本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法，以及一種顯示器。

背景技術(shù)：

lcd(liquidcrystaldisplay，液晶顯示器)的顯示屏為了增強防esd(electronicstaticdischarge，靜電釋放)能力和屏蔽外界的電磁干擾，一般都會在彩膜基板表面，整面鍍一層ito(氧化銦錫)，并把ito接地處理，這層ito叫屏蔽層。由于ito的阻抗較低，對靜電有很好的導(dǎo)通能力，因此能有效防止esd。但在內(nèi)嵌式觸摸屏(in-cell)里，觸控層在lcd的陣列基板側(cè)，如果cf表面屏蔽層仍然用阻抗較低的ito，雖然能有效防止靜電，但同時也會屏蔽觸摸信號，導(dǎo)致無法觸控。為解決這一問題，現(xiàn)有技術(shù)一般通過更換屏蔽層的材料，使其阻抗足夠大，如pedot(聚乙撐二氧噻吩，方阻約10⁷ω)等高分子導(dǎo)電材料，以至于不會屏蔽觸控信號且能屏蔽外界信號干擾。但由于pedot等高分子導(dǎo)電材料的阻抗過大，不可避免的導(dǎo)致其導(dǎo)電能力弱，進而抗esd能力低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供顯示面板及其制作方法，以及一種顯示器，實現(xiàn)較高的防抗esd能力的同時能夠屏蔽外界信號干擾且不會屏蔽觸控信號。

本發(fā)明提供一種顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板、液晶層及兩層屏蔽層。所述陣列基板與所述彩膜基板相對設(shè)置，所述液晶層設(shè)于所述陣列基板及所述彩膜基板之間。所述顯示面板還包括顯示區(qū)及圍繞所述顯示區(qū)邊緣的非顯示區(qū)。所述兩層屏蔽層分別為第一屏蔽層、第二屏蔽層，所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層層疊設(shè)置并位于所述彩膜基板上背離所述陣列基板的一側(cè)，所述第二屏蔽層或者所述第一屏蔽層位于所述彩膜基板一側(cè)的邊緣且位于所述非顯示區(qū)內(nèi)。所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層電連接。位于所述非顯示區(qū)的一層所述屏蔽層的阻抗小于另一所述屏蔽層的阻抗。所述第一屏蔽層或第二屏蔽層接地。

其中，所述第一屏蔽層覆蓋于所述彩膜基板上背離所述陣列基板的一側(cè)，所述第二屏蔽層層疊于所述第一屏蔽層背離所述彩膜基板的一側(cè)上，并圍繞所述第一屏蔽層邊緣設(shè)置或者所述第二屏蔽層覆蓋于所述彩膜基板上背離所述陣列基板的一側(cè)，并圍繞所述彩膜基板的邊緣設(shè)置，所述第一屏蔽層層疊于所述第二屏蔽背離所述彩膜基板的一側(cè)上，并覆蓋所述第二屏蔽層及未被所述第二屏蔽層覆蓋的彩膜基板。

其中，所述顯示面板還包括觸控層，所述觸控層設(shè)于所述陣列基板上朝向所述彩膜基板的一側(cè)，或者設(shè)于所述彩膜基板上朝向所述陣列基板的一側(cè)。

其中，所述第一屏蔽層或所述第二屏蔽層通過至少一個導(dǎo)電銀漿點與接地點電連接，所述接地點設(shè)于所述陣列基板上。

其中，所述第一屏蔽層為高分子導(dǎo)電材料。

其中，所述第一屏蔽層為pedot材料，其方阻為10⁷ω。

其中，所述第二屏蔽層為ito、石墨烯或金屬材料。

本發(fā)明還提供一種顯示面板制作方法，包括步驟：

提供一液晶盒，所述液晶盒包括陣列基板、彩膜基板及位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間的液晶層；

在所述彩膜基板背離所述陣列基板的一側(cè)上形成第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上沉積第二屏蔽材料層；

圖案化所述第二屏蔽材料層，得到第二屏蔽層，所述第二屏蔽層圍繞所述第一屏蔽層邊緣，且所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層電連接；

將所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層接地。

其中，步驟“將所述第一屏蔽層或所述第二屏蔽層與接地點電連接”包括：

所述陣列基板上設(shè)有接地點，從所述第一屏蔽層或所述第二屏蔽層點導(dǎo)電銀漿點，并使所述導(dǎo)電銀漿點從所述第一屏蔽層或所述第二屏蔽層延伸至所述接地點，以實現(xiàn)所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層的接地。

本發(fā)明還提供一種顯示器，所述顯示器包括顯示器本體及上述的顯示面板。

本發(fā)明提供的顯示面板，通過在所述彩膜基板背離所述陣列基板的一面覆蓋所述第一屏蔽層，并圍繞所述第一屏蔽層的邊緣層疊所述第二屏蔽層，且所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層電連接并接地。并且，所述第一屏蔽層的阻抗大于所述第二屏蔽的阻抗。由于所述第二屏蔽層的阻抗較小，因此，所述第二屏蔽層具有較好的導(dǎo)電能力，即所述第二屏蔽層能夠快速的將靜電導(dǎo)出，從而實現(xiàn)所述顯示面板具有較高的防抗esd能力。并且，由于所述第二屏蔽層僅設(shè)于所述非顯示區(qū)內(nèi)，所述第二屏蔽層不會屏蔽在顯示區(qū)內(nèi)進行觸控產(chǎn)生的觸控信號，但所述第一屏蔽層能夠很好的屏蔽外界信號干擾。因此，本發(fā)明的所述顯示面板能夠?qū)崿F(xiàn)具有較高的防抗esd能力的同時，能夠屏蔽外界信號干擾且不會屏蔽觸控信號，得到良好的應(yīng)用效果。

附圖說明

為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實施例來對其進行詳細說明。

圖1是本發(fā)明一實施例的正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所示本發(fā)明實施例的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1所示本發(fā)明實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明另一實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖1所示的顯示面板的制備方法流程圖；

圖6-圖9是圖1所示的顯示面板各制備步驟中的截面圖。

具體實施例

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，不能理解為對本專利的限制。

本發(fā)明提供一種顯示面板，所述顯示面板內(nèi)嵌觸摸層，即所述顯示面板在實現(xiàn)畫面顯示效果的同時能夠?qū)λ鲲@示面板進行觸控。

請參閱圖1-3，本發(fā)明提供一種顯示面板100。所述顯示面板100包括陣列基板10、彩膜基板30、液晶層20及兩層屏蔽層。本發(fā)明中，所述兩層屏蔽層分別為第一屏蔽層40及第二屏蔽層50。所述陣列基板10及所述彩膜基板30相對平行設(shè)置，并通過膠框33固定連接。所述陣列基板10、所述彩膜基板30及所述膠框33圍城一空腔，所述液晶層20設(shè)于所述陣列基板10及所述彩膜基板30之間并收容于所述空腔內(nèi)。所述彩膜基板30背離所述陣列基板10的一面覆蓋有第一屏蔽層40。所述第一屏蔽層40上層疊有第二屏蔽層50。

所述顯示面板100還包括觸控層(圖中未示出)，通過所述觸控層能夠?qū)崿F(xiàn)對所述顯示面板100的觸控。所述觸控層設(shè)于所述陣列基板10上朝向所述彩膜基板30的一側(cè)，或者設(shè)于所述彩膜基板30上朝向所述陣列基板10的一側(cè)。本實施中，所述觸控層設(shè)于所述陣列基板10上朝向所述彩膜基板30的一側(cè)。所述顯示面板100還可包括顯示區(qū)101及圍繞所述顯示區(qū)101的非顯示區(qū)102，所述非顯示區(qū)102包圍所述顯示區(qū)101并與所述顯示區(qū)101進行連接。在所述顯示區(qū)101內(nèi)能夠進行畫面顯示及觸控操作，所述非顯示區(qū)102不能進行畫面顯示及觸控操作。

所述第一屏蔽層40層疊并覆蓋于所述彩膜基板10背離所述陣列基板30的一側(cè)。本發(fā)明中，所述第一屏蔽層40為導(dǎo)電pvc、導(dǎo)電pedot等高分子導(dǎo)電材料。所述高分子導(dǎo)電材料具有較高阻抗的屏蔽材料，因此，通過所述第一屏蔽層40能夠?qū)崿F(xiàn)在屏蔽外界信號干擾的同時，不會屏蔽觸控信號。本實施例中，所述第一屏蔽層40為導(dǎo)電pedot，其方阻約為10⁷ω。

所述第二屏蔽層50層疊于所述第一屏蔽層40上背離所述彩膜基板10一側(cè)的邊緣，且所述第二屏蔽層50位于所述非顯示區(qū)102內(nèi)。因此，所述第二屏蔽層50不會對所述顯示區(qū)101內(nèi)產(chǎn)生的觸控信號進行屏蔽。并且，所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50直接接觸，從而實現(xiàn)所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50的電連接。并且，本發(fā)明中，所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50接地，進而能夠通過所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50將所述顯示面板100上的靜電進行排除。本發(fā)明中所述陣列基板30上設(shè)有接地點31，通過導(dǎo)電銀漿點32連接所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50與所述接地點31，即所述導(dǎo)電銀漿點32一端與所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50電連接，另一端與所述接地點31電連接，從而實現(xiàn)所述所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50的接地?？梢岳斫獾氖?，本發(fā)明中所述接地點31及所述導(dǎo)電銀漿點32可以為多個，從而盡快的將所述顯示面板100上的靜電導(dǎo)出，進一步提高所述顯示面板100的抗esd能力。本實施例中，所述接地點31及所述導(dǎo)電銀漿點32為兩個，兩個所述接地點31與兩個所述導(dǎo)電銀漿點32一一對應(yīng)電連接。本發(fā)明中，所述第二屏蔽層50為ito、石墨烯或金屬材料等低阻抗屏蔽材料，其阻抗較所述第一屏蔽層40低，其中，所述第一屏蔽層40貼近所述彩膜基板30。由于所述第二屏蔽層50為ito、石墨烯或金屬材料等低阻抗屏蔽材料，因此，其導(dǎo)電速度較快，從而能夠快速的將所述顯示面板100上的靜電排除，提高所述顯示面板100的抗esd能力。并且，由于所述第二屏蔽層50僅位于所述非顯示區(qū)102內(nèi)，因此，不會對所述顯示區(qū)101內(nèi)產(chǎn)生的觸控信號進行屏蔽，從而實現(xiàn)在實現(xiàn)所述顯示面板100較強的抗esd能力的同時，不會屏蔽觸控信號并屏蔽外界信號干擾。

請參閱圖4，本發(fā)明提供另一種顯示面板200。所述顯示面板200與所述顯示面板100的區(qū)別在于：所述第二屏蔽層50覆蓋于所述彩膜基板10上背離所述陣列基板30的一面，并圍繞所述彩膜基板10的邊緣設(shè)置。所述第一屏蔽層40層疊于所述第二屏蔽層50上背離所述彩膜基板10的一面上，并覆蓋所述第二屏蔽層50及未被所述第二屏蔽層50覆蓋的所述彩膜基板10。

本發(fā)明還提供所述顯示面板的制作方法。請參閱圖5，本實施例提供所述顯示面板100的制作方法，包括步驟：

501、請參閱圖6，提供一液晶盒，所述液晶盒包括陣列基板10、彩膜基板20及位于所述陣列基板10與所述彩膜基板20之間的液晶層30。

所述陣列基板10、彩膜基板30通過膠框?qū)崿F(xiàn)對合，即所述陣列基板10與所述彩膜基板30平行且相對，平行且相對的所述陣列基板10與所述彩膜基板30的邊緣通過膠框33固定連接，所述陣列基板10、所述彩膜基板30及所述膠框33圍成一空腔，所述液晶層20填充于所述空腔內(nèi)，即形成包含所述陣列基板10、及所述彩膜基板30及所述液晶層20的液晶盒。

502、請參閱圖7，在所述彩膜基板30背離所述陣列基板10的一面上形成第一屏蔽層40。

通過噴涂或者印刷等方式在所述彩膜基板30背離所述陣列基板10的一面上形成所述第一屏蔽層40。所述第一屏蔽層40覆蓋所述彩膜基板30。

503、請參閱圖8，在所述第一屏蔽層40上沉積第二屏蔽材料層51。

通過濺鍍或者氣相沉積(cvd)等方式在所述第一屏蔽層40上沉積所述第二屏蔽材料層51。所述第二屏蔽材料層51覆蓋所述第一屏蔽層40遠離所述彩膜基板30的一面。

504、請參閱圖9，圖案化所述第二屏蔽材料層51，得到第二屏蔽層50。

在所述第二屏蔽材料層51上通過噴涂或者印刷等方式形成光阻材料層，并將所述光阻材料層通過曝光顯影等工藝得到具有鏤空圖案的光阻層。通過蝕刻工藝蝕刻掉未被所述光阻層遮擋的所述第二屏蔽材料層51，即得到所述第二屏蔽層50。所述第二屏蔽層50層疊于所述第一屏蔽層40上背離所述彩膜基板10一面的邊緣位置。并且，所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50直接接觸，因此所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50電連接。

505、將所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50接地。

本發(fā)明中，所述陣列基板30上設(shè)有接地點31。從所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50點導(dǎo)電銀漿點32，并使所述導(dǎo)電銀漿點32從所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50延伸至所述接地點31，使所述導(dǎo)電銀漿點32一端連接所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50，另一端連接所述接地點31。由于所述第一屏蔽層40與所述第二屏蔽層50電連接，因此，無論所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50與所述導(dǎo)電銀漿點32連接，均可實現(xiàn)所述第一屏蔽層40或所述第二屏蔽層50的接地。

本發(fā)明另一實施例提供所述顯示面板200的制作方法，其與所述顯示面板100的制作方法的區(qū)別在于步驟502至步驟504的差別。本實施例中，先在所述彩膜基板上形成所述第二屏蔽層50，再在所述第二屏蔽層50上形成所述第一屏蔽層40。具體的，本實施例的步驟502為：在所述彩膜基板10背離所述陣列基板20的一面上沉積所述第二屏蔽材料層51。本實施例的步驟503為：圖案化所述第二屏蔽材料層51，得到第二屏蔽層50。本步驟的步驟504為：在所述第二屏蔽層上沉積第一屏蔽材料層。

本發(fā)明還提供一種顯示器，所述顯示器包括顯示器本體及上述的顯示面板100或所述顯示面板200。

以上所述為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。