本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬線柵偏振片基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

線性偏振片是顯示面板中的一個(gè)重要器件，可以將自然光變成線性偏振光，偏振光的偏振方向與線性偏振片的偏振方向一致。現(xiàn)有的一種線性偏振片如圖1所示，為金屬線柵偏振片(wiregrippolarizer，wgp)的結(jié)構(gòu)，包括襯底基板011，位于襯底基板011上的金屬線柵012，覆蓋金屬線柵012的保護(hù)層013。其中，金屬線柵012包括由一排平行的金屬線121，沿金屬線121的方向?yàn)橥干浞较?，入射光可分解為振動方向與透射方向平行的光和振動方向與透射方向垂直的光，振動方向與透射方向垂直的光無法透過，振動方向與透射方向平行的光可以透過，因而可以得到沿透射方向偏振的線性偏振光。圖1所示的金屬線柵偏振片基板的結(jié)構(gòu)中，實(shí)際生產(chǎn)工藝中，由于金屬線柵012是相對襯底基板凸起的結(jié)構(gòu)，即使覆蓋了較厚的保護(hù)層013，在偏振片的表面實(shí)際仍然會存在凹凸不平的問題，平整度較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種金屬線柵偏振片基板及其制作方法，用于解決現(xiàn)有的金屬線柵偏振片的表面平整度較差的問題。

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種金屬線柵偏振片基板，包括：襯底基板和金屬線柵；其中，所述金屬線柵由平行排列的多條金屬線構(gòu)成，用于使透過的光成為線性偏振光；所述襯底基板的一側(cè)表面具有多個(gè)凹槽，所述多條金屬線分別設(shè)置于所述襯底基板的多個(gè)凹槽內(nèi)，且所述多條金屬線的表面與所述襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平。

較佳地，所述金屬線柵的材料為鋁、鈦或者銀。

較佳地，所述金屬線的線寬的范圍是50～200nm；所述金屬線的厚度的范圍是50～400nm。

較佳地，還包括覆蓋所述金屬線柵的保護(hù)層。

較佳地，還包括位于所述保護(hù)層上的薄膜晶體管tft陣列。

一種如以上任一項(xiàng)所述的金屬線柵偏振片基板的制作方法，該方法包括：

采用構(gòu)圖工藝在所述襯底基板的一側(cè)表面刻蝕多個(gè)凹槽的圖形；

在所述襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上覆蓋一整層金屬薄膜；所述金屬薄膜的厚度大于所述凹槽的深度；

至少將所述金屬薄膜凸出于所述襯底基板的表面減薄，以形成設(shè)置于所述襯底基板的多個(gè)凹槽內(nèi)的金屬線柵的圖形；其中，所述金屬線柵由平行排列的多條金屬線構(gòu)成；所述多條金屬線分別設(shè)置于所述襯底基板的多個(gè)凹槽內(nèi)；所述多條金屬線的表面與所述襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平。

較佳地，至少將所述金屬薄膜凸出于所述襯底基板的表面減薄，包括：

將所述金屬薄膜減薄的同時(shí)，將所述襯底基板刻蝕有凹槽圖形的一側(cè)表面減薄。

較佳地，至少將所述金屬薄膜凸出于所述襯底基板的表面減薄，包括：

利用化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)，至少將所述金屬薄膜凸出于所述襯底基板的表面減薄。

較佳地，所述采用構(gòu)圖工藝在所述襯底基板的一側(cè)表面刻蝕多個(gè)凹槽的圖形，包括：

在所述襯底基板的一側(cè)表面涂覆光刻膠層，并對所述光刻膠層曝光顯影，形成與凹槽的圖形對應(yīng)的圖形；

利用所述光刻膠層中與凹槽的圖形對應(yīng)的圖形和干法刻蝕工藝，對所述襯底基板的一側(cè)表面進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)凹槽的圖形。

較佳地，在所述襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上覆蓋一整層金屬薄膜，包括：

利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在所述襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上沉積一整層金屬薄膜。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬線柵偏振片基板及其制作方法中，金屬線柵的各金屬線設(shè)置在襯底基板的一側(cè)表面的各個(gè)凹槽內(nèi)，且多條金屬線的表面與襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平，使得金屬線柵偏振片基板的整個(gè)表面平整，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了平整度。并且，在生產(chǎn)工藝中，需要在襯底基板上刻蝕凹槽，與現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行凸起的金屬線柵的刻蝕相比，刻蝕凹槽的工藝更加簡單可控，從而使得金屬線柵的金屬線的均勻性更好。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種金屬線柵偏振片基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種襯底基板的凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的俯視圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的制作方法流程圖；

圖7a～圖7d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明提供的一種金屬線柵偏振片基板及其制作方法進(jìn)行更詳細(xì)地說明。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬線柵偏振片基板，如圖2和圖3所示，包括：襯底基板021和金屬線柵022；其中，金屬線柵022由平行排列的多條金屬線221構(gòu)成，用于使透過的光成為線性偏振光；襯底基板021的一側(cè)表面具有多個(gè)凹槽211，多條金屬線221分別設(shè)置于襯底基板021的多個(gè)凹槽211內(nèi)，且多條金屬線221的表面與襯底基板021具有凹槽的一側(cè)表面齊平。

假設(shè)圖2中襯底基板021具有凹槽的一側(cè)表面為上表面，從圖中可以看出，多條金屬線221的上表面與襯底基板021的上表面齊平。

圖4中示出了襯底基板021的凹槽內(nèi)設(shè)置金屬線221的俯視圖。

本發(fā)明實(shí)施例中，金屬線柵的各金屬線設(shè)置在襯底基板的一側(cè)表面的各個(gè)凹槽內(nèi)，且多條金屬線的表面與襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平，使得金屬線柵偏振片基板的整個(gè)表面平整，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了平整度。并且，在生產(chǎn)工藝中，需要在襯底基板上刻蝕凹槽，與現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行凸起的金屬線柵的刻蝕相比，刻蝕凹槽的工藝更加簡單可控，從而使得金屬線柵的金屬線的均勻性更好。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，金屬線的線寬的范圍是50～200nm；金屬線的厚度的范圍是50～400nm。較佳地，金屬線的線寬為50nm；金屬線的厚度為200nm。

具體實(shí)施時(shí)，金屬線柵的材料有多種，較佳地，金屬線柵的材料為白色的金屬。較佳地，金屬線柵的材料可以但不限于為鋁、鈦或者銀。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，如圖5所示，還包括覆蓋金屬線柵022的保護(hù)層023。由于金屬線柵偏振片基板表面非常平整，與上述現(xiàn)有技術(shù)的方案相比，覆蓋的保護(hù)層023的厚度可以較薄，即保護(hù)層的厚度可以小于預(yù)設(shè)厚度，只要能夠?qū)饘倬€柵022起到保護(hù)作用即可，本實(shí)施例中，不僅節(jié)省制程時(shí)間，而且覆蓋性好，基板表面平坦性好。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，如圖5所示，還包括位于保護(hù)層023上的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)陣列024。本實(shí)施例中，可以直接在金屬線柵偏振片基板上進(jìn)行tft陣列024的制作，也就是說，采用同一襯底基板進(jìn)行金屬線柵偏振片和tft陣列的制作，節(jié)省材料。這樣，金屬線柵偏振片基板的尺寸可以按照需要制備的顯示面板的尺寸進(jìn)行設(shè)置。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種如以上任意實(shí)施例的金屬線柵偏振片基板的制作方法，如圖6所示，該方法至少包括如下步驟：

步驟610、采用構(gòu)圖工藝在襯底基板的一側(cè)表面刻蝕多個(gè)凹槽的圖形。

步驟620、在襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上覆蓋一整層金屬薄膜；金屬薄膜的厚度大于凹槽的深度。

步驟630、至少將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄，以形成設(shè)置于襯底基板的多個(gè)凹槽內(nèi)的金屬線柵的圖形；其中，金屬線柵由平行排列的多條金屬線構(gòu)成；多條金屬線分別設(shè)置于襯底基板的多個(gè)凹槽內(nèi)；多條金屬線的表面與襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平。

本發(fā)明實(shí)施例中，金屬線柵的各金屬線設(shè)置在襯底基板的一側(cè)表面的各個(gè)凹槽內(nèi)，且多條金屬線的表面與襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平，使得金屬線柵偏振片基板的整個(gè)表面平整，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了平整度。并且，在生產(chǎn)工藝中，需要在襯底基板上刻蝕凹槽，與現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行凸起的金屬線柵的刻蝕相比，刻蝕凹槽的工藝更加簡單可控，從而使得金屬線柵的金屬線的均勻性更好。

較佳地，上述步驟310中，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板的一側(cè)表面刻蝕多個(gè)凹槽的圖形，其實(shí)現(xiàn)方式有多種，其中一種具體實(shí)現(xiàn)方式可以是：在襯底基板的一側(cè)表面涂覆光刻膠層，并對光刻膠層曝光顯影，形成與凹槽的圖形對應(yīng)的圖形；利用光刻膠層中與凹槽的圖形對應(yīng)的圖形和干法刻蝕工藝，對襯底基板的一側(cè)表面進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)凹槽的圖形。

較佳地，上述步驟320中，在襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上覆蓋一整層金屬薄膜，其實(shí)現(xiàn)方式有多種，其中一種具體實(shí)現(xiàn)方式可以是：利用低壓化學(xué)氣相沉積(lowpressurechemicalvapordeposition，lpcvd)技術(shù)，在襯底基板刻蝕有多個(gè)凹槽的圖形的表面上沉積一整層金屬薄膜。其中，采用的沉積速度低于預(yù)設(shè)速度，保證形成的金屬薄膜緊致。由于凹槽的寬度非常窄，為了實(shí)現(xiàn)很好的填實(shí)，最好采用沉積速度慢、沉積膜層緊致的lpcvd技術(shù)形成金屬薄膜，形成的金屬薄膜更加緊實(shí)，減薄之后，更加平整。

具體實(shí)施時(shí)，上述步驟320中，覆蓋的金屬薄膜越厚，在凹槽內(nèi)的金屬材料越緊實(shí)，后續(xù)減薄后得到的多條金屬線的表面越平整。較佳地，金屬薄膜的厚度至少是凹槽的深度的2～3倍。

從減薄的程度的角度來說，具體實(shí)施時(shí)，上述步驟330的實(shí)現(xiàn)方式有多種，較佳地，上述步驟330中，至少將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄，其中一種具體實(shí)現(xiàn)方式可以是：僅將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄。采用這樣的方式，雖然也可以提高基板的平整度，但是在襯底基板的表面上沒有凹槽的位置處，可能會有一些金屬薄膜的殘留，會影響透過率，因此，較佳地，另一種具體實(shí)現(xiàn)方式可以是：將金屬薄膜減薄的同時(shí)，將襯底基板刻蝕有凹槽圖形的一側(cè)表面減薄。本實(shí)施例中，除了將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄，還進(jìn)一步將凹槽內(nèi)的金屬薄膜減薄，同時(shí)將襯底基板也進(jìn)行減薄，這樣，將襯底基板和金屬薄膜同時(shí)減薄，不僅可以保證透過率，而且可以進(jìn)一步使得基板的表面更加平整。

從減薄所采用的技術(shù)工藝的角度來說，上述步驟330的實(shí)現(xiàn)方式也有多種，具體實(shí)施時(shí)，較佳地，上述步驟330中，至少將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄，其中一種具體的實(shí)現(xiàn)方式可以是：利用化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing，cmp)技術(shù)，至少將金屬薄膜凸出于襯底基板的表面減薄。由于金屬薄膜的厚度在nm級，所以對減薄的均勻性要求很高，而cmp減薄的均勻性很好，能夠控制在nm級，同時(shí)可以自動檢測研磨終點(diǎn)，減薄的效果最好，本實(shí)施例中，利用cmp技術(shù)進(jìn)行減薄，可以進(jìn)一步使得基板的表面更加平整。

需要說明的是，以上列舉的步驟330的具體實(shí)現(xiàn)方式中，關(guān)于減薄程度和減薄所采用的工藝兩個(gè)角度的實(shí)現(xiàn)方式是可以配合實(shí)施的，效果更好。

下面以具體的結(jié)構(gòu)為例，對本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬線柵偏振片基板的制作方法進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。

本實(shí)施例基于圖5所示的結(jié)構(gòu)，其中的襯底基板為玻璃基板，金屬線柵的材料為鋁。具體的制作流程如下：

步驟一、對襯底基板進(jìn)行初始清洗，如圖7a所示，涂覆光刻膠層025，曝光、顯影、后烘得到如圖7b所示的超細(xì)線寬(50～200nm)的與凹槽圖形對應(yīng)的圖形。

步驟二、利用步驟一得到的光刻膠層025的圖形和干法刻蝕工藝對襯底基板021進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)凹槽的圖形，剝離光刻膠層，如圖7c所示。

其中，凹槽的深度范圍是100～400nm。

步驟三、如圖7d所示，利用lpcvd技術(shù)在較低的沉積速度下沉積金屬薄膜022’；

其中，沉積速度的范圍是0.1～1nm/min，沉積厚度的范圍是300～1200nm。

步驟四、利用cmp技術(shù)將金屬薄膜和襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面同時(shí)減薄，得到金屬線柵022的圖形。

其中，如圖7d所示，由于凹槽的存在，沉積的金屬薄膜022’的表面有凹凸，利用cmp技術(shù)進(jìn)行減薄的時(shí)候，最先接觸的是凸起的部分，因而設(shè)置cmp技術(shù)的減薄厚度應(yīng)該為厚度d1，厚度d1的厚度范圍可選的是350～1300nm。其中，對金屬薄膜減薄的厚度應(yīng)該為厚度d2，厚度d2的范圍可選的是850～900nm。

步驟五、沉積保護(hù)層023。

其中，保護(hù)層023的厚度范圍是100～400nm。

步驟六、在保護(hù)層023上進(jìn)行后續(xù)的tft陣列制程，如圖5所示。

本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬線柵偏振片基板及其制作方法中，金屬線柵的各金屬線設(shè)置在襯底基板的一側(cè)表面的各個(gè)凹槽內(nèi)，且多條金屬線的表面與襯底基板具有凹槽的一側(cè)表面齊平，使得金屬線柵偏振片基板的整個(gè)表面平整，與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了平整度。并且，在生產(chǎn)工藝中，需要在襯底基板上刻蝕凹槽，與現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行凸起的金屬線柵的刻蝕相比，刻蝕凹槽的工藝更加簡單可控，從而使得金屬線柵的金屬線的均勻性更好。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。