具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，該結(jié)構(gòu)包括：鍵合襯底；P焊盤，鍵合于所述鍵合襯底；具有傾斜側(cè)壁的倒金字塔型發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，結(jié)合于所述P焊盤上，包括依次層疊的P?GaN層、量子阱層及N?GaN層，所述N?GaN層表面形成有粗化結(jié)構(gòu)；以及N焊盤，形成于所述N?GaN層表面。本發(fā)明主要利用金屬自平坦化晶片鍵合、激光剝離技術(shù)及ICP干法刻蝕技術(shù)制備的具有倒金字塔型側(cè)壁的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，側(cè)壁做成倒金字塔型可有效地減少器件與空氣界面處的全反射，使更多的光以更短的距離傳輸出去，此種垂直芯片側(cè)壁結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，更有利于出光。本發(fā)明結(jié)構(gòu)及方法簡(jiǎn)單，能大大提高光提取效率，在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
【專利說明】
具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，涉及一種垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別是涉及一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]從LED的結(jié)構(gòu)上講，可以將GaN基LED劃分為正裝結(jié)構(gòu)、倒裝結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)。正裝結(jié)構(gòu)LED有兩個(gè)明顯的缺點(diǎn)，首先正裝結(jié)構(gòu)LED P、η電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過η-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流;其次，由于藍(lán)寶石襯底的導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重的阻礙了熱量的散失。為了解決散熱問題，美國(guó)Lumileds Lighting公司發(fā)明了倒裝芯片(Flipchip)技術(shù)，其散熱效果有很大的改善，但是通常的GaN基倒裝結(jié)構(gòu)LED仍然是橫向結(jié)構(gòu)，電流擁擠的現(xiàn)象還是存在，仍然限制了驅(qū)動(dòng)電流的進(jìn)一步提升。
[0003]相比于傳統(tǒng)的GaN基LED正裝結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)具有散熱好，能夠承載大電流，發(fā)光強(qiáng)度高，耗電量小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通用照明、景觀照明、特種照明、汽車照明等領(lǐng)域，成為一代大功率GaN基LED極具潛力的解決方案，正受到業(yè)界越來(lái)越多的關(guān)注和研究。
[0004]垂直結(jié)構(gòu)可以有效解決正裝結(jié)構(gòu)LED的兩個(gè)問題，垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED采用高熱導(dǎo)率的襯底取代藍(lán)寶石襯底，在很大程度上提高了散熱效率;垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的兩個(gè)電極分別在LED外延層的兩側(cè)，通過圖形化的η電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，橫向流動(dòng)的電流極少，可以避免正裝結(jié)構(gòu)的電流擁擠問題，提高發(fā)光效率，同時(shí)也解決了P極的遮光問題，提升LED的發(fā)光面積。
[0005]垂直結(jié)構(gòu)LED的發(fā)光效率是該結(jié)構(gòu)的一個(gè)重大優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也是一個(gè)技術(shù)難題。隨著垂直結(jié)構(gòu)LED研發(fā)工作地不斷開展，越來(lái)越多的目光集中在其光提取效率和出光效率上。傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)LED芯片如圖1所示，其包括支撐襯底101、Ρ電極102、發(fā)光外延結(jié)構(gòu)103以及N電極104，這種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的側(cè)壁為正金字塔型(接近垂直)，這種側(cè)壁結(jié)構(gòu)幾乎將出射角大于全反射臨界角的光線全部限制在器件內(nèi)部，不利于光提取和出光。
[0006]鑒于以上原因，本發(fā)明提供一種主要利用金屬自平坦化晶片鍵合、激光剝離技術(shù)及ICP干法刻蝕技術(shù)制備的具有倒金字塔型側(cè)壁的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，側(cè)壁做成倒金字塔型可有效地減少器件與空氣界面處的全反射，使更多的光以更短的距離傳輸出去，此種垂直芯片側(cè)壁結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，更有利于出光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，主要利用金屬自平坦化晶片鍵合、激光剝離技術(shù)及ICP干法刻蝕技術(shù)制備的具有倒金字塔型側(cè)壁的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，側(cè)壁做成倒金字塔型可有效地減少器件與空氣界面處的全反射，使更多的光以更短的距離傳輸出去，此種垂直芯片側(cè)壁結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，更有利于出光。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，包括步驟:步驟I)，提供一生長(zhǎng)襯底，于所述生長(zhǎng)襯底上形成包括N-GaN層、量子阱層及P-GaN層的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；步驟2)，刻蝕所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，以形成具有正金字塔型傾斜側(cè)壁的發(fā)光外延結(jié)構(gòu);步驟3)，于所述P-GaN層表面形成P焊盤;步驟4)，提供一鍵合襯底，并鍵合所述鍵合襯底及P焊盤;步驟5)，剝離所述生長(zhǎng)襯底露出所述N-GaN層，形成固定于所述鍵合襯底上的具有倒金字塔型傾斜側(cè)壁的發(fā)光外延結(jié)構(gòu);步驟6)，對(duì)裸露的N-GaN層表面進(jìn)行粗化;步驟7)，于所述N-GaN層表面形成N焊盤。
[0009]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟I)中，所述N-GaN層直接生長(zhǎng)于所述生長(zhǎng)襯底上。
[0010]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟2)還包括于所述傾斜側(cè)壁表面形成絕緣層的步驟。
[0011]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟3)制作P焊盤包括以下步驟:步驟3-1 )，于所述P-GaN層表面制備歐姆接觸的ITO層或Ni層;步驟3-2)，于所述ITO層或Ni層表面制作Ag反射鏡;步驟3_3)，于所述Ag反射鏡表面制作Au/Sn金屬鍵合層。
[0012]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟4)所述的鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。
[0013]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)采用激光剝離工藝剝離所述生長(zhǎng)襯底。
[0014]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟6)的表面粗化選用為濕法腐蝕，腐蝕溶液包括KOH及H2S04中的一種或兩種。
[0015]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟7)所述的N焊盤選用為Ni/Au層、Al/Ti/Pt/Au層以及Cr/Pt/Au層中的一種。
[0016]本發(fā)明還提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，包括:鍵合襯底;P焊盤，鍵合于所述鍵合襯底;具有傾斜側(cè)壁的倒金字塔型發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，結(jié)合于所述P焊盤上，包括依次層疊的P-GaN層、量子阱層及N-GaN層，所述N-GaN層表面形成有粗化結(jié)構(gòu)；以及N焊盤，形成于所述N-GaN層表面。
[0017]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。
[0018]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述P焊盤包括與P-GaN形成歐姆接觸的ITO層或Ni層，位于所述ITO層或Ni層之上的Ag反射鏡，以及位于所述Ag反射鏡之上的Au/Sn鍵合層金屬層。
[0019]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述傾斜側(cè)壁表面形成有絕緣層。
[0020]作為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述的N焊盤選用為Ni/Au層、Al/Ti/Pt/Au層以及Cr/Pt/Au層中的一種。
[0021]如上所述，本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果:本發(fā)明主要利用金屬自平坦化晶片鍵合、激光剝離技術(shù)及ICP干法刻蝕技術(shù)制備的具有倒金字塔型側(cè)壁的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，側(cè)壁做成倒金字塔型可有效地減少器件與空氣界面處的全反射，使更多的光以更短的距離傳輸出去，此種垂直芯片側(cè)壁結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，更有利于出光。本發(fā)明結(jié)構(gòu)及方法簡(jiǎn)單，能大大提高光提取效率，在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0022]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2?圖9分別顯示為本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]元件標(biāo)號(hào)說明
[0025]201生長(zhǎng)襯底
[0026]202 N-GaN層
[0027]203量子阱層
[0028]204 P-GaN層
[0029]205傾斜側(cè)壁
[0030]206絕緣層
[0031]207 P 焊盤
[0032]208鍵合襯底
[0033]209粗化結(jié)構(gòu)
[0034]210 N 焊盤
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0036]請(qǐng)參閱圖2?圖9。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0037]如圖2?圖9所示，本實(shí)施例提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，包括步驟:
[0038]如圖2所示，首先進(jìn)行步驟I)，提供一生長(zhǎng)襯底101，于所述生長(zhǎng)襯底101上形成包括N-GaN層202、量子阱層203及P-GaN層204的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；
[0039]作為示例，所述生長(zhǎng)襯底101為藍(lán)寶石襯底。
[0040]具體地，采用化學(xué)氣相沉積工藝依次于所述藍(lán)寶石襯底表面制備所述N-GaN層202、量子阱層203以及P-GaN層204，在本實(shí)施例中，所述N-GaN層202直接生長(zhǎng)于所述生長(zhǎng)襯底101上，可以免去剝離后的傳統(tǒng)非故意摻雜層GaN的刻蝕的步驟，節(jié)省工藝步驟及工藝成本。
[0041]另外，在本實(shí)施例中，在制備前，還包括對(duì)所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行清洗的步驟，以去除其表面的雜質(zhì)，如聚合物、灰塵等。
[0042]如圖3?圖4所示，然后進(jìn)行步驟2)，刻蝕所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，以形成具有正金字塔型傾斜側(cè)壁205的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)。
[0043]作為示例，利用S12、光刻膠或二者搭配作為ICP干法刻蝕掩膜材料，對(duì)所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，通過調(diào)節(jié)ICP干法刻蝕氣體配比等工藝變更，可制備出不同傾斜角度的器件側(cè)壁。例如，所述傾斜側(cè)壁205與生長(zhǎng)襯底101的傾斜角度可以為5?30度，具體可以選擇為10度、15度、20度等，以降低LED器件內(nèi)部光線全反射的概率，大大提高出光效率。
[0044]接著，如圖4所示，形成具有正金字塔型傾斜側(cè)壁205的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)后，為了防止后續(xù)制備工藝造成側(cè)壁漏電，提高芯片可靠性，本實(shí)施例還包括于所述傾斜側(cè)壁205表面形成絕緣層206的步驟，所述絕緣層206具體可以選擇為S12層。
[0045]如圖5所示，接著進(jìn)行步驟3)，于所述P-GaN層204表面形成P焊盤207;
[0046]具體地，包括以下步驟:
[0047]步驟3-1)，于所述P-GaN層204表面制備歐姆接觸的ITO層或Ni層。
[0048]在本實(shí)施例中，采用蒸鍍工藝所述于所述P-GaN層204表面制備歐姆接觸的ITO層，作為歐姆接觸層。
[0049]步驟3-2)，于所述ITO層或Ni層表面制作Ag反射鏡。
[0050]在本實(shí)施例中，采用蒸鍍工藝于所述ITO層或Ni層表面制作Ag反射鏡。當(dāng)然，其他的反射金屬也可能適用于本發(fā)明，并不限定于此處所列舉的示例。
[0051 ]步驟3-3)，于所述Ag反射鏡表面制作Au/Sn金屬鍵合層。
[0052]在本實(shí)施例中，采用蒸鍍工藝于所述Ag反射鏡表面制作Au/Sn金屬鍵合層。
[0053]如圖6所示，然后進(jìn)行步驟4)，提供一鍵合襯底208，并鍵合所述鍵合襯底208及P焊盤207;
[0054]作為示例，所述導(dǎo)電基底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電基底107為W/Cu襯底，由于W/Cu襯底具有較高的導(dǎo)電及導(dǎo)熱率，可以大大提高LED芯片的散熱效率。
[0055]如圖7所示，接著進(jìn)行步驟5)，剝離所述生長(zhǎng)襯底101露出所述N-GaN層202，形成固定于所述鍵合襯底208上的具有倒金字塔型傾斜側(cè)壁205的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)。
[0056]在本實(shí)施例中，采用激光剝離工藝剝離所述生長(zhǎng)襯底101，以提高剝離效率，并降低對(duì)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)造成的損傷。
[0057]如圖8所示，接著進(jìn)行步驟6)，對(duì)裸露的N-GaN層202表面進(jìn)行粗化。
[0058]作為示例，表面粗化選用為濕法腐蝕，腐蝕溶液包括KOESH2SO4中的一種或兩種。在本實(shí)施例中，腐蝕溶液選用為Κ0Η。
[0059]如圖9所示，最后進(jìn)行步驟7)，于所述N-GaN層202表面形成N焊盤210。
[0060]作為示例，采用蒸鍍法于所述GaN層表面制備N焊盤210，所述N焊盤210可以選用為Ni/Au層，Al/Ti/Pt/Au層，或Cr/Pt/Au層。在本實(shí)施例中，所述N焊盤210選用為Ni/Au層。[0061 ]如圖9所示，本實(shí)施例還提供一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，包括:鍵合襯底208; P焊盤207，鍵合于所述鍵合襯底208;具有傾斜側(cè)壁205的倒金字塔型發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，結(jié)合于所述P焊盤207上，包括依次層疊的P-GaN層204、量子阱層203及N-GaN層202，所述N-GaN層202表面形成有粗化結(jié)構(gòu)209 ；以及N焊盤210，形成于所述N-GaN層202表面。
[0062]作為示例，所述鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。
[0063]作為示例，所述P焊盤207包括與P-GaN形成歐姆接觸的ITO層或Ni層，位于所述ITO層或Ni層之上的Ag反射鏡，以及位于所述Ag反射鏡之上的Au/Sn鍵合層金屬層。
[0064]作為示例，所述傾斜側(cè)壁205表面形成有絕緣層206。
[0065]作為示例，所述的N焊盤210選用為Ni/Au層、Al/Ti/Pt/Au層以及Cr/Pt/Au層中的一種。
[0066]如上所述，本發(fā)明的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果:本發(fā)明主要利用金屬自平坦化晶片鍵合、激光剝離技術(shù)及ICP干法刻蝕技術(shù)制備的具有倒金字塔型側(cè)壁的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，側(cè)壁做成倒金字塔型可有效地減少器件與空氣界面處的全反射，使更多的光以更短的距離傳輸出去，此種垂直芯片側(cè)壁結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，更有利于出光。本發(fā)明結(jié)構(gòu)及方法簡(jiǎn)單，能大大提高光提取效率，在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0067]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括步驟: 步驟I )，提供一生長(zhǎng)襯底，于所述生長(zhǎng)襯底上形成包括N-GaN層、量子阱層及P-GaN層的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)； 步驟2)，刻蝕所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，以形成具有正金字塔型傾斜側(cè)壁的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)； 步驟3)，于所述P-GaN層表面形成P焊盤； 步驟4)，提供一鍵合襯底，并鍵合所述鍵合襯底及P焊盤； 步驟5)，剝離所述生長(zhǎng)襯底露出所述N-GaN層，形成固定于所述鍵合襯底上的具有倒金字塔型傾斜側(cè)壁的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)； 步驟6)，對(duì)裸露的N-GaN層表面進(jìn)行粗化； 步驟7)，于所述N-GaN層表面形成N焊盤。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟I)中，所述N-GaN層直接生長(zhǎng)于所述生長(zhǎng)襯底上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟2)還包括于所述傾斜側(cè)壁表面形成絕緣層的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟3)制作P焊盤包括以下步驟: 步驟3-1)，于所述P-GaN層表面制備歐姆接觸的ITO層或Ni層； 步驟3-2)，于所述ITO層或Ni層表面制作Ag反射鏡； 步驟3-3)，于所述Ag反射鏡表面制作Au/Sn金屬鍵合層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟4)所述的鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟5)采用激光剝離工藝剝離所述生長(zhǎng)襯底。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟6)的表面粗化選用為濕法腐蝕，腐蝕溶液包括KOilSH2SO4中的一種或兩種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:步驟7)所述的N焊盤選用為Ni/Au層、Al/Ti/Pt/Au層以及Cr/Pt/Au層中的一種。9.一種具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 鍵合襯底； P焊盤，鍵合于所述鍵合襯底； 具有傾斜側(cè)壁的倒金字塔型發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，結(jié)合于所述P焊盤上，包括依次層疊的P-GaN層、量子阱層及N-GaN層，所述N-GaN層表面形成有粗化結(jié)構(gòu)； N焊盤，形成于所述N-GaN層表面。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述P焊盤包括與P-GaN形成歐姆接觸的ITO層或Ni層，位于所述ITO層或Ni層之上的Ag反射鏡，以及位于所述Ag反射鏡之上的Au/Sn鍵合層金屬層。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述傾斜側(cè)壁表面形成有絕緣層。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有倒金字塔型側(cè)壁的GaN基LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的N焊盤選用為Ni/Au層、Al/Ti/Pt/Au層以及Cr/Pt/Au層中的一種。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK105870264SQ201610120654
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日
【發(fā)明人】童玲, 徐慧文, 李起鳴
【申請(qǐng)人】映瑞光電科技(上海)有限公司