本發(fā)明涉及tft超薄液晶基板鍍膜工藝。
背景技術(shù):
近年來,中國電子信息產(chǎn)業(yè)取得了長足的發(fā)展,已成為中國工業(yè)部門的第一大產(chǎn)業(yè),是拉動中國經(jīng)濟增長的最主要的支柱之一;與此同時,液晶行業(yè)取得了突破性進(jìn)展;但隨著社會日益劇增的需求,需要不斷創(chuàng)新在保證高品質(zhì)、低成本提高其tft液晶屏的反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性;因金屬膜的導(dǎo)電反應(yīng)速度比常規(guī)ito膜的反應(yīng)速度快,膜層信賴性穩(wěn)定,在極端環(huán)境不使用不受外界環(huán)境干擾等特點,因此需要開發(fā)新的工藝提升產(chǎn)品的核心競爭力。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是實現(xiàn)一種在保證原有ito產(chǎn)品的高透過率,低反射率的同時提高產(chǎn)品的感知反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性,改良tft基板表面鍍膜設(shè)計和對生產(chǎn)過程中的工藝管控,來實現(xiàn)屏幕性能的提升。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝:
1)在tft基板的鍍膜面鍍制ito膜;
2)將遮擋板覆蓋在tft基板的鍍膜面,所述遮擋板上預(yù)留有鏤空的鍍膜間隙,所述鍍膜間隙位置與tft基板上鍍至金屬邊框位置相同;
3)在遮擋板上鍍至金屬膜,金屬膜透過鍍膜間隙沉積在ito膜上的金屬層構(gòu)成金屬邊框;
4)取下遮擋板。
所述1)中,tft基板的鍍膜面整面鍍制有一層ito膜,所述ito膜的透過率≥93%以上,反射率≤0.5%以內(nèi)。
所述2)中遮擋板覆蓋在tft基板上時,mask與基板貼合對位時使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對位靶標(biāo)對標(biāo),靶標(biāo)重合后開始鍍膜。
所述3)中金屬邊框厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。
所述遮擋板為不銹鋼材質(zhì)。
一種利用所述tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝生產(chǎn)的tft液晶基板,tft基板的鍍膜面設(shè)有ito層,tft基板的邊緣設(shè)有bm區(qū)域,其特征在于:所述bm區(qū)域上方鍍制有金屬邊框。
本發(fā)明通過改進(jìn)工藝在基板邊緣鍍制金屬邊框,與現(xiàn)有單純的ito導(dǎo)電膜相比,產(chǎn)品在保證原有的高透過率及低反射率的情況下,屏幕觸控反應(yīng)速度及觸控穩(wěn)定性明顯提升,并且產(chǎn)品設(shè)計方案已投入到實際生產(chǎn)中并量產(chǎn),根據(jù)客戶段反饋的結(jié)果,該產(chǎn)品性能優(yōu)良。
附圖說明
下面對本發(fā)明說明書中每幅附圖表達(dá)的內(nèi)容作簡要說明:
圖1為基板局部鍍制金屬邊框的示意圖;
圖2為金屬邊框制作示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明針對tft表面膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)明更改,以及對生產(chǎn)工藝進(jìn)行嚴(yán)格的管控,在保證原有ito產(chǎn)品的高透過率,低反射率的同時提高產(chǎn)品的感知反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性,改良tft基板表面鍍膜設(shè)計和對生產(chǎn)過程中的工藝管控,來實現(xiàn)屏幕性能的提升。
tft超薄液晶基板制作工藝如下:
1、tft基板整面鍍上ito膜;先整張基板整面鍍上常規(guī)ito膜;保證ito膜的高透過、低反射等條件,ito膜的透過率≥93%以上,反射率≤0.5%以內(nèi)。
2、使用遮擋板(mask)阻擋的方式在每單個屏幕的邊緣mb區(qū)域局部鍍上metal-border膜;根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計制作對應(yīng)遮擋板,遮擋板的設(shè)計需滿足鍍膜條件,大張遮擋板上具有鍍膜間隙,遮擋板的大小根據(jù)一次性制作的tft基板數(shù)量來定。
遮擋板為不銹鋼材質(zhì),因不銹鋼材質(zhì)強度大,不易變形;表面光滑,與基本貼合時不會對tft玻璃基板產(chǎn)生損傷;材料密度大,在真空鍍膜時,放氣量小,不易破壞真空鍍膜環(huán)境;
鍍金屬邊框(metal-border)時,使用之前設(shè)計的遮擋板,與tft基板需鍍膜面貼合,貼合過程需重點管控metal-border的精度,metal-border的位置精度≤0.3mm;
為保證產(chǎn)品質(zhì)量,確保局部metal-border的精度,mask與基板貼合對位時使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對位靶標(biāo)對標(biāo),靶標(biāo)重合后開始鍍膜。
3、金屬鍍膜;metal-border選用磁控濺射方式鍍膜,該鍍膜方式膜層附著力強、膜層致密、膜厚均勻;金屬鍍膜會從遮擋板的鍍膜間隙滲入沉積在tft基板上(bm區(qū)域),metal-border膜層主要性能如下:膜厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。
上面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述,顯然本發(fā)明具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制,只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實質(zhì)性的改進(jìn),或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的,均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。