，位于所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層的上方，其中，在所述第二鈍化層內(nèi)形成有若干孔洞，在所述孔洞中填充有有機(jī)化合物。
[0028]進(jìn)一步，所述孔洞貫穿所述第二鈍化層。
[0029]進(jìn)一步，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例三提供一種電子裝置，包括前述的半導(dǎo)體器件。
[0031]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制作方法，在保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)上的保護(hù)金屬層上形成第二鈍化層，在第二鈍化層中插入若干填充有光阻的孔洞結(jié)構(gòu)，可以在打線(xiàn)接合過(guò)程中，有效釋放金屬焊線(xiàn)對(duì)第二鈍化層的額外應(yīng)力作用，避免第二鈍化層的碎裂，進(jìn)而不會(huì)產(chǎn)生金屬焊線(xiàn)與保護(hù)金屬層橋接短路的問(wèn)題，從而提高器件的良率和可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0032]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0033]附圖中:
[0034]圖1示出了現(xiàn)有的一種保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0035]圖2示出了現(xiàn)有的焊線(xiàn)與保護(hù)環(huán)的金屬層橋接短路的掃描電鏡圖；
[0036]圖3示出了現(xiàn)有的一種打線(xiàn)接合后保護(hù)環(huán)的鈍化層碎裂的剖面示意圖；
[0037]圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法形成的器件的剖面示意圖；
[0038]圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法形成的器件的局部俯視圖；
[0039]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法依次實(shí)施步驟的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0041]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0042]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在…上”、“與…相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接至IJ”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0043]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0044]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0045]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)及步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0046]實(shí)施例一
[0047]下面將參照?qǐng)D4A-4B及圖5對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法做詳細(xì)描述。
[0048]首先，執(zhí)行步驟501，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，以及圍繞所述集成電路的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層；
[0049]參考圖4A，半導(dǎo)體襯底(未示出)可以是以下所提到的材料中的至少一種:娃、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0050]集成電路(未示出)被設(shè)置在有源區(qū)內(nèi)。機(jī)械應(yīng)力、電應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力可能損害集成電路的元件(例如，晶體管、電阻器、電容器以及諸如此類(lèi))。例如，將硅晶片切割成具有完整集成電路結(jié)構(gòu)的芯片的切割工藝常常導(dǎo)致集成電路器件的分層、破裂或碎裂。
[0051]半導(dǎo)體襯底上還形成有保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)。保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞著有源區(qū)予以提供保護(hù)，也即圍繞集成電路。保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在切割道和有源區(qū)域之間，將有源區(qū)域與切割工藝和外部環(huán)境相關(guān)的應(yīng)力隔絕。保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)可以是任意形狀。例如，保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)可以是正方形、矩形、圓角矩形、橢圓形、圓形或多邊形。本實(shí)施例中，保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)時(shí)多邊形，如圖4B所示。在另一個(gè)實(shí)施方式中，如圖4A所示，半導(dǎo)體器件可以包括兩個(gè)保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)(例如，內(nèi)保護(hù)環(huán)40a和外保護(hù)環(huán)40b)或多個(gè)保護(hù)環(huán)(例如，三個(gè)、四個(gè)或更多)。
[0052]所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層。相鄰金屬層通過(guò)一個(gè)或多個(gè)通孔互連。在本發(fā)明實(shí)施方式中，保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括兩層或多層金屬層(例如5層、7層或更多層)。圖4A示出了一個(gè)7層金屬層結(jié)構(gòu)的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)。所述金屬層的材料可以選自銅、鋁、鎢、鈦、鉭中的一種或幾種。
[0053]金屬層之間還形成有層間介電層，層間介電層較佳地由低介電常數(shù)介電材料所形成，例如氟娃玻璃(FSG)、氧化娃(silicon oxide)、含碳材料(carbon-containingmaterial)、孔洞性材料(porous-likematerial)或相似物。
[0054]接著，執(zhí)行步驟502，在所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的上方形成具有開(kāi)口的第一鈍化層，所述開(kāi)口暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層。
[0055]參考圖4A，在所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)40a的上方形成具有開(kāi)口的第一鈍化層402，所述開(kāi)口暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)40a的頂部金屬層401。所述第一鈍化層402的材料為氧化物或氮化物?？蛇x用化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法形成所述氧化物層。本實(shí)施例中，較佳地，所述氧化物為T(mén)EOS氧化硅。可選地，所述氮化物為氮化硅。可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何沉積方法形成所述氮化物，例如，等離子化學(xué)氣相沉積法等?？蛇x地，所述第一鈍化層402的厚度為300?1500nm。
[0056]接著，執(zhí)行步驟503，形成填充所述開(kāi)口并覆蓋部分所述第一鈍化層表面的保護(hù)金屬層。
[0057]參考圖4A，形成填充所述開(kāi)口并覆蓋部分所述第一鈍化層402表面的保護(hù)金屬層403。
[0058]在一個(gè)示例中，保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括內(nèi)保護(hù)環(huán)40a和外保護(hù)環(huán)40b，其中，內(nèi)保護(hù)環(huán)40a靠近集成電路，外保護(hù)環(huán)40b在內(nèi)保護(hù)環(huán)40a的外側(cè)，所述第一鈍化層402的開(kāi)口暴露內(nèi)保護(hù)環(huán)40a的部分頂部金屬層401，形成的保護(hù)層403填充所述開(kāi)口并覆蓋位于內(nèi)保護(hù)環(huán)40a上的第一鈍化層402的表面即可。
[0059]較佳地，所述保護(hù)金屬層的材料為金屬鋁，但并不局限于上述材料，還可采用任何適用的其他金屬材料，如鎢、金等?？赏ㄟ^(guò)低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)、電化學(xué)鍍或其它先進(jìn)的沉積技術(shù)形成所述保護(hù)金屬層。
[0060]接著，執(zhí)行步驟504，在所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層暴露的表面上形成第二鈍化層。
[0061]繼續(xù)參考圖4A，在所述保護(hù)金屬層403和所述第一鈍化層402暴露的表面上形成第二鈍化層404。
[0062]可選地，所述第二鈍化層可以采用與第一鈍化層相同的材料，也可以為不同的材料。所述第二鈍化層404的材料為氧化物或氮化物。本實(shí)施例中，較佳地，所述氧化物為T(mén)EOS氧化硅。可選地，所述氮化物為氮化硅?？刹捎帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何沉積方法形成所述第二鈍化層，例如等離子化學(xué)氣相沉積、磁控濺射、原子層沉積等。
[0063]接著，執(zhí)行步驟505，在所述第二鈍化層內(nèi)形成若干孔洞，采用有機(jī)化合物填充所述孔洞。
[0064]參考圖4A，在所述第二鈍化層404上形成若干孔洞。形成所述孔洞的方法包括:在所述第二鈍化層404上形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層定義孔洞的圖案，以所述光刻膠層為掩膜對(duì)第二鈍化層進(jìn)行刻蝕，所述刻蝕深度可根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整，較佳地，刻蝕貫穿整個(gè)第二鈍化層，直到暴露所述保護(hù)金屬層403。
[0065]所述孔洞405的數(shù)量和直徑可根據(jù)具體實(shí)際工藝進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷暮驼{(diào)整，在此不作具體限制。
[0066]采用有機(jī)化合物填充所述孔洞。較佳地，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。具體地，在所述第二鈍化層上形成光阻，去除孔洞外的多余光阻，剩余填充所述孔洞的光阻，最終形成孔洞結(jié)構(gòu)405。
[0067]參考圖4B，示出了最終形成的孔洞結(jié)構(gòu)405的俯視圖，由圖可以看出，多個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)分布于第二鈍化層中，盡管圖中示出的孔洞結(jié)構(gòu)的橫截面為圓形，但是本發(fā)明并不僅限于圓形結(jié)構(gòu)，還可以為其它適宜的形狀，例如，正方形、矩形、多邊形、橢圓形等。
[0068]最后，執(zhí)行步驟506，進(jìn)行打線(xiàn)接合?？刹捎帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法進(jìn)行所述打線(xiàn)接合步驟，由于前述步驟中，第二鈍化層中孔洞結(jié)構(gòu)405的形成，可以在打線(xiàn)接合過(guò)程中，釋放金屬焊線(xiàn)對(duì)第二鈍化層的額外應(yīng)力作用，避免第二鈍化層的碎裂。
[0069]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制作方法，在保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)上的保護(hù)金屬層上形成第二鈍化層，在第二鈍化層中插入若干填充有光阻的孔洞結(jié)構(gòu)，可以在打線(xiàn)接合過(guò)程中，有效釋放金屬焊線(xiàn)對(duì)第二鈍化層的額外應(yīng)力作用，避免第二鈍化層的碎裂，進(jìn)而不會(huì)產(chǎn)生金屬焊線(xiàn)與保護(hù)金屬層橋接短路的問(wèn)題，從而提高器件的良率和可靠性。
[0070]實(shí)施例二
[0071]本發(fā)明還提供一種采用實(shí)施例一中所述的方法制作的半導(dǎo)體器件，包括:
[0072]半導(dǎo)體襯底；半導(dǎo)體襯底(未示出)可以是以下所提到的材料中的至少一種:娃、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0073]集成電路；集成電路(未示出)被設(shè)置在有源區(qū)內(nèi)。機(jī)械應(yīng)力、電應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力可能損害集成電路的元件(例如，晶體管、電阻器、電容器以及諸如此類(lèi))。例如，將硅晶片切割成具有完整集成電路結(jié)構(gòu)的芯片的切割工藝常常導(dǎo)致集成電路器件的分層、破裂或碎
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[0074]保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述集成電路，包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層。
[0075]第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層，并且具有暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層的開(kāi)口；
[0076]保護(hù)金屬層，所述保護(hù)金屬層填充所述開(kāi)口，并覆蓋部分所述第一鈍化層的表面；
[0077]第二鈍化層，位于所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層的上方，其中，在所述第二鈍化層內(nèi)形成有若干孔洞，在所述孔洞中填充有有機(jī)化合物。較佳地，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。進(jìn)一步，所述孔洞貫穿所述第二鈍化層。
[0078]進(jìn)一步，還包括金屬焊線(xiàn)位于所述第二鈍化層的上方。
[0079]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，由于在第二鈍化層中插入填充有光阻的孔洞結(jié)構(gòu)，金屬焊線(xiàn)與第二鈍化層間的應(yīng)力會(huì)得到釋放，進(jìn)而第二鈍化層不會(huì)產(chǎn)生碎裂，避免金屬焊線(xiàn)與鈍化層下方保護(hù)金屬層之間出現(xiàn)橋接問(wèn)題，因此，器件具有良好的可靠性。
[0080]實(shí)施例三
[0081]本發(fā)明另外還提供一種電子裝置，其包括前述的半導(dǎo)體器件。
[0082]由于包括的半導(dǎo)體器件具有更高的性能，該電子裝置同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。
[0083]該電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、VCD,DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可以是具有上述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品，例如:具有該集成電路的手機(jī)主板等。
[0084]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以?xún)?nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，以及圍繞所述集成電路的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層； 在所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的上方形成具有開(kāi)口的第一鈍化層，所述開(kāi)口暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層； 形成填充所述開(kāi)口并覆蓋部分所述第一鈍化層表面的保護(hù)金屬層； 在所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層暴露的表面上形成第二鈍化層； 在所述第二鈍化層內(nèi)形成若干孔洞； 采用有機(jī)化合物填充所述孔洞。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述孔洞貫穿所述第二鈍化層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)金屬層的材料為金屬鋁。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的材料為氧化物或氮化物。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物為T(mén)EOS氧化硅。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氮化物的材料為氮化硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用有機(jī)化合物填充所述孔洞后，還包括進(jìn)行打線(xiàn)接合的步驟。9.一種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 集成電路； 保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述集成電路，包括層疊的若干金屬層和通孔，在相鄰金屬層之間還形成有層間介電層； 第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層，并且具有暴露部分所述保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的頂部金屬層的開(kāi)口； 保護(hù)金屬層，所述保護(hù)金屬層填充所述開(kāi)口，并覆蓋部分所述第一鈍化層的表面； 第二鈍化層，位于所述保護(hù)金屬層和所述第一鈍化層的上方，其中，在所述第二鈍化層內(nèi)形成有若干孔洞，在所述孔洞中填充有有機(jī)化合物。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述孔洞貫穿所述第二鈍化層。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有機(jī)化合物為有機(jī)光阻。12.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9-11之一所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L23/58GK105845665SQ201510024420
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日
【發(fā)明人】宋春
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司