本申請屬于太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、太陽能電池發(fā)電為一種可持續(xù)的清潔能源來源，其利用半導(dǎo)體p-n結(jié)的光生伏特效應(yīng)可以將太陽光轉(zhuǎn)化成電能。相關(guān)技術(shù)中，太陽能電池容易在生產(chǎn)、運輸?shù)倪^程中在邊緣產(chǎn)生破口，在應(yīng)力的作用下發(fā)生斷裂。

2、基于此，如何降低太陽能電池?fù)p壞的風(fēng)險，成為了亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)，旨在解決如何降低太陽能電池?fù)p壞的風(fēng)險的問題。

2、本申請?zhí)峁┑奶柲茈姵?，包括正面、背面和若干?cè)面，所述正面和所述背面相對，所述側(cè)面位于所述正面和所述背面之間；所述側(cè)面包括倒角側(cè)面，所述倒角側(cè)面形成有鱗狀紋理。

3、具體地，所述倒角側(cè)面為直面；或，所述倒角側(cè)面為曲面。

4、具體地，所述鱗狀紋理包括第一鱗紋和第二鱗紋，所述第一鱗紋的寬度小于所述第二鱗紋的寬度。

5、具體地，所述第一鱗紋的數(shù)量大于所述第二鱗紋的數(shù)量。

6、具體地，所述第一鱗紋的寬度為0.1μm-3μm。

7、具體地，所述第二鱗紋的寬度為3μm-20μm。

8、具體地，所述倒角側(cè)面的最大高度差為0.1μm-10μm。

9、具體地，所述側(cè)面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層包括硼硅玻璃層、多晶硅層、磷硅玻璃層中的至少一種。

10、具體地，所述側(cè)面包括邊側(cè)面，所述邊側(cè)面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域位于所述側(cè)面靠近所述正面的一側(cè)，所述第二區(qū)域位于所述側(cè)面靠近所述背面的一側(cè)，所述保護(hù)層位于所述第二區(qū)域。

11、具體地，所述第一區(qū)域的寬度和所述第二區(qū)域的寬度的比值范圍為1-2。

12、具體地，所述太陽能電池包括硅襯底，所述保護(hù)層覆蓋所述硅襯底并形成有通孔，所述硅襯底在所述通孔處形成凹陷結(jié)構(gòu)。

13、具體地，所述凹陷結(jié)構(gòu)的尺寸為0.2μm-5μm。

14、具體地，所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度為0.1μm-5μm。

15、本申請?zhí)峁┑碾姵亟M件，包括上述任一項的太陽能電池。

16、本申請?zhí)峁┑墓夥到y(tǒng)，包括上述任一項的電池組件。

17、本申請實施例的太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)，由于在倒角側(cè)面形成鱗狀紋理，故可以使得倒角側(cè)面更加平緩，從而可以更好地抵抗劃傷或外物沖擊，有利于降低太陽能電池?fù)p壞的風(fēng)險。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括正面、背面和若干側(cè)面，所述正面和所述背面相對，所述側(cè)面位于所述正面和所述背面之間；所述側(cè)面包括倒角側(cè)面，所述倒角側(cè)面形成有鱗狀紋理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述倒角側(cè)面為直面；或，所述倒角側(cè)面為曲面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述鱗狀紋理包括第一鱗紋和第二鱗紋，所述第一鱗紋的寬度小于所述第二鱗紋的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鱗紋的數(shù)量大于所述第二鱗紋的數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鱗紋的寬度為0.1μm-3μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二鱗紋的寬度為3μm-20μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述倒角側(cè)面的最大高度差為0.1μm-10μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述側(cè)面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層包括硼硅玻璃層、多晶硅層、磷硅玻璃層中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述側(cè)面包括邊側(cè)面，所述邊側(cè)面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域位于所述側(cè)面靠近所述正面的一側(cè)，所述第二區(qū)域位于所述側(cè)面靠近所述背面的一側(cè)，所述保護(hù)層位于所述第二區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一區(qū)域的寬度和所述第二區(qū)域的寬度的比值范圍為1-2。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括硅襯底，所述保護(hù)層覆蓋所述硅襯底并形成有通孔，所述硅襯底在所述通孔處形成凹陷結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，所述凹陷結(jié)構(gòu)的尺寸為0.2μm-5μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度為0.1μm-5μm。

14.一種電池組件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-13任一項所述的太陽能電池。

15.一種光伏系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求14所述的電池組件。

技術(shù)總結(jié)
本申請適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)。太陽能電池包括正面、背面和若干側(cè)面，正面和背面相對，側(cè)面位于正面和背面之間；側(cè)面包括倒角側(cè)面，倒角側(cè)面形成有鱗狀紋理。如此，由于在倒角側(cè)面形成鱗狀紋理，故可以使得倒角側(cè)面更加平緩，從而可以更好地抵抗劃傷或外物沖擊，有利于降低太陽能電池?fù)p壞的風(fēng)險。

技術(shù)研發(fā)人員：樓俊杰,邱開富,韋沛成,宗貝貝,吳濤,李小磊,王永謙,陳剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海富山愛旭太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8