本文中的本公開(kāi)涉及電極、包括該電極的顯示面板以及制造該電極的方法，并且更具體地，涉及具有提高的制造效率及制造可靠性的電極、包括該電極的顯示面板以及制造該電極的方法。

背景技術(shù)：

1、正在開(kāi)發(fā)可穿戴在身上的各種電子裝置，并且這樣的裝置可以被稱為可穿戴電子裝置?？纱┐麟娮友b置可以具有各種形式，并且可以是可附接到人體的各部位或衣服的，或者是從人體的各部位或衣服可拆卸的。在示例中，可以安裝在用戶頭部上的可穿戴電子裝置可以被稱為例如頭戴式顯示(hmd)裝置。在一些情況下，諸如hmd的裝置可能需要形成具有3000ppi(每英寸像素)以上的超高分辨率的精細(xì)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的目的在于提供一種在實(shí)現(xiàn)高分辨率的同時(shí)具有提高的制造效率的電極、包括該電極的顯示面板以及制造該電極的方法。

2、根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的電極包括第一層，該第一層包括含有銦的透明導(dǎo)電氧化物。第一層包括第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的至少一部分的第二區(qū)域。第一層的與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量大于第一層的與第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量。

3、在實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的電極可以進(jìn)一步包括設(shè)置在第一層下方并且包括鋁的金屬層。

4、在實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的電極可以進(jìn)一步包括設(shè)置在金屬層與第一層之間并且包括氧化鋁的第二層。

5、在實(shí)施例中，透明導(dǎo)電氧化物可以包括氧化銦錫(ito)。

6、在實(shí)施例中，第一層的與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的表面粗糙度可以大于第一層的與第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的表面粗糙度。

7、在實(shí)施例中，第一區(qū)域可以包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)第一子區(qū)域。

8、在實(shí)施例中，第二區(qū)域可以圍繞多個(gè)第一子區(qū)域中的每一個(gè)。

9、在實(shí)施例中，第一層可以被提供為由透明導(dǎo)電氧化物組成的單層。

10、在實(shí)施例中，第一層的厚度可以在約2nm至約12nm的范圍內(nèi)。

11、根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的顯示面板包括像素限定層和發(fā)光元件，像素開(kāi)口被限定在像素限定層中。發(fā)光元件包括通過(guò)像素開(kāi)口被暴露的第一電極、設(shè)置在第一電極上的第二電極以及設(shè)置在第一電極與第二電極之間的至少一個(gè)功能層。第一電極包括第一層，該第一層包括含有銦的透明導(dǎo)電氧化物。第一層包括第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的至少一部分的第二區(qū)域。第一層的與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量大于第一層的與第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量。

12、在實(shí)施例中，第一電極可以進(jìn)一步包括：金屬層，設(shè)置在第一層下方，并且包括鋁；以及第二層，設(shè)置在金屬層與第一層之間，并且包括氧化鋁。

13、在實(shí)施例中，至少一個(gè)功能層可以包括：第一發(fā)射層，發(fā)射第一光；以及第二發(fā)射層，設(shè)置在第一發(fā)射層上，并且發(fā)射不同于第一光的第二光。

14、在實(shí)施例中，發(fā)光元件可以包括在垂直于厚度方向的方向上間隔開(kāi)的第一發(fā)光元件、第二發(fā)光元件和第三發(fā)光元件。第一發(fā)光元件可以發(fā)射紅光，第二發(fā)光元件可以發(fā)射綠光，并且第三發(fā)光元件可以發(fā)射藍(lán)光。

15、根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的制造電極的方法包括：形成初步第一層，該初步第一層包括含有銦的透明導(dǎo)電氧化物；在初步第一層上形成光致抗蝕劑圖案，其中光致抗蝕劑圖案包括開(kāi)口部分；以及通過(guò)使用光致抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻初步第一層來(lái)形成第一層。第一層的形成包括：向初步第一層提供包含氫(h2)等離子體的第一等離子體的第一步驟；以及在第一步驟之后向初步第一層提供第二等離子體的第二步驟。在第一步驟中，透明導(dǎo)電氧化物中的銦通過(guò)第一等離子體而聚集并形成聚集圖案。在第二步驟中提供第二等離子體對(duì)聚集圖案進(jìn)行蝕刻。

16、在實(shí)施例中，第一步驟和第二步驟中的每一個(gè)可以被多次執(zhí)行，并且第一步驟和第二步驟可以被交替執(zhí)行。

17、在實(shí)施例中，第一層可以包括第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的至少一部分的第二區(qū)域。第一層的與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量可以大于第一層的與第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量。

18、在實(shí)施例中，第一區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于在第一步驟中形成聚集圖案的區(qū)域。

19、在實(shí)施例中，提供第一等離子體的第一步驟可以被執(zhí)行30秒以上。

20、在實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的制造電極的方法可以進(jìn)一步包括：在初步第一層的形成之前形成含有鋁的初步金屬層。

21、初步第一層可以形成在初步金屬層上。

22、在實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)所支持的實(shí)施例的制造電極的方法可以進(jìn)一步包括蝕刻初步金屬層以形成金屬層，其中初步金屬層的蝕刻可以與初步第一層的用于形成第一層的蝕刻一起執(zhí)行。

技術(shù)特征：

1.一種電極，包括第一層，所述第一層包括含有銦的透明導(dǎo)電氧化物，其中：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極，進(jìn)一步包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物包括氧化銦錫。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述第一層的與所述第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述表面的表面粗糙度大于所述第一層的與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述表面的表面粗糙度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述第一區(qū)域包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)第一子區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極，其中，所述第二區(qū)域圍繞所述多個(gè)第一子區(qū)域中的每一個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述第一層被提供為由所述透明導(dǎo)電氧化物組成的單層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電極，其中，所述第一層的厚度在2nm至12nm的范圍內(nèi)。

10.一種顯示面板，包括像素限定層和發(fā)光元件，像素開(kāi)口被限定在所述像素限定層中，其中：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，所述第一電極進(jìn)一步包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，所述至少一個(gè)功能層包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中：

14.一種制造電極的方法，所述方法包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造電極的方法，其中，所述第一步驟和所述第二步驟中的每一個(gè)被多次執(zhí)行，并且所述第一步驟和所述第二步驟被交替執(zhí)行。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造電極的方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造電極的方法，其中，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于在所述第一步驟中形成所述聚集圖案的區(qū)域。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造電極的方法，其中，提供所述第一等離子體的所述第一步驟被執(zhí)行30秒以上。

19.根據(jù)權(quán)利要求14至18中任一項(xiàng)所述的制造電極的方法，進(jìn)一步包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造電極的方法，進(jìn)一步包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)電極、包括該電極的顯示面板以及制造該電極的方法。根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的電極包括第一層，該第一層包括含有銦的透明導(dǎo)電氧化物。第一層包括第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的至少一部分的第二區(qū)域。第一層的與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量大于第一層的與第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的表面的銦含量。

技術(shù)研發(fā)人員：樸雪慧,金坤鎬,樸潤(rùn)婀,裵男才,李荷娜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8