本公開實施例涉及半導體，包括但不限于一種沉積裝置。

背景技術(shù)：

1、在半導體結(jié)構(gòu)的制備工藝中，常常使用物理氣相沉積(physical?vapordeposition，pvd)工藝制備得到各種膜層。pvd工藝包括磁控濺射技術(shù)，其原理為在高真空環(huán)境下，利用電場將氣體分子電離，以產(chǎn)生包括正離子和電子的等離子體，正離子在電場的作用下飛向靶材并且轟擊靶材，使得靶材粒子在基板上不斷沉積以形成膜層。

2、然而，目前通過pvd工藝制備得到的膜層的均勻性和填孔能力尚不能滿足使用需求，亟需對沉積裝置進行改進。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提供一種沉積裝置。

2、本公開實施例提供一種沉積裝置，所述沉積裝置包括：第一蓋板、第二蓋板和側(cè)板，所述第一蓋板和所述第二蓋板相對設(shè)置，所述側(cè)板設(shè)于所述第一蓋板和所述第二蓋板之間，所述第一蓋板、所述第二蓋板和所述側(cè)板共同圍成反應(yīng)腔室；電磁組件，所述電磁組件包括：至少一個第一電磁鐵，所述第一電磁鐵沿由所述第一蓋板指向所述第二蓋板的指向方向延伸，所述第一電磁鐵設(shè)于所述反應(yīng)腔室之外，且設(shè)于所述側(cè)板沿垂直于所述指向方向的任意方向一側(cè)；第一控制器，所述第一控制器和所述第一電磁鐵連接，用于獨立控制所述第一電磁鐵的通電和斷電，以及用于獨立控制所述第一電磁鐵的電流。

3、在一些實施例中，所述電磁組件還包括：至少一個連接軸，所述連接軸包括沿軸向方向相對的第一端和第二端，所述連接軸的第一端和所述第一電磁鐵連接；至少一個第二控制器，所述第二控制器和所述連接軸的第二端連接，所述第二控制器通過所述連接軸調(diào)整所述第一電磁鐵和所述反應(yīng)腔室之間的距離。

4、在一些實施例中，所述第一電磁鐵包括：多個子電磁鐵，所述子電磁鐵沿所述指向方向延伸，同一所述第一電磁鐵中的所述多個子電磁鐵相互連接。

5、在一些實施例中，所述連接軸包括：多個子連接軸，所述子連接軸和所述子電磁鐵連接，同一所述第一電磁鐵中的所述多個子電磁鐵對應(yīng)的所述多個子連接軸連接至同一所述第二控制器；所述第二控制器通過所述子連接軸調(diào)整所述子電磁鐵和所述反應(yīng)腔室之間的距離。

6、在一些實施例中，所述第一電磁鐵包括：導線，所述導線沿所述指向方向延伸，所述導線沿延伸方向相對的兩端分別連接至電源。

7、在一些實施例中，所述第一電磁鐵包括：鐵芯，所述鐵芯沿所述指向方向延伸；線圈，所述線圈纏繞于所述鐵芯外側(cè)，所述線圈的兩端分別連接至電源。

8、在一些實施例中，所述電磁組件包括：多個所述第一電磁鐵，多個所述第一電磁鐵沿所述反應(yīng)腔室的周向排布。

9、在一些實施例中，所述沉積裝置還包括：至少一個第二電磁鐵，所述第二電磁鐵設(shè)于所述反應(yīng)腔室之外，所述第二電磁鐵為環(huán)形磁鐵，且圍繞設(shè)于所述側(cè)板外側(cè)。

10、在一些實施例中，所述沉積裝置還包括：至少一個第三電磁鐵，所述第三電磁鐵設(shè)于所述反應(yīng)腔室之外，且設(shè)于所述第一蓋板沿所述指向方向一側(cè)。

11、在一些實施例中，所述沉積裝置還包括：靶材，所述靶材設(shè)于所述反應(yīng)腔室之中，且和所述第一蓋板連接；基座，所述基座設(shè)于所述反應(yīng)腔室之中，且用于承載基板，所述基座和所述靶材沿所述指向方向相對設(shè)置。

12、本公開實施例提供一種沉積裝置。該沉積裝置包括：第一蓋板、第二蓋板和側(cè)板，第一蓋板和第二蓋板相對設(shè)置，側(cè)板設(shè)于第一蓋板和第二蓋板之間，第一蓋板、第二蓋板和側(cè)板共同圍成反應(yīng)腔室；電磁組件，電磁組件包括：至少一個第一電磁鐵，第一電磁鐵沿由第一蓋板指向第二蓋板的指向方向延伸，第一電磁鐵設(shè)于反應(yīng)腔室之外，且設(shè)于側(cè)板沿垂直于指向方向的任意方向一側(cè)；第一控制器，第一控制器和第一電磁鐵連接，用于獨立控制第一電磁鐵的通電和斷電，以及用于獨立控制第一電磁鐵的電流。本公開實施例中，至少一個第一電磁鐵設(shè)于側(cè)板沿垂直于指向方向的任意方向一側(cè)，利用第一控制器獨立控制每個第一電磁鐵的通電和斷電，以及獨立控制每個第一電磁鐵的電流，從而可以獨立控制不同第一電磁鐵所產(chǎn)生的磁場對反應(yīng)腔室中不同區(qū)域的影響，實現(xiàn)不同區(qū)域的差異化調(diào)整，從而改善應(yīng)用該沉積裝置制備得到的膜層的均勻性和填孔能力。

技術(shù)特征：

1.一種沉積裝置，其特征在于，所述沉積裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述電磁組件還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其特征在于，所述第一電磁鐵包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積裝置，其特征在于，所述連接軸包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述第一電磁鐵包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述第一電磁鐵包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述電磁組件包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述沉積裝置還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述沉積裝置還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的沉積裝置，其特征在于，所述沉積裝置還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例提供一種沉積裝置。該沉積裝置包括：第一蓋板、第二蓋板和側(cè)板，第一蓋板和第二蓋板相對設(shè)置，側(cè)板設(shè)于第一蓋板和第二蓋板之間，第一蓋板、第二蓋板和側(cè)板共同圍成反應(yīng)腔室；電磁組件，該電磁組件包括：至少一個第一電磁鐵，第一電磁鐵沿由第一蓋板指向第二蓋板的指向方向延伸，第一電磁鐵設(shè)于反應(yīng)腔室之外，且設(shè)于側(cè)板沿垂直于指向方向的任意方向一側(cè)；第一控制器，第一控制器和第一電磁鐵連接，用于獨立控制第一電磁鐵的通電和斷電，以及用于獨立控制第一電磁鐵的電流。

技術(shù)研發(fā)人員：胡文超,王鵬
受保護的技術(shù)使用者：湖北星辰技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8