技術(shù)編號：41873389
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請請求年月日提交的名稱為“in-situ?carbon?liner?for?highaspect?ratio?features”的美國專利申請第/,號的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，該美國專利申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體工藝和材料。更特別地，本技術(shù)涉及在處理以蝕穿材料層疊層期間形成保護層。背景技術(shù)、通過在基板表面上產(chǎn)生復(fù)雜圖案化材料層的工藝使得集成電路成為可能。在基板上產(chǎn)生圖案化材料需要形成及移除暴露材料的受控方法。疊層內(nèi)存(諸如豎直或d?nand)可...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。