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用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯與流程

文檔序號:41867302發(fā)布日期:2025-05-09 18:32閱讀:4來源:國知局
用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯與流程

本申請屬于鈉冷快堆生產(chǎn)同位素,尤其涉及一種用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯。


背景技術(shù):

1、鈉冷快堆具有中子通量密度大(1015量級)、中子能量高的特點(diǎn)。鈉冷快堆生產(chǎn)244cm、238pu、252cf等超鈾同位素,需將高通量的快中子譜慢化成合適的超熱中子/熱中子譜,之后輻照生產(chǎn)244cm、238pu、252cf等超鈾同位素。

2、現(xiàn)有的池式鈉冷快堆的堆芯部分示意圖如圖1所示,包括布置的徑向轉(zhuǎn)換組件、安全棒控制棒組件2、非能動(dòng)棒控制棒組件3、調(diào)節(jié)棒控制棒組件4、補(bǔ)償棒控制棒組件5、燃料組件6。

3、目前,利用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素時(shí),在靶件內(nèi)添加慢化劑和熱中子吸收材料,通過慢化劑將進(jìn)入靶件的快中子譜慢化為超熱中子/熱中子譜,來降低堆芯擾動(dòng),然而這種方式的慢化效果有限,堆芯擾動(dòng)仍較大。其原因在于,單個(gè)組件空間有限,既要放置慢化劑材料,又要放置靶件,因此可放置的慢化劑材料較少,慢化效果有限;由于超熱中子/熱中子的裂變反應(yīng)截面遠(yuǎn)高于快中子,因此如果在堆芯燃料區(qū)放置慢化劑將對堆芯擾動(dòng)大。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的主要目的在于提供一種用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯,解決超鈾同位素生產(chǎn)時(shí),慢化效果有限、堆芯擾動(dòng)較大的問題。

2、本申請的另一目的在于提供一種用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯,解決快中子能譜不利于超鈾同位素的生產(chǎn)的問題,通過將鈉冷快堆的快中子慢化為超熱中子/熱中子,本申請有利于生產(chǎn)超鈾同位素。

3、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請?zhí)峁┤缦录夹g(shù)方案:

4、第一方面,本申請?zhí)峁┝艘环N用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,包括:

5、在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上插花布置慢化劑組件和超鈾同位素生產(chǎn)組件;

6、在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈上布置若干個(gè)所述超鈾同位素生產(chǎn)組件;

7、在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上布置的所述慢化劑組件和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件朝向堆芯中心的一側(cè)涂有熱中子吸收材料。

8、在一些實(shí)施例中,所述慢化劑組件和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上依次交錯(cuò)布置。

9、在一些實(shí)施例中,通過換料機(jī)在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上插花布置所述慢化劑組件和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件,在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈上布置所述超鈾同位素生產(chǎn)組件。

10、在一些實(shí)施例中,在不同的所述超鈾同位素生產(chǎn)組件中布置不同的待輻照材料,將所述超鈾同位素生產(chǎn)組件布置到鈉冷快堆堆芯中,以同時(shí)生產(chǎn)多種不同的同位素。

11、在一些實(shí)施例中,所述熱中子吸收材料采用eu2o3熱中子吸收材料。

12、在一些實(shí)施例中,所述慢化劑組件內(nèi)設(shè)置有zrh慢化劑。

13、第二方面,本申請?zhí)峁┝艘环N生產(chǎn)超鈾同位素的鈉冷快堆堆芯,具有徑向轉(zhuǎn)換區(qū),所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)包括徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈和徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈;所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上布置有述慢化劑組件和超鈾同位素生產(chǎn)組件,所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈上布置有所述超鈾同位素生產(chǎn)組件,所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈朝向堆芯中心的一側(cè)布置有熱中子吸收材料。

14、在一些實(shí)施例中,所述慢化劑組件和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上依次交錯(cuò)布置。

15、在一些實(shí)施例中,所述熱中子吸收材料為eu2o3熱中子吸收材料。

16、在一些實(shí)施例中,所述慢化劑組件為zrh慢化劑組件。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本申請?zhí)峁┑挠免c冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯具有以下有益效果:

18、本申請?jiān)阝c冷快堆堆芯外圍設(shè)置專用的超熱中子/熱中子同位素生產(chǎn)區(qū)域,將超鈾同位素集中在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)生產(chǎn)。本申請慢化效果好,對堆芯擾動(dòng)小,產(chǎn)能大。其中,專用的超熱中子/熱中子同位素生產(chǎn)區(qū)域本身不存在,通過在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)插花布置慢化劑組件,慢化快中子為超熱中子,那么徑向轉(zhuǎn)換區(qū)除慢化劑組件外的其他位置,即為超熱中子/熱中子同位素生產(chǎn)區(qū)域。



技術(shù)特征:

1.一種用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,所述慢化劑組件(8)和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9)在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上依次交錯(cuò)布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,通過換料機(jī)在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上插花布置所述慢化劑組件(8)和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9),在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈上布置所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,在不同的所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9)中布置不同的待輻照材料,將所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9)布置到鈉冷快堆堆芯中,以同時(shí)生產(chǎn)多種不同的同位素。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,所述熱中子吸收材料(7)采用eu2o3熱中子吸收材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法,其特征在于,所述慢化劑組件(8)內(nèi)設(shè)置有zrh慢化劑。

7.一種生產(chǎn)超鈾同位素的鈉冷快堆堆芯,其特征在于,具有徑向轉(zhuǎn)換區(qū),所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)包括徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈和徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈;所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上布置有述慢化劑組件(8)和超鈾同位素生產(chǎn)組件(9),所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第二圈上布置有所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9),所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈朝向堆芯中心的一側(cè)布置有熱中子吸收材料(7)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)超鈾同位素的鈉冷快堆堆芯,其特征在于,所述慢化劑組件(8)和所述超鈾同位素生產(chǎn)組件(9)在所述徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上依次交錯(cuò)布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)超鈾同位素的鈉冷快堆堆芯,其特征在于,所述熱中子吸收材料(7)為eu2o3熱中子吸收材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)超鈾同位素的鈉冷快堆堆芯,其特征在于,所述慢化劑組件(8)為zrh慢化劑組件。


技術(shù)總結(jié)
本申請屬于鈉冷快堆生產(chǎn)同位素技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決超鈾同位素生產(chǎn)時(shí),慢化效果有限、堆芯擾動(dòng)較大,以及快中子能譜不利于超鈾同位素的生產(chǎn)的問題。本申請?zhí)峁┝艘环N用鈉冷快堆生產(chǎn)超鈾同位素的方法、鈉冷快堆堆芯,該方法在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上插花布置慢化劑組件和超鈾同位素生產(chǎn)組件,在第二圈上布置超鈾同位素生產(chǎn)組件,在第一圈朝向堆芯中心的一側(cè)涂熱中子吸收材料;該堆芯具有徑向轉(zhuǎn)換區(qū),徑向轉(zhuǎn)換區(qū)第一圈上布置有慢化劑組件和超鈾同位素生產(chǎn)組件,第二圈上布置有超鈾同位素生產(chǎn)組件,第一圈朝向堆芯中心的一側(cè)布置有熱中子吸收材料。本申請將超鈾同位素集中在徑向轉(zhuǎn)換區(qū)生產(chǎn),慢化效果好,對堆芯擾動(dòng)小,產(chǎn)能大。

技術(shù)研發(fā)人員:張東輝,王汗,于永璋,葉國棟,毛樹忠,楊敏,鐘子杰,張名飛,陳怡強(qiáng),童嘉銘,嚴(yán)志良,朱志飛,戴春波,張旭
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中核龍?jiān)萍加邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/8
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