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發(fā)聲模組的制作方法

文檔序號(hào):41842142發(fā)布日期:2025-05-09 18:00閱讀:2來(lái)源:國(guó)知局
發(fā)聲模組的制作方法

本技術(shù)涉及電聲轉(zhuǎn)換器,特別涉及發(fā)聲模組。


背景技術(shù):

1、目前,揚(yáng)聲器等動(dòng)圈式發(fā)音單元是通過(guò)電磁力驅(qū)動(dòng)線圈,線圈帶動(dòng)與之粘接的振膜做往復(fù)運(yùn)動(dòng),從而向外輻射聲波,揚(yáng)聲器的驅(qū)動(dòng)力來(lái)源于音圈中通電導(dǎo)線切割磁感線產(chǎn)生的安培力,常規(guī)架構(gòu)中的磁力線密集區(qū)是內(nèi)外華司的磁間隙。

2、對(duì)于中心磁鋼而言,靠近音圈的邊緣區(qū)域?qū)︱?qū)動(dòng)力影響很大,而中間區(qū)域產(chǎn)生的磁通密度并沒(méi)有得到充分的利用,無(wú)法進(jìn)一步提升磁鋼效率,進(jìn)而使得發(fā)聲模組的性能無(wú)法進(jìn)一步提升。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題為:提供一種驅(qū)動(dòng)力大的高性能發(fā)聲模組。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:發(fā)聲模組,包括:

3、模組外殼,所述模組外殼的內(nèi)表面設(shè)有第一永磁體;

4、揚(yáng)聲器單體,所述揚(yáng)聲器單體安裝于所述模組外殼內(nèi),所述揚(yáng)聲器單體包括

5、盆架;

6、振膜組件,所述振膜組件連接所述盆架;

7、音圈,所述音圈連接所述振膜組件;

8、磁路組件,所述磁路組件連接所述盆架,所述磁路組件包括軛鐵和設(shè)于所述軛鐵上的中心磁結(jié)構(gòu),所述磁路組件具有供所述音圈活動(dòng)的磁間隙;

9、電磁鐵組件,所述電磁鐵組件設(shè)于所述振膜組件靠近所述軛鐵的一側(cè)且對(duì)應(yīng)于所述中心磁結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域設(shè)置,所述電磁鐵組件包括軟磁體和圍繞所述軟磁體設(shè)置的線圈;

10、第二永磁體,所述第二永磁體設(shè)于所述振膜組件靠近所述軛鐵的一側(cè),所述第二永磁體靠近所述電磁鐵組件設(shè)置;

11、所述第二永磁體靠近所述第一永磁體的一端的磁極極性與所述第一永磁體靠近所述第二永磁體一端的磁極極性相同,所述第二永磁體遠(yuǎn)離所述第一永磁體的一端的磁極極性與所述中心磁結(jié)構(gòu)靠近所述振膜組件的一端的磁極極性相同。

12、在一實(shí)施例中,所述電磁鐵組件位于至少一組相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)所述第二永磁體之間。

13、在一實(shí)施例中,所述第二永磁體整體呈環(huán)框狀,所述電磁鐵組件位于所述第二永磁體的中空區(qū)域內(nèi)。

14、在一實(shí)施例中,所述中心磁結(jié)構(gòu)的頂面設(shè)有用于避讓所述電磁鐵組件及所述第二永磁體的避讓槽。

15、在一實(shí)施例中,所述中心磁結(jié)構(gòu)包括中心磁鋼和中心華司,所述中心磁鋼連接所述中心華司與軛鐵,所述避讓槽連通所述中心華司的頂面與底面。

16、在一實(shí)施例中,所述避讓槽的一部分位于所述中心華司上,另一部分位于所述中心磁鋼上。

17、在一實(shí)施例中,所述振膜組件的中央?yún)^(qū)域設(shè)有下凹部,所述下凹部對(duì)應(yīng)于所述第一永磁體設(shè)置以避讓所述第一永磁體,所述電磁鐵組件及所述第二永磁體均設(shè)于所述下凹部的底面。

18、在一實(shí)施例中,在振膜組件振動(dòng)時(shí),所述避讓槽實(shí)現(xiàn)對(duì)所述下凹部的避讓。

19、在一實(shí)施例中,所述振膜組件包括音膜和中貼,所述音膜包括由內(nèi)向外依次相連的內(nèi)固定部、折環(huán)部和外固定部,所述外固定部連接所述盆架,所述內(nèi)固定部上設(shè)有開(kāi)窗,所述中貼連接所述內(nèi)固定部并封閉所述開(kāi)窗,所述電磁鐵組件設(shè)于所述中貼上。

20、在一實(shí)施例中,所述中貼位于所述內(nèi)固定部遠(yuǎn)離所述軛鐵的一側(cè)。

21、本實(shí)用新型的有益效果在于:

22、本發(fā)聲模組結(jié)構(gòu)新穎,振膜組件上增設(shè)了電磁鐵組件,通過(guò)切換通入線圈的電流的方向即可改變電磁鐵組件的磁極方向,從而與中心磁結(jié)構(gòu)產(chǎn)生吸力或斥力,電磁鐵組件受到的力和音圈切割磁感線產(chǎn)生的安培力之和即為揚(yáng)聲器單體的驅(qū)動(dòng)力,也就是說(shuō),揚(yáng)聲器單體為動(dòng)圈與動(dòng)鐵的混合驅(qū)動(dòng)架構(gòu),其總驅(qū)動(dòng)力得到了明顯提升,從而使得揚(yáng)聲器單體的性能得到進(jìn)一步提高。

23、揚(yáng)聲器單體中,位于中心磁結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域的上方的電磁鐵組件充分利用了中心磁結(jié)構(gòu)中間區(qū)域產(chǎn)生的磁通,有效地提高了電聲轉(zhuǎn)換效率。

24、第二永磁體可以防止線圈在未通電時(shí),軟磁體被中心磁結(jié)構(gòu)所吸引以致于振膜組件坍縮,而利用軟磁體作為芯材的電磁鐵組件具有更強(qiáng)的磁力效果,有利于更大程度地增強(qiáng)發(fā)聲單元的驅(qū)動(dòng)力,進(jìn)一步提高發(fā)聲單元的性能表現(xiàn);模組外殼的內(nèi)表面的第一永磁體的設(shè)置可以避免未通電狀態(tài)時(shí),第二永磁體被模組外殼上的金屬或者外部器件吸引,有利于保持振膜組件的平衡穩(wěn)定狀態(tài)。



技術(shù)特征:

1.發(fā)聲模組,其特征在于:包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述電磁鐵組件位于至少一組相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)所述第二永磁體之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述第二永磁體整體呈環(huán)框狀,所述電磁鐵組件位于所述第二永磁體的中空區(qū)域內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述中心磁結(jié)構(gòu)的頂面設(shè)有用于避讓所述電磁鐵組件及所述第二永磁體的避讓槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述中心磁結(jié)構(gòu)包括中心磁鋼和中心華司,所述中心磁鋼連接所述中心華司與軛鐵,所述避讓槽連通所述中心華司的頂面與底面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述避讓槽的一部分位于所述中心華司上,另一部分位于所述中心磁鋼上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述振膜組件的中央?yún)^(qū)域設(shè)有下凹部,所述下凹部對(duì)應(yīng)于所述第一永磁體設(shè)置以避讓所述第一永磁體,所述電磁鐵組件及所述第二永磁體均設(shè)于所述下凹部的底面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)聲模組,其特征在于:在振膜組件振動(dòng)時(shí),所述避讓槽實(shí)現(xiàn)對(duì)所述下凹部的避讓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述振膜組件包括音膜和中貼,所述音膜包括由內(nèi)向外依次相連的內(nèi)固定部、折環(huán)部和外固定部,所述外固定部連接所述盆架,所述內(nèi)固定部上設(shè)有開(kāi)窗,所述中貼連接所述內(nèi)固定部并封閉所述開(kāi)窗,所述電磁鐵組件設(shè)于所述中貼上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)聲模組,其特征在于:所述中貼位于所述內(nèi)固定部遠(yuǎn)離所述軛鐵的一側(cè)。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了發(fā)聲模組,包括模組外殼和揚(yáng)聲器單體,模組外殼的內(nèi)表面設(shè)有第一永磁體;揚(yáng)聲器單體包括盆架、振膜組件、音圈、磁路組件、電磁鐵組件和第二永磁體,振膜組件連接盆架;音圈連接振膜組件;磁路組件連接盆架,磁路組件包括軛鐵和設(shè)于軛鐵上的中心磁結(jié)構(gòu),磁路組件具有供音圈活動(dòng)的磁間隙;電磁鐵組件設(shè)于振膜組件靠近軛鐵的一側(cè)且對(duì)應(yīng)于中心磁結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域設(shè)置,電磁鐵組件包括軟磁體和圍繞軟磁體設(shè)置的線圈;第二永磁體設(shè)于振膜組件靠近軛鐵的一側(cè),第二永磁體靠近電磁鐵組件設(shè)置;第二永磁體靠近第一永磁體的一端的磁極極性與第一永磁體靠近第二永磁體一端的磁極極性相同。本發(fā)聲模組驅(qū)動(dòng)力大,聲學(xué)性能佳。

技術(shù)研發(fā)人員:許飛龍,林嘉平
受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市維仕聲學(xué)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240618
技術(shù)公布日:2025/5/8
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