本申請涉及射頻，尤其涉及一種功率放大器、芯片及射頻前端模組。

背景技術(shù)：

1、射頻功率放大器是通信設(shè)備中的核心組件，隨著通信技術(shù)的發(fā)展，用戶對通信設(shè)備中射頻功率放大器的要求也日益提高，例如，不僅要求支持更多的頻段數(shù)量、更高的工作頻率、更高階的qam調(diào)制，還要求更小的體積。這對射頻功率放大器的設(shè)計提出了更大的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，射頻功率放大器內(nèi)部的電路布局是極其重要的一個方面。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)岢隽艘环N功率放大器、芯片及射頻前端模組，能夠減小功率放大器的面積。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種功率放大器，包括：

3、第一功率放大電路，所述第一功率放大電路包括多個并聯(lián)的第一放大晶體管，多個所述第一放大晶體管沿第一方向排列；

4、第二功率放大電路，所述第二功率放大電路包括多個并聯(lián)的第二放大晶體管，多個所述第二放大晶體管沿第二方向排列；

5、其中，所述第一方向與所述第二方向相交。

6、作為一種可選的方式，多個所述第一放大晶體管設(shè)置于第一布局區(qū)域，多個所述第二放大晶體管設(shè)置于第二布局區(qū)域；所述功率放大器還包括巴倫，所述巴倫設(shè)置于所述第一布局區(qū)域和第二布局區(qū)域的外側(cè)；或者，所述巴倫設(shè)置于所述第一布局區(qū)域和第二布局區(qū)域的內(nèi)側(cè)。

7、作為一種可選的方式，所述第一功率放大電路的輸出端和所述第二功率放大電路的輸出端分別與所述巴倫連接；或者，所述第一功率放大電路的輸入端和所述第二功率放大電路的輸入端分別與所述巴倫連接；

8、其中，所述巴倫與所述第一功率放大電路的連接點臨近于所述第一布局區(qū)域一邊的中點設(shè)置；所述巴倫與所述第二功率放大電路的連接點臨近于所述第二布局區(qū)域一邊的中點設(shè)置。

9、本申請第二方面提供一種芯片，其包括如第一方面的功率放大器。

10、本申請第三方面提供一種射頻前端模組，其包括：基板；以及，芯片，設(shè)置于所述基板，所述芯片內(nèi)集成有如第一方面的功率放大器。

11、本申請第四方面提供一種射頻前端模組，其特征在于，包括：

12、基板；

13、芯片，設(shè)置于所述基板，所述芯片具有相交的第一邊沿和第二邊沿；

14、其中，所述芯片內(nèi)集成有：

15、第一功率放大電路，所述第一功率放大電路包括多個并聯(lián)的第一放大晶體管，多個所述第一放大晶體管沿所述第一邊沿排列；

16、第二功率放大電路，所述第二功率放大電路包括多個并聯(lián)的第二放大晶體管，多個所述第二放大晶體管沿所述第二邊沿排列。

17、作為一種可選的方式，射頻前端模組還包括：

18、巴倫，設(shè)置于所述基板并與所述芯片連接；

19、所述巴倫包括互相耦合的主級耦合線和次級耦合線，所述主級耦合線和所述次級耦合線均包括相連接的第一節(jié)段和第二節(jié)段，并且所述第一節(jié)段沿平行于所述第一邊沿的方向延伸，所述第二節(jié)段沿平行于所述第二邊沿的方向延伸。

20、基于本申請?zhí)峁┑墓β史糯笃鳌⑿酒吧漕l前端模組，通過將第一放大晶體管與第二放大晶體管沿不同的方向排列，優(yōu)化了功率放大器內(nèi)部電路的布局，減小功率放大器的所占用的面積，利用射頻前端模組的小型化設(shè)計。

技術(shù)特征：

1.一種功率放大器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，多個所述第一放大晶體管設(shè)置于第一布局區(qū)域，多個所述第二放大晶體管設(shè)置于第二布局區(qū)域；所述功率放大器還包括巴倫，所述巴倫設(shè)置于所述第一布局區(qū)域和第二布局區(qū)域的外側(cè)；或者，所述巴倫設(shè)置于所述第一布局區(qū)域和第二布局區(qū)域的內(nèi)側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一功率放大電路的輸出端和所述第二功率放大電路的輸出端分別與所述巴倫連接；或者，所述第一功率放大電路的輸入端和所述第二功率放大電路的輸入端分別與所述巴倫連接；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括巴倫，所述巴倫包括互相耦合的主級耦合線和次級耦合線，所述主級耦合線和所述次級耦合線均包括相連接的第一節(jié)段和第二節(jié)段，并且所述第一節(jié)段沿所述第一方向延伸，所述第二節(jié)段沿所述第二方向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向垂直。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述巴倫包括第一平衡端、第二平衡端和不平衡端；

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述主級耦合線包括第一耦合線和第二耦合線，所述次級耦合線包括第三耦合線，其中所述第三耦合線設(shè)置在所述第一耦合線與所述第二耦合線之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線、所述第二耦合線和所述第三耦合線均設(shè)置于第一金屬層；

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述第一耦合線的第一端、所述第三耦合線的第一端和所述第二耦合線的第一端沿所述第二方向排列；

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述主級耦合線還包括第四耦合線和第五耦合線，所述次級耦合線還包括第六耦合線；

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率放大器，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的功率放大器，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的功率放大器，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的功率放大器，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述次級耦合線還包括第七耦合線和第八耦合線，所述第七耦合線和所述第八耦合線均與所述第三耦合線并聯(lián)；

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第三功率放大電路，所述第三功率放大電路的輸出端與所述第一功率放大電路的輸入端及所述第二功率放大電路的輸入端連接；

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括級間匹配電路，所述級間匹配電路的輸入端與所述第三功率放大電路的輸出端連接，所述級間匹配電路的輸出端與所述第一功率放大電路的輸入端及所述第二功率放大電路的輸入端連接。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的功率放大器，其特征在于，所述級間匹配電路設(shè)置于級間布局區(qū)域，所述級間布局區(qū)域包括遠離所述第一功率放大電路的第一側(cè)邊和遠離所述第二功率放大電路的第二側(cè)邊，其中，部分所述第三放大晶體管沿平行于所述第一側(cè)邊的方向排列，另外部分所述第三放大晶體管沿平行于所述第二側(cè)邊的方向排列。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的功率放大器，其特征在于，所述級間匹配電路包括變壓器，所述變壓器包括互相耦合的輸入耦合線和輸出耦合線；

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的功率放大器，其特征在于，所述輸入耦合線與所述輸出耦合線位于同一金屬層；

22.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一功率放大電路和所述第二功率放大電路集成在芯片內(nèi)，所述芯片包括相交的第一邊沿和第二邊沿，所述第一方向與所述第一邊沿平行，所述第二方向與所述第二邊沿平行。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括偏置模塊，所述偏置模塊設(shè)置于第四布局區(qū)域，并分別與所述第一功率放大電路、所述第二功率放大電路連接；

24.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置模塊包括第一偏置電路和第二偏置電路；

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括至少一個輸出濾波電路，所述輸出濾波電路設(shè)置于第四布局區(qū)域，并分別與所述第一功率放大電路的輸出端、所述第二功率放大電路的輸出端連接；其中，所述第四布局區(qū)域位于所述第一布局區(qū)域的一端與所述第二邊沿之間，以及所述第二布局區(qū)域的一端與所述第一邊沿之間。

26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括：

27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的工作頻段為5.125ghz～7.125ghz。

28.一種芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-23任一項所述的功率放大器。

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的芯片，其特征在于，所述功率放大器還包括巴倫，所述巴倫包括互相耦合的主級耦合線和次級耦合線，

30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的芯片，其特征在于，所述功率放大器還包括巴倫和偏置模塊，所述偏置模塊設(shè)置于所述巴倫的內(nèi)側(cè)。

31.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：

32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的射頻前端模組，其特征在于，還包括：

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的射頻前端模組，其特征在于，所述基板包括至少一層金屬層，所述主級耦合線和所述次級耦合線位于所述基板的同一金屬層。

34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的射頻前端模組，其特征在于，所述基板包括多層金屬層，所述主級耦合線和所述次級耦合線位于所述基板的不同金屬層，并且所述芯片倒扣封裝于所述基板。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種功率放大器、芯片及射頻前端模組，其中功率放大器包括第一功率放大電路和第二功率放大電路，第一功率放大電路包括多個并聯(lián)的第一放大晶體管，多個第一放大晶體管沿第一方向排列；第二功率放大電路包括多個并聯(lián)的第二放大晶體管，多個第二放大晶體管沿第二方向排列；其中，第一方向與第二方向相交?；诒旧暾?zhí)峁┑墓β史糯笃?、芯片及射頻前端模組，通過將第一放大晶體管與第二放大晶體管沿不同的方向排列，優(yōu)化了功率放大器內(nèi)部電路的布局，減小功率放大器的所占用的面積，利于射頻前端模組的小型化設(shè)計。

技術(shù)研發(fā)人員：曹原,劉子林,倪建興
受保護的技術(shù)使用者：銳石創(chuàng)芯（重慶）科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8