本發(fā)明涉及一種磁疇壁移動元件及磁存儲陣列。

背景技術(shù)：

1、取代在微細(xì)化中可見極限的閃存等的下一代非易失性存儲器備受關(guān)注。作為下一代非易失性存儲器，已知例如mram(magnetoresistive?random?access?memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲器)、reram(resistance?randome?access?memory，阻變式存儲器)、pcram(phase?change?random?access?memory，相變隨機(jī)存儲器)等。

2、mram將由于磁化的方向的變化而產(chǎn)生的電阻值變化用于數(shù)據(jù)存儲。數(shù)據(jù)存儲由構(gòu)成mram的磁阻變化元件分別承擔(dān)。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了將寫入電流和讀出電流的路徑分開的3端子型的磁阻效應(yīng)元件。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：專利第6275806號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、有時在微細(xì)化磁阻效應(yīng)元件時進(jìn)行稱為減薄(slimming)的處理。減薄是對磁阻效應(yīng)元件的側(cè)面照射離子束，并減小磁阻效應(yīng)元件的俯視面積的處理。然而，如果離子束照射到露出的金屬面，則有時金屬的一部分飛散，再次附著到磁阻效應(yīng)元件的側(cè)壁。附著到磁阻效應(yīng)元件的側(cè)壁的雜質(zhì)使構(gòu)成磁阻效應(yīng)元件的鐵磁性體的磁特性劣化。另外，附著的雜質(zhì)也成為磁阻效應(yīng)元件的泄漏的原因。附著于磁阻效應(yīng)元件的側(cè)壁的雜質(zhì)會降低磁阻效應(yīng)元件的可靠性。

3、本發(fā)明鑒于上述問題而完成，提供一種可靠性高的磁阻效應(yīng)元件及磁存儲陣列。

4、用于解決技術(shù)問題的手段

5、(1)第一方式的磁疇壁移動元件從靠近基板的一側(cè)起依次層疊有第一鐵磁性層、非磁性層和第二鐵磁性層，從層疊方向俯視，在沿著與所述第一鐵磁性層延伸的第一方向正交的第二方向切斷的切斷面上，所述第一鐵磁性層的所述第二方向的最短寬度比所述非磁性層的所述第二方向的寬度短。

6、(2)在上述方式的磁疇壁移動元件的沿著所述層疊方向及所述第二方向的切斷面上，所述第一鐵磁性層的側(cè)面可以相對于所述層疊方向傾斜。

7、(3)在上述方式的磁疇壁移動元件的沿著所述層疊方向及所述第二方向的切斷面上，所述第一鐵磁性層的側(cè)面可以具有第一傾斜面和第二傾斜面，第一傾斜面從所述第一鐵磁性層的靠近所述基板的一側(cè)的下端朝向所述第一鐵磁性層的所述第二方向的中央傾斜，第二傾斜面從所述第一鐵磁性層的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的上端朝向所述第一鐵磁性層的所述第二方向的中央傾斜。

8、(4)在上述方式的磁疇壁移動元件中，也可以是，所述第一鐵磁性層的所述非磁性層側(cè)的第一面的所述第二方向的寬度比所述非磁性層的所述第二方向的寬度短。

9、(5)在上述方式的磁疇壁移動元件中，也可以是，所述第一鐵磁性層的所述第二方向的寬度成為最短的位置處于比所述第一鐵磁性層的所述層疊方向的中央更靠所述非磁性層側(cè)。

10、(6)在上述方式的磁疇壁移動元件中，也可以是，所述第一鐵磁性層的所述第二方向的最長寬度比所述非磁性層的所述第二方向的寬度短。

11、(7)在上述方式的磁疇壁移動元件中，也可以是，所述第一鐵磁性層的遠(yuǎn)離所述非磁性層的一側(cè)的第二面的所述第二方向的寬度比所述非磁性層的所述第二方向的寬度長。

12、(8)在上述方式的磁疇壁移動元件中，所述非磁性層的厚度也可以是以上。

13、(9)在上述方式的磁疇壁移動元件中，也可以是，所述非磁性層的銑削速率比所述第一鐵磁性層的銑削速率慢。

14、(10)就上述方式的磁疇壁移動元件而言，也可以是，在所述第一鐵磁性層的與所述非磁性層相反側(cè)還具備基底層，所述基底層的銑削速率比所述第一鐵磁性層慢。

15、(11)也可以是，上述方式的磁疇壁移動元件的所述第一鐵磁性層包含構(gòu)成所述基底層的元素，關(guān)于所述元素的豐度，在所述層疊方向上處于比所述第一鐵磁性層的所述第二方向的寬度最短的位置更靠所述基底層側(cè)的第一區(qū)域比在所述層疊方向上處于比所述第一鐵磁性層的所述第二方向的寬度最短的位置更靠所述非磁性層側(cè)的第二區(qū)域濃。

16、(12)就上述方式的磁疇壁移動元件也可以具有沿所述第一方向夾著所述非磁性層且經(jīng)由所述基底層與所述第一鐵磁性層電連接的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電部各自的所述第二方向的寬度比所述第一鐵磁性層的所述第二方向的寬度寬，所述基底層的銑削速率比所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電部的銑削速率慢。

17、(13)上述方式的磁疇壁移動元件也可以在所述第二鐵磁性層的所述第二方向的側(cè)方還具備與所述第二鐵磁性層不同的金屬層。

18、(14)第二方式的磁存儲陣列具有多個上述方式的磁疇壁移動元件。

19、發(fā)明效果

20、上述方式的磁疇壁移動元件及磁存儲陣列的可靠性優(yōu)異。

技術(shù)特征：

1.一種磁疇壁移動元件，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的磁疇壁移動元件，其特征在于，

13.一種磁存儲陣列，其具有多個權(quán)利要求1～12中任一項所述的磁疇壁移動元件。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種可靠性高的磁疇壁移動元件及磁存儲陣列。本實施方式的磁疇壁移動元件從靠近基板的一側(cè)起依次層疊有第一鐵磁性層、非磁性層、第二鐵磁性層，從層疊方向俯視，在沿著與所述第一鐵磁性層延伸的第一方向正交的第二方向切斷的切斷面上，所述第一鐵磁性層的所述第二方向的最短寬度比所述非磁性層的所述第二方向的寬度短。

技術(shù)研發(fā)人員：蘆田拓也,柴田龍雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8