貼合式晶圓的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種貼合式晶圓的制造方法，關(guān)于自貼合晶圓的表面以氫離子、惰性氣體離子的至少一種氣體離子進行離子注入而于晶圓內(nèi)部形成離子注入層，將該貼合晶圓經(jīng)離子注入的表面與基底晶圓的表面直接或是透過絕緣膜貼合后，借由以該離子注入層使貼合晶圓剝離，制造于該基底晶圓上具有薄膜的貼合式晶圓，而對于該貼合式晶圓，透過在含有氫氣的氛圍下進行RTA處理而將該薄膜表面平坦化，其中，于自該RTA處理的最高溫降溫而自熱處理爐取出該貼合式晶圓之間，在該熱處理爐內(nèi)于該薄膜的表面形成保護膜，之后將形成有該保護膜的貼合式晶圓自該熱處理爐取出，之后使用蝕刻該保護膜及該薄膜的洗凈液以洗凈。借此能夠在RTA處理及進行其后的洗凈后亦能良好維持薄膜的膜厚度的面內(nèi)均勻性。
【專利說明】
貼合式晶圓的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種利用離子注入剝離法的貼合式晶圓的制造方法，特別是關(guān)于一 種將經(jīng)注入氨離子等的單晶娃晶圓予W與作為支持基板的基底晶圓于透過氧化膜貼合后 進行剝離W制造 SOI晶圓的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] WS0I晶圓的制造方法而言，特別是使尖端集成電路的高性能化變?yōu)榭赡艿谋∧?SOI晶圓的制造方法，將經(jīng)離子注入的晶圓于結(jié)合后剝離而制造 SOI晶圓的方法(離子注入 剝離法:亦稱為SmadCut衝的技術(shù))逐漸開始受到重視。
[0003] 此離子注入法是于二片娃晶圓之中，于至少一方形成氧化膜的同時，自另一方的 娃晶圓（貼合晶圓）的上表面注入氨離子或是惰性氣體離子等氣體離子，而于貼合晶圓內(nèi)部 形成微小氣泡層(封入層）后，將經(jīng)注入該離子的面透過氧化膜與另一方的娃晶圓（基底晶 圓）密著，之后施加熱處理（剝離熱處理)將微小氣泡層作為劈開面（剝離面)而將貼合晶圓 剝離為薄膜狀，進一步施加熱處理(結(jié)合熱處理)使其穩(wěn)固地結(jié)合而成為SOI晶圓的技術(shù)(參 照專利文獻1)。于此階段，劈開面將成為SOI層的表面，較容易得到SOI層較薄且膜厚度均勻 性亦高的SOI晶圓。另外，非得到SOI晶圓而是得到直接接合的貼合式晶圓時，使貼合晶圓及 基底晶圓于表面皆不形成氧化膜而直接密著而貼合。
[0004] 但是，剝離后的SOI晶圓表面存在有離子注入所導(dǎo)致的損傷層，又表面的粗糖程度 與一般的娃晶圓的鏡面相比變得較大。因此，于離子注入剝離法必須去除如此的損傷層及 表面的粗糖。
[0005] 已知為了除去此損傷層等，于結(jié)合熱處理后的最終步驟中，進行有被稱為接觸式 拋光的研磨量極低的鏡面研磨(加工量:約lOOnm)。但是，當于SOI層進行含有機械加工要素 的研磨，由于研磨的加工量不均等，會產(chǎn)生由于氨離子等的注入、剝離所導(dǎo)致的SOI層的膜 厚度均勻性惡化的問題。
[0006] W解決如此問題點的方法而言，有W進行高溫熱處理W改善表面的粗糖的平坦化 處理W取代接觸式拋光。
[0007] 例如于專利文獻2中，提出有于剝離熱處理(或是結(jié)合熱處理后），不將SOI層的表 面進行研磨，而是施W于包含氨氣的還原性氛圍下的熱處理（急速加熱、急速冷卻熱處理 (Rapid Thermal Anneal ling, RTA處理））的方法。進一步而言，專利文獻3中，記載有于剝離 熱處理后（或是結(jié)合熱處理后），透過于氧化性氛圍下的熱處理于SOI層形成氧化膜后除去 該氧化膜(犧牲氧化處理），接著進行復(fù)數(shù)次于還原性氛圍下的RTA處理的方法。
[000引又W-般的離子注入剝離法制造 SOI晶圓時，于進行前述的RTA處理等將剝離面平 坦化的熱處理后，進行有犧牲氧化處理或研磨等將SOI層的膜厚度調(diào)整為目的的膜厚度的 處理(專利文獻4至6)。
[0009]將SOI晶圓投入如此的膜厚度調(diào)整處理之前，進行有洗凈SOI晶圓的步驟，洗凈步 驟中，一般例如像SC1(N也0H及也化的混合水溶液)一般，浸潰于具有將SOI層的表面微量蝕 刻作用的洗凈液w進行洗凈。
[0010] 觀有技術(shù)文獻）
[0011] 專利文獻1:日本特開平5-211128號公報
[0012] 專利文獻2:日本特開平11-307472號公報
[0013] 專利文獻3:日本特開2000-124092號公報
[0014] 專利文獻4:日本特開2009-032972號公報
[0015] 專利文獻5:日本特開2012-222294號公報
[0016] 專利文獻6:日本特開2013-143407號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017][發(fā)明所欲解決的問題]
[0018] 另一方面，伴隨近年來攜帶型終端機的普及，半導(dǎo)體裝置的低耗電化、縮小化、高 性能化開始變的必要，作為設(shè)計規(guī)范在22納米世代之后的有力候補，進行有使用SOI晶圓的 完全空乏型裝置的開發(fā)。此完全空乏型裝置中，SOI層的膜厚度變?yōu)榉浅１〉募slOnm的同 時，由于SOI層的膜厚度分布會影響裝置的闊值電壓，WS0I層的內(nèi)膜厚度分布而言，要求面 內(nèi)的膜厚度范圍在InmW下(Range(Max-Min)蘭Inm)的均勻性。
[0019] 但是，于制造如此膜厚度范圍較小的SOI晶圓時，難W良好維持平坦化、膜厚度調(diào) 整后的SOI層的面內(nèi)及晶圓間的膜厚度均勻性。運是由于雖然在如前述將貼合晶圓剝離的 階段SO層的膜厚度均勻性良好，但在用W改善剝離后的SOI層表面的表面粗糖而進行的平 坦化熱處理后所進行的洗凈步驟中，SOI層的膜厚度均勻性將會惡化。
[0020] 特別是將SCI作為洗凈液使用時，因 SOI層由于蝕刻而厚度將確實地減少，因此依 據(jù)洗凈條件SOI層的面內(nèi)膜厚度均勻性容易惡化。又當與透過熱處理而SOI層表面為活性的 狀態(tài)下自熱處理爐取出的RTA處理等平坦化熱處理相組合時，特別存在有SOI層的面內(nèi)膜厚 度均勻性容易惡化的問題。
[0021] 如此的SOI層的面內(nèi)膜厚度的均勻性的惡化，于制造如前述的膜厚度范圍在InmW 下的SOI晶圓時，將成為特別嚴重的問題。
[0022] 本發(fā)明為解決前述問題，目的在于提供一種貼合式晶圓的制造方法，能夠于RTA處 理及其后的洗凈處理后皆可良好維持薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻性。
[0023] [解決問題的技術(shù)手段]
[0024] 本發(fā)明提供一種貼合式晶圓的制造方法，自貼合晶圓的表面W氨離子、惰性氣體 離子的至少一種氣體離子進行離子注入而于晶圓內(nèi)部形成離子注入層，將該貼合晶圓經(jīng)離 子注入的表面與基底晶圓的表面直接或是透過絕緣膜貼合后，借由W該離子注入層使貼合 晶圓剝離而制造于該基底晶圓上制造具有薄膜的貼合式晶圓，對于該貼合式晶圓，透過在 含有氨氣的氛圍下進行RTA處理而將該薄膜表面平坦化，其中，于自該RTA處理的最高溫降 溫而自熱處理爐取出該貼合式晶圓之間，在該熱處理爐內(nèi)于該薄膜的表面形成保護膜，之 后將形成有該保護膜的貼合式晶圓自該熱處理爐取出，之后使用蝕刻該保護膜及該薄膜的 洗凈液W洗凈。
[0025] 依照如此的貼合式晶圓的制造方法，能夠制造借由于WRTA處理而平坦化的薄膜 表面面內(nèi)均勻地形成保護膜，在進行RTA處理及其后的洗凈后亦能良好維持薄膜的面內(nèi)膜 厚度均勻性的貼合式晶圓。
[0026] 又于此時，該保護膜的形成，W于自RTA處理的最高溫度降溫中，將該熱處理爐內(nèi) 的將含有氨氣體的氛圍切換為氧化性氛圍，氮化性氛圍及氧氮化性氛圍的其中一種，借由 將該貼合式晶圓暴露于該氧化性氛圍、氮化性氛圍及氧氮化性氛圍的其中一種，而于該薄 膜的表面形成氧化膜、氮化膜及氧氮化膜的其中一種為佳。借此能夠簡單的在薄膜表面形 成保護膜。
[0027] 又于此時，亦可使用NH40H與此化的混合水溶液（SCI)作為洗凈液。依照本發(fā)明，即 使使用一般所使用的具有蝕刻性的SCI W洗凈時，亦能良好的維持洗凈后的薄膜的面內(nèi)膜 厚度均勻性。
[00%]又于此時，W該保護膜的厚度為0.7至0.3nm為佳。依照如此厚度，能夠充分得到保 護膜的效果，亦不會使RTA處理的生產(chǎn)性大幅降低。
[0029] [對照現(xiàn)有技術(shù)的功效]
[0030] 如同前述，依照本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法，能夠簡單的于由RTA處理而平坦 化的薄膜表面形成保護膜，透過于薄膜表面面內(nèi)均一形成的此保護膜，能夠在RTA處理后W 具蝕刻性的SCI進行洗凈時，亦能良好的維持洗凈后的薄膜的面內(nèi)厚度均勻性的貼合式晶 圓。
[0031] 附圖簡要說明
[0032] 圖1是顯示本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法的流程圖。
[0033] 圖2是顯示實施例的RTA處理中RTA溫度配置文件的示意圖。
[0034] 圖3是顯示比較例的RTA處理中RTA溫度配置文件的示意圖。
[0035] 圖4是顯示實施例及比較例中，測量RTA處理后當下的SOI層上的氧化膜的膜厚度 時的測量方向的示意圖。
[0036] 圖5是顯示實施例及比較例中，比較RTA處理后當下的SOI層上的氧化膜的膜厚度 的測量結(jié)果的示意圖。
【具體實施方式】
[0037] 本申請的發(fā)明人研究前述問題點時，雖然在W電阻加熱式批次爐進行平坦化熱處 理時，于其后所進行的包含SCI洗凈的洗凈步驟中，SOI層的面內(nèi)膜厚度均勻性雖然幾乎沒 有惡化的傾向，但若進行W平坦化效果較高的含有出氛圍的高溫RTA處理，則于其后進行的 包含SCI洗凈的洗凈步驟中，則發(fā)現(xiàn)有SOI層的面內(nèi)膜厚度均勻性惡化的傾向。又測量RTA處 理后當下的SOI層的膜厚度時，SOI層的面內(nèi)膜厚度分布與進行包含SCI洗凈的洗凈后相比， 顯示出均勻的分布。自此，可W判斷SOI層的膜厚度均勻性惡化的原因為RTA處理，而包含 SOI的洗凈則會放大要素。
[0038] 又使用同樣裝置進行RTA處理時，于RTA處理及洗凈后SOI層的膜厚度變薄的程度 總是在特定的區(qū)域，另一方面，可得知不同裝置間SOI層的膜厚度變薄的領(lǐng)域相異，并有于 晶圓中屯、部SOI層變薄的裝置，及晶圓的周緣部SOI層變薄的裝置等。進一步研究，自RTA處 理后取出晶圓的晶圓傳載機械的晶圓接觸部在晶圓中央則晶圓中央的SOI層變薄，晶圓接 觸部在晶圓邊緣部則晶圓邊緣部的SOI層變薄，可得知晶圓傳載機械的晶圓接觸部的位置 SOI將變薄。
[0039] 此原因可如W下判斷。由于RTA處理后的高溫的晶圓接觸低溫的晶圓傳載機械而 使該部分低溫化，于該低溫化的部分成長的氧化膜（自然氧化膜)較其他區(qū)域為薄。由于之 后于包含SCI的洗凈中氧化膜較薄的部分比起其他區(qū)域在較短的時間內(nèi)被蝕刻，W結(jié)果而 言，于氧化膜較薄的部分基層的SKS0I層)受到較多蝕刻，而SOI層變薄。
[0040] 自W上所述，本申請發(fā)明人構(gòu)想到透過抑制RTA處理后所形成的膜厚度不均勻的 自然氧化膜的形成，而能夠良好的維持洗凈后的薄膜(SOI層)的面內(nèi)膜厚度均勻性，具體而 言，發(fā)現(xiàn)RTA處理的退火結(jié)束后，清除此再使保護膜(氧化膜、氮化膜及氮氧化膜等)強制于 薄膜上成長，使之后取出時即使接觸晶圓傳載機械而發(fā)生溫度降低，亦能透過保護膜抑制 厚度不均勻的自然氧化膜的形成，因此能夠良好的維持洗凈后的薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻 性，而完成本發(fā)明。
[0041] 即本發(fā)明是一種貼合式晶圓的制造方法，是關(guān)于自貼合晶圓的表面W氨離子、惰 性氣體離子的至少一種氣體離子進行離子注入而于晶圓內(nèi)部形成離子注入層，將該貼合晶 圓經(jīng)離子注入的表面與基底晶圓的表面直接或是透過絕緣膜貼合后，借由W該離子注入層 使貼合晶圓剝離，制造于該基底晶圓上具有薄膜的貼合式晶圓，而對于該貼合式晶圓，透過 在含有氨氣的氛圍下進行RTA處理而將該薄膜表面平坦化的貼合式晶圓制造方法中，該RTA 處理的最高溫降溫而自熱處理爐取出該貼合式晶圓之間，在該熱處理爐內(nèi)于該薄膜的表面 形成保護膜，之后將形成有該保護膜的貼合式晶圓自該熱處理爐取出，之后使用蝕刻該保 護膜及該薄膜的洗凈液W洗凈。
[0042] W下詳細說明關(guān)于本發(fā)明，但本發(fā)明并非限定于此。
[0043] 圖1是顯示本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法的一例的流程圖。W下隨著圖1的流程 圖說明本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法。本發(fā)明的貼合式晶圓制造方法中，首先準備貼合 晶圓及基底晶圓，于貼合晶圓形成離子注入層（圖1步驟(a))。
[0044] W貼合晶圓及基底晶圓而言，雖無特別限定，但能夠適當使用例如經(jīng)鏡面研磨的 單晶娃晶圓。又W貼合晶圓及基底晶圓而言，亦可使用由熱氧化而于晶圓表面形成有氧化 膜(絕緣膜）。
[0045] 貼合晶圓中離子注入層的形成，自貼合晶圓的表面離子注入氨離子、惰性氣體離 子的至少一種的氣體離子而于晶圓內(nèi)部形成離子注入層即可，W已知的方法進行即可。
[0046] 接著，將形成離子注入層的貼合晶圓與基底晶圓貼合（圖1步驟(b))。貼合時，貼合 晶圓經(jīng)離子注入的表面與基底晶圓的表面直接，或是如上所述使用于貼合晶圓或基底晶圓 形成有絕緣膜之物時，夾著絕緣膜而貼合。
[0047] 接著，W離子注入層將貼合晶圓剝離（圖1步驟k))。此貼合晶圓的剝離，雖無特別 限定，但能夠透過例如Ar等低活性氣體氛圍下的熱處理(剝離熱處理進行。另外，透過于 貼合面預(yù)先施加電漿處理而貼合，提高室溫下密著的晶圓的結(jié)合強度，亦能不進行剝離處 理(或是僅進行不發(fā)生剝離的程度的低溫熱處理），而機械性地剝離。如此W離子注入層使 貼合晶圓剝離，W得到基底晶圓上具有薄膜的貼合式晶圓。
[0048] 接著對所得的貼合式晶圓進行RTA處理（圖1步驟(d))。此步驟中，透過于含有氨氣 的氛圍下進行RTA處理，將薄膜的表面平坦化。另外，RTA處理之前，亦能夠進行用W將貼合 式晶圓的結(jié)合強度提高的結(jié)合熱處理(例如，900至1，000°C、30分鐘至2小時、氧化氛圍），或 去除形成于表面的熱氧化膜的處理。含有氨氣的氛圍，使用100%的出氣體氛圍，或出及Ar的 混合氣體氛圍即可。又RTA處理W最高溫度為1，100°CW上，處理時間（最高溫度的維持時 間）為1至30秒程度為佳。
[0049] 此處，本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法中，于自RTA處理的最高溫度降溫而至自熱 處理爐取出貼合式晶圓之間，于熱處理爐內(nèi)于薄膜的表面形成保護膜(圖1步驟(e))。
[0050] 此時，保護膜的形成，W于自RTA處理的最高溫度降溫中，將熱處理爐內(nèi)的含有氨 氣的氛圍切換為氧化性氛圍、氮化性氛圍及氧氮化性氛圍的任一種，透過將貼合性晶圓暴 露于氧化性氛圍、氮化性氛圍及氧氮化性氛圍的任一種，于薄膜的表面形成氧化膜、氮化膜 及氧氮化膜的任一種為佳。依此，能夠簡單于薄膜表面形成保護膜。
[0051] 又保護膜的形成，雖然只要在RTA處理未達最高溫時進行便無特別限定，例如能夠 W300°C至900°C下5至30秒，將貼合式晶圓暴露于前述的氧化性氛圍、氮化性氛圍及氧氮化 性氛圍等W進行，W調(diào)整至期望的膜厚度即可。
[0052] 又形成的膜厚度雖無特別限定，但W0.7至化m的范圍為佳。借由使厚度為0.7nmW 上，W充分的得到保護膜的效果。又厚度若在化mW下，則由于形成保護膜所需時間不會太 長，因此即使是在單忍片處理的RTA處理亦不會使生產(chǎn)性大幅低落。
[0053] 借由于WRTA處理而平坦化的薄膜的表面面內(nèi)均勻地形成如此的保護膜，能夠抑 制膜厚度不均勻的自然氧化膜的形成，W結(jié)果而言由于能夠抑制后述的RTA處理后的SCI等 的洗凈中面內(nèi)蝕刻量的分散，因此洗凈后亦能良好的維持薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻性。
[0054] 接著，如前述而形成保護膜后，將形成有保護膜的貼合式晶圓自熱處理爐中取出 (圖1步驟(f))。
[0055] 之后，使用能夠蝕刻保護膜及薄膜的洗凈液洗凈貼合式晶圓（圖1步驟(g))。此時， 作為洗凈液，亦可使用NH40H及此化的混合水溶液（SCI)。依照本發(fā)明，使用SCI W進行洗凈 時，亦能夠良好的維持洗凈后的薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻性。當然，作為洗凈液并不限定于 此，使用Na0H、K0H等，或與非蝕刻性的洗凈液(例如SC2化CI及出〇2的混合水溶液））的洗凈組 合W進行洗凈。
[0056] 又進行前述洗凈后，亦能夠應(yīng)需求使用批次爐（電阻加熱式熱處理爐）的犧牲氧化 處理，或非氧化氛圍下的熱處理(例如高溫Ar退火處理)等，并不特別限定于此些，亦可進行 已知的方法。又之后亦可進行由犧牲氧化處理等已進行的膜厚度調(diào)正，此亦無特別限定，W 已知的方法進行即可。
[0057] 如同前述，依照本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法，能夠簡單的于WRTA處理而平坦 化的薄膜表面形成保護膜，透過于薄膜表面面內(nèi)均勻地形成的此保護膜，即使是在RTA處理 后進行使用SCI洗凈的狀況下，亦能制造洗凈后的薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻性良好維持的貼 合式晶圓。
[005引 W下，雖使用實施例及比較例具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此些。
[0059] (實施例）
[0060] 準備自直徑300mm的單晶娃切下的貼合晶圓，進行氧化膜的成長W使此晶圓于950 °C下為膜厚度150nm，之后將氨離子W40keV、6.0X10l6/cm2的條件注入。接著。接著，準備自 直徑300mm的單晶娃切下的基底晶圓，進行與貼合晶圓的貼合。之后，將經(jīng)貼合的晶圓進行 500°C/30分鐘的剝離熱處理，制造貼合式SOI晶圓，測量剝離后當下的SOI晶圓的SOI層的平 均膜厚度及膜厚度范圍。
[0061] 接著對制成的SOI晶圓，基于圖2的RTA溫度配置文件進行RTA處理(第一次平坦化 熱處理）dRTA處理中，首先W此氛圍進行l(wèi)，100°C/30秒的退火處理。W最高溫度維持預(yù)定時 間的退火結(jié)束后，WAr氣體進行清除W自腔室內(nèi)去除此氣體的同時進行降溫，進一步于600 °C切換為化氣體(氧化性氛圍）而進行600°C/10秒的氧化，于SOI層的表面形成作為保護膜 的氧化膜。之后，W晶圓傳載機械自熱處理爐取出SOI晶圓，對RTA處理后當下的SOI晶圓，測 量SOI層上的氧化膜的膜厚度。
[0062] 接著，對自熱處理爐取出的SOI晶圓，使用SCI進行洗凈，接著進行犧牲氧化處理、 l，200°C/60分鐘的高溫Ar退火處理(第二次平坦化熱處理)及用W調(diào)整SOI層的膜厚度的犧 牲氧化處理，得到平坦化、膜厚度調(diào)整后的SOI晶圓。測量所得的平坦化、膜厚度調(diào)整后的 SOI晶圓的SOI層的平均膜厚度及膜厚度范圍。
[0063] 實施例中前述各處理的條件顯示于表1。
[0064] 【表1】
[00 化]
[0066] (比較例）
[0067] 對于進行到剝離熱處理為止與實施例同樣的操作而制成的SOI晶圓，基于圖3的 RTA溫度設(shè)置檔案，進行RTA處理(第一次的平坦化熱處理）。另外，此RTA處理中，退火后WAr 氣體進行清除后，不切換為氧化性氛圍，不進行作為保護膜的氧化膜的形成。RTA處理后，W 晶圓傳載機械自熱處理爐取出SOI晶圓，與實施例同樣對RTA處理后當下的SOI晶圓，測量 SOI層上的氧化膜的膜厚度。之后WSC1的洗凈、及平坦化、膜厚度調(diào)整處理亦與實施例相同 地進行，得到平坦化、膜厚度調(diào)整后的SOI晶圓。測量所得到的平坦化、膜厚度調(diào)整后的SOI 晶圓的SOI層的平均膜厚度及膜厚度范圍。
[0068] 另外，于實施例及比較例中，測量RTA處理后當下的SOI晶圓的SOI層上的氧化膜厚 度時，W圖4的箭頭方向測量。測量結(jié)果的比較圖顯示于圖5。
[0069] 實施例及比較例所用的晶圓傳載機械雖為夾住晶圓中屯、部的方式，但如圖5所示， 形成作為保護膜的氧化膜的實施例中，RTA處理后當下的SOI層上的氧化膜厚度于面內(nèi)為均 勻。另一方面，未形成保護膜的比較例中，RTA處理后當下的SOI層上的氧化膜（自然氧化膜） 顯示有于晶圓中屯、變得較薄的傾向。
[0070] 又實施例及比較例中，剝離后的SOI晶圓及平坦化、膜厚度調(diào)整后當下的SOI晶圓 的SOI層的平均膜厚度及膜厚度范圍的測量結(jié)果顯示于表2。
[0071] 【表2】
[0072]
[0073] 如表2所示，形成有保護膜的實施例中，于平坦化、膜厚度調(diào)整后SOI層的膜厚度范 圍亦維持與剝離后當下同樣良好的值。另一方面，未形成有保護膜的比較例中，SOI層的膜 厚度范圍在晶圓中屯、部較薄，面內(nèi)膜厚度均勻性惡化。
[0074] 自W上可得知，依照本發(fā)明的貼合式晶圓的制造方法，能夠于WRTA處理而平坦化 的薄膜表面簡單的形成保護膜，透過于薄膜表面面內(nèi)均勻地形成的此保護膜，即使在RTA處 理后使用SCI進行洗凈的情況，亦能夠良好的維持洗凈后的薄膜的面內(nèi)膜厚度均勻性。
[0075] 另外，本發(fā)明并不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發(fā)明的申請 專利范圍所記載的技術(shù)思想為實質(zhì)相同的構(gòu)成，且達成同樣作用效果者，皆包含于本發(fā)明 的技術(shù)范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種貼合式晶圓的制造方法，自貼合晶圓的表面以氫離子、惰性氣體離子的至少一 種氣體離子進行離子注入而于晶圓內(nèi)部形成離子注入層，將該貼合晶圓經(jīng)離子注入的表面 與基底晶圓的表面直接或是透過絕緣膜貼合后，借由以該離子注入層使貼合晶圓剝離而制 造于該基底晶圓上制造具有薄膜的貼合式晶圓，對于該貼合式晶圓，透過在含有氫氣的氛 圍下進行RTA處理而將該薄膜表面平坦化，其中， 于自該RTA處理的最高溫降溫而自熱處理爐取出該貼合式晶圓之間，在該熱處理爐內(nèi) 于該薄膜的表面形成保護膜，之后將形成有該保護膜的貼合式晶圓自該熱處理爐取出，之 后使用蝕刻該保護膜及該薄膜的洗凈液以洗凈。2. 如權(quán)利要求1所述的貼合式晶圓的制造方法，其中該保護膜的形成，于自RTA處理的 最高溫度降溫中，將該熱處理爐內(nèi)的將含有氫氣體的氛圍切換為氧化性氛圍，氮化性氛圍 及氧氮化性氛圍的其中一種，借由將該貼合式晶圓暴露于該氧化性氛圍、氮化性氛圍及氧 氮化性氛圍的其中一種，而于該薄膜的表面形成氧化膜、氮化膜及氧氮化膜的其中一種。3. 如權(quán)利要求1或2所述的貼合式晶圓的制造方法，其中使用NH40H與出02的混合水溶液 作為洗凈液。4. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的貼合式晶圓的制造方法，其中該保護膜的厚度為 0·7至0·3nm。
【文檔編號】H01L21/265GK106062924SQ201580011892
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年2月12日 公開號201580011892.8, CN 106062924 A, CN 106062924A, CN 201580011892, CN-A-106062924, CN106062924 A, CN106062924A, CN201580011892, CN201580011892.8, PCT/2015/635, PCT/JP/15/000635, PCT/JP/15/00635, PCT/JP/2015/000635, PCT/JP/2015/00635, PCT/JP15/000635, PCT/JP15/00635, PCT/JP15000635, PCT/JP1500635, PCT/JP2015/000635, PCT/JP2015/00635, PCT/JP2015000635, PCT/JP201500635
【發(fā)明人】小林德弘, 阿賀浩司
【申請人】信越半導(dǎo)體株式會社