Oled顯示基板及其制作方法、顯示裝置及掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置和一種掩模板。OLED顯示基板包括襯底基板以及形成于襯底基板之上的多個像素單元，每個像素單元包括位于襯底基板之上的第一電極、位于第一電極之上的有機發(fā)光層和位于有機發(fā)光層之上的第二電極，多個像素單元的第二電極相連接，OLED顯示基板還包括位于多個像素單元的第二電極之上的電極增厚層，電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。相比現(xiàn)有技術(shù)，該方案提高了OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
【專利說明】
OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置及掩模板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置和一種掩模板。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機發(fā)光二級管，簡稱0LED)顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點，已被列為極具發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。
[0003]OLED的基本結(jié)構(gòu)包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的有機發(fā)光層;OLED發(fā)光是指有機發(fā)光層在外加電場的驅(qū)動下，通過陽極和陰極的載流子注入和輻合導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。目前，OLED顯示基板的陰極厚度普遍較薄，這容易導(dǎo)致顯示屏畫面出現(xiàn)發(fā)暗不良，同時也會影響基板邊緣區(qū)域的電學(xué)特性。如果增加OLED顯示基板的陰極厚度，則可以有效地降低產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提升產(chǎn)品的電學(xué)特性，但又會導(dǎo)致顯示屏畫面發(fā)生色偏現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明實施例的目的是提供一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置和一種掩豐旲板，以提尚OLED顯不廣品的顯不品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0005]本發(fā)明實施例提供了一種OLED顯示基板，包括襯底基板以及形成于襯底基板之上的多個像素單元，每個像素單元包括位于襯底基板之上的第一電極、位于第一電極之上的有機發(fā)光層和位于有機發(fā)光層之上的第二電極，所述多個像素單元的第二電極相連接，所述OLED顯示基板還包括:
[0006]位于所述多個像素單元的第二電極之上的電極增厚層，所述電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，所述第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，所述第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。
[0007]在本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，通過在多個像素單元的第二電極之上設(shè)置電極增厚層，增加了 OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電極厚度和相鄰像素單元之間的電極厚度，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，該方案提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0008]優(yōu)選的，所述第二增厚部為位于相鄰兩列或兩行像素單元之間的條狀第二增厚部。
[0009]進(jìn)一步，所述第二增厚部為網(wǎng)狀，所述網(wǎng)狀的第二增厚部的網(wǎng)孔與像素單元位置相對。采用該技術(shù)方案，使第二增厚部遍布于相鄰的兩列以及兩行像素單元之間，增大了第二增厚部的面積，進(jìn)一步降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0010]優(yōu)選的，所述第二增厚部的線寬小于相鄰兩列或兩行像素單元之間的間距。這樣，可以使第二增厚部完全位于相鄰兩列像素單元之間，提高了 OLED顯示基板的制作精度，提尚了廣品的光學(xué)特性。
[0011]較佳的，所述電極增厚層的厚度為128埃?158埃。本申請的發(fā)明人經(jīng)過試驗得出，增加上述厚度的電極增厚層能夠使有效降低OLED產(chǎn)品的發(fā)暗不良率，并獲得較好的電學(xué)特性。
[0012]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案所述的OLED顯示基板。該顯示裝置的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性得到提高。
[0013]本發(fā)明還提供了一種OLED顯示基板的制作方法，包括:
[0014]在襯底基板之上形成多個像素單元的第一電極；
[0015]在第一電極之上形成有機發(fā)光層；
[0016]在有機發(fā)光層之上形成第二電極，且多個像素單元的第二電極相連接；
[0017]在第二電極之上形成電極增厚層，所述電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，所述第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，所述第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。
[0018]采用該技術(shù)方案提供的方法制作的OLED顯示基板，通過在多個像素單元的第二電極之上形成位于OLED顯示基板的邊緣區(qū)域和相鄰像素單元之間的電極增厚層，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0019]本發(fā)明另外提供了一種用于制作前述方案所述的OLED顯示基板的掩模板，包括掩模板本體和掩模板本體界定出的多個蒸鍍區(qū)，所述掩模板本體用于遮擋多個像素單元，所述多個蒸鍍區(qū)與第二增厚部位置相對。
[0020]采用該技術(shù)方案提供的掩模板制作OLED顯示基板，在多個像素單元的第二電極之上蒸鍍形成位于OLED顯示基板的邊緣區(qū)域和相鄰像素單元之間的電極增厚層，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例OLED顯示基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明實施例像素單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明一實施例像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明另一實施例像素單兀的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖5為本發(fā)明第三實施例像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6為本發(fā)明實施例掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0027]圖7為本發(fā)明實施例OLED顯示基板的制作方法流程圖。
[0028]附圖標(biāo)記:
[0029]10-襯底基板 20-像素單元 21-第一電極 22-有機發(fā)光層
[0030]23-第二電極 24-電極增厚層 25-第一增厚部 26-第二增厚部
[0031]27-第一傳輸層 28-第二傳輸層 40-掩模板41-掩模板本體
[0032]42-蒸鍍區(qū)
【具體實施方式】
[0033]為提高OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性，本發(fā)明實施例提供了一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置和一種掩模板。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下舉實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0034]如圖1至圖3所示，本發(fā)明實施例提供的OLED顯示基板，包括襯底基板10以及形成于襯底基板10之上的多個像素單元20，每個像素單元20包括位于襯底基板10之上的第一電極21、位于第一電極21之上的有機發(fā)光層22和位于有機發(fā)光層22之上的第二電極23，多個像素單元20的第二電極23相連接，OLED顯示基板還包括:
[0035]位于多個像素單元20的第二電極23之上的電極增厚層24，電極增厚層24包括第一增厚部25和第二增厚部26，第一增厚部25與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，第二增厚部26位于相鄰兩個像素單元20之間。
[0036]本發(fā)明實施例提供的OLED顯示基板可以為無源驅(qū)動(Passive Matrix，簡稱PM)PMOLED顯示基板，也可以為有源驅(qū)動(Active Matrix，簡稱AM)AM0LED顯示基板。第一電極具體可以為陽極，則第二電極和電極增厚層為陰極;或者，第一電極為陰極，第二電極和電極增厚層為陽極。
[0037]在本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，通過在多個像素單元20的第二電極23之上設(shè)置電極增厚層24，增加了 OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電極厚度和相鄰像素單元20之間的電極厚度，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了 OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，該方案提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0038]如圖2所示，每個像素單元還包括第一傳輸層27和第二傳輸層28，當(dāng)?shù)谝浑姌O21為陽極，第二電極23為陰極時，第一傳輸層27可具體為空穴傳輸層，第二傳輸層28為電子傳輸層；當(dāng)?shù)谝浑姌O21為陰極，第二電極23為陽極時，則第一傳輸層27為電子傳輸層，第二傳輸層28為空穴傳輸層。
[0039]如圖3所示，在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，第二增厚部26為位于相鄰兩列像素單元20之間的條狀第二增厚部;或者，如圖4所示，在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，第二增厚部26為位于相鄰兩行像素單元20之間的條狀第二增厚部。
[0040]進(jìn)一步，如圖5所示，第二增厚部26為網(wǎng)狀，網(wǎng)狀的第二增厚部26的網(wǎng)孔與像素單元20位置相對。采用該技術(shù)方案，使第二增厚部26遍布于相鄰的兩列以及兩行像素單元20之間，增大了第二增厚部26的面積，進(jìn)一步降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0041]采用上述圖3所示實施例時，第二增厚部26的線寬小于相鄰兩列像素單元20之間的間距。這樣，可以使第二增厚部26完全位于相鄰兩列像素單元20之間，提高了 OLED顯示基板的制作精度，提高了產(chǎn)品的光學(xué)特性。
[0042]采用上述圖4所示實施例時，第二增厚部26的線寬小于相鄰兩行像素單元20之間的間距。這樣，可以使第二增厚部26完全位于相鄰兩行像素單元20之間，因此不會導(dǎo)致像素單元20之上的電極厚度增加，提高了產(chǎn)品的光學(xué)特性。
[0043]在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，電極增厚層的厚度為128埃?158埃。本申請的發(fā)明人經(jīng)過試驗得出，增加上述厚度的電極增厚層能夠使有效降低OLED產(chǎn)品的發(fā)暗不良率，并獲得較好的電學(xué)特性。
[0044]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案的OLED顯示基板。該顯示裝置的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性得到提高。顯示裝置的具體類型不限，例如可以為OLED顯不器、OLED電視等。
[0045]如圖7所示，本發(fā)明實施例還提供了一種OLED顯示基板的制作方法，包括:
[0046]步驟101:在襯底基板之上形成多個像素單元的第一電極；
[0047]步驟102:在第一電極之上形成有機發(fā)光層；
[0048]步驟103:在有機發(fā)光層之上形成第二電極，且多個像素單元的第二電極相連接；
[0049]步驟104:在第二電極之上形成電極增厚層，電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。
[0050]采用該技術(shù)方案提供的方法制作的OLED顯示基板，通過在多個像素單元的第二電極之上形成位于OLED顯示基板的邊緣區(qū)域和相鄰像素單元之間的電極增厚層，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0051]如圖3和圖6所示，本發(fā)明實施例另外提供了一種用于制作前述方案的OLED顯示基板的掩模板40，包括掩模板本體41和掩模板本體41界定出的多個蒸鍍區(qū)42，掩模板本體41用于遮擋多個像素單元20，多個蒸鍍區(qū)42與第二增厚部26位置相對。
[0052]圖6所示的掩模板可用于制作圖3所示實施例提供的像素單元。采用該技術(shù)方案提供的掩模板40制作OLED顯示基板，在多個像素單元20的第二電極23之上蒸鍍形成位于OLED顯示基板的邊緣區(qū)域和相鄰像素單元20之間的電極增厚層，在滿足產(chǎn)品光學(xué)特性的要求的前提下，有效地降低了產(chǎn)品發(fā)暗不良率，提高了OLED顯示基板的邊緣區(qū)域的電連接可靠性，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)，該方案提高了 OLED顯示產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和電學(xué)特性。
[0053]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種OLED顯示基板，包括襯底基板以及形成于襯底基板之上的多個像素單元，每個像素單元包括位于襯底基板之上的第一電極、位于第一電極之上的有機發(fā)光層和位于有機發(fā)光層之上的第二電極，所述多個像素單元的第二電極相連接，其特征在于，所述OLED顯示基板還包括: 位于所述多個像素單元的第二電極之上的電極增厚層，所述電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，所述第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，所述第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述第二增厚部為位于相鄰兩列或兩行像素單元之間。3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述第二增厚部為網(wǎng)狀，所述網(wǎng)狀的第二增厚部的網(wǎng)孔與像素單元位置相對。4.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述第二增厚部的線寬小于相鄰兩列或兩行像素單元之間的間距。5.如權(quán)利要求1?4任一項所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述電極增厚層的厚度為128埃?158埃。6.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1?5任一項所述的OLED顯示基板。7.一種OLED顯示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板之上形成多個像素單元的第一電極； 在第一電極之上形成有機發(fā)光層； 在有機發(fā)光層之上形成第二電極，且多個像素單元的第二電極相連接； 在第二電極之上形成電極增厚層，所述電極增厚層包括第一增厚部和第二增厚部，所述第一增厚部與OLED顯示基板的邊緣區(qū)域位置相對，所述第二增厚部位于相鄰兩個像素單元之間。8.—種用于制作如權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板的掩模板，其特征在于，所述掩模板包括掩模板本體和掩模板本體界定出的多個蒸鍍區(qū)，所述掩模板本體用于遮擋多個像素單元，所述多個蒸鍍區(qū)與第二增厚部的形狀相匹配。
【文檔編號】H01L27/32GK105914226SQ201610371410
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月30日
【發(fā)明人】楊津, 梁逸南, 劉利賓, 吳巖, 彭利滿
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司