本公開內(nèi)容一般地涉及微led制造技術(shù)，并且更特別地，涉及微led和微led顯示面板。

背景技術(shù)：

1、無機(jī)微像素發(fā)光二極管，也稱為微型發(fā)光二極管、微led或μ-led，因用于包括自發(fā)光微型顯示器、可見光通信和光遺傳學(xué)的各種應(yīng)用而變得更為重要。微led的應(yīng)變松弛更好、光提取效率更高并且電流擴(kuò)散均勻，因此具有比常規(guī)led更高的輸出性能。與常規(guī)led相比，微led還顯示出若干優(yōu)點(diǎn)，例如改善的熱效應(yīng)、更快的響應(yīng)速度、更大的工作溫度范圍、更高的分辨率、更廣的色域、更高的對比度、更低的功耗和在更高電流密度下的可操作性。

2、微led可以包括多個(gè)發(fā)光臺(tái)面，并且每個(gè)發(fā)光臺(tái)面可以電連接至相應(yīng)的電極，使得每個(gè)發(fā)光臺(tái)面都可以得到控制。由于多個(gè)發(fā)光臺(tái)面是沿垂直方向設(shè)置的，因此微led內(nèi)可能會(huì)發(fā)生光損失，這可降低發(fā)光效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開內(nèi)容的實(shí)施方案提供一種微led。微led包括：從上到下沿垂直方向設(shè)置的兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面；以及至少一個(gè)分布布拉格反射(distributed?bragg?reflection，dbr)層，形成于相鄰發(fā)光臺(tái)面之間，并且被配置成反射所述相鄰發(fā)光臺(tái)面中設(shè)置在所述dbr層上方的發(fā)光臺(tái)面發(fā)出的光，以及使設(shè)置在dbr層下方的一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面發(fā)出的光通過。

2、本公開內(nèi)容的實(shí)施方案還提供一種微led顯示面板。微led顯示面板包括集成電路(integrated?circuit，ic)背板，其包括底部焊盤陣列，底部焊盤陣列包括復(fù)數(shù)組底部焊盤；以及微led陣列，其形成于ic背板上，微led陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)上述微led。復(fù)數(shù)個(gè)微led中的一個(gè)微led與復(fù)數(shù)組底部焊盤中的一組底部焊盤電連接。

技術(shù)特征：

1.一種微led，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微led，其特征在于，所述dbr層包括復(fù)數(shù)個(gè)第一層和復(fù)數(shù)個(gè)第二層，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一層和所述復(fù)數(shù)個(gè)第二層交替成層，以及所述復(fù)數(shù)個(gè)第一層的第一折射率和所述復(fù)數(shù)個(gè)第二層的第二折射率不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微led，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一層之一的第一厚度基于所述第一折射率和波長來確定；以及

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微led，其特征在于，所述第一厚度通過獲得，以及所述第二厚度通過獲得，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微led，其特征在于，所述波長可調(diào)節(jié)，以基于的關(guān)系獲得所述dbr層的阻帶b。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微led，其特征在于，所述阻帶為100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的微led，其特征在于，所述第一層的第一材料和所述第二層的第二材料之一為非晶硅(a-si)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微led，其特征在于，所述第一層的所述第一材料為sio2，以及所述第二層的所述第二材料為a-si。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的微led，其特征在于，所述第一層的第一材料和所述第二層的第二材料分別為sio2和si3n4。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的微led，其特征在于，所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的微led，其特征在于，所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微led，其特征在于，所述兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面中的每一個(gè)包括：

13.一種微led顯示面板，其特征在于，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微led顯示面板，其特征在于，所述微led還包括形成于所述微led的頂部的頂部導(dǎo)電層，并且復(fù)數(shù)個(gè)所述微led的相應(yīng)頂部導(dǎo)電層相互連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微led顯示面板，其特征在于，所述ic背板還包括頂部連接焊盤，所述頂部導(dǎo)電層與所述ic背板的所述頂部連接焊盤連接。

技術(shù)總結(jié)
一種微LED包括：從上到下沿垂直方向設(shè)置的兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面；以及至少一個(gè)分布布拉格反射(Distributed?Bragg?Reflection，DBR)層，形成于相鄰發(fā)光臺(tái)面之間，并且被配置成反射所述相鄰發(fā)光臺(tái)面中設(shè)置在所述DBR層上方的發(fā)光臺(tái)面發(fā)出的光，以及使設(shè)置在DBR層下方的一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光臺(tái)面發(fā)出的光通過。

技術(shù)研發(fā)人員：顧之琛,陳偉新
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海顯耀顯示科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/20