本揭示案涉及一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)已經(jīng)歷了迅速增長。ic材料及設(shè)計的技術(shù)進步已產(chǎn)生了幾代ic，其中每代具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。然而，此些進步增加了處理及制造ic的復(fù)雜性，且為了實現(xiàn)此些進步，需要ic處理及制造中的類似發(fā)展。在ic進化過程中，功能密度(亦即，單位晶片面積的互連元件的數(shù)目)大體增大，而幾何大小(亦即，可使用制造制程生成的最小部件(或接線))已減小。此縮小過程通常通過增大生產(chǎn)效率及降低相關(guān)聯(lián)成本而提供了益處。

2、用以平坦化ic的層的制造制程為化學(xué)機械研磨(cmp)。cmp制程組合了化學(xué)移除與機械研磨。cmp制程研磨材料并自晶圓移除材料，且可用以平坦化多材料表面。另外，cmp制程不使用有害氣體且可為低成本制程。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本揭示案的實施例提供一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，包括決定在研磨制程期間研磨系統(tǒng)的研磨墊的一或多個區(qū)域的輪廓。比較輪廓與參考輪廓，其中參考輪廓是研磨墊的模擬輪廓，其中比較輪廓與參考輪廓包括比較輪廓與通過數(shù)學(xué)過程、機器學(xué)習(xí)過程、大數(shù)據(jù)挖掘過程或神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)過程所產(chǎn)生的模擬輪廓括?；诒容^來調(diào)整研磨制程的一或多個參數(shù)。

2、本揭示案的實施例提供一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，包括掃描研磨墊的表面以決定研磨墊的表面輪廓。執(zhí)行表面輪廓與參考輪廓之間的比較?；诒容^來決定研磨墊的表面的區(qū)域為重度磨損，通過將晶圓從區(qū)域移開來調(diào)整研磨墊上被研磨的晶圓的位置。

3、本揭示案的實施例提供一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，包括通過將晶圓壓在研磨墊的表面上并且旋轉(zhuǎn)晶圓來對晶圓執(zhí)行研磨制程。在研磨晶圓的同時，測量研磨墊的表面輪廓。在研磨墊上施配漿料。決定研磨墊的表面的狀況。基于研磨墊的狀況，調(diào)整研磨墊上施配漿料的位置。

技術(shù)特征：

1.一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，決定該輪廓包含收集與該研磨墊的該一或多個區(qū)域相關(guān)聯(lián)的厚度數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，決定該輪廓包含在該研磨墊旋轉(zhuǎn)的同時量測該研磨墊的一或多個區(qū)域的一厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該研磨制程包含一基板研磨制程或一調(diào)節(jié)制程。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，調(diào)整一或多個參數(shù)包含調(diào)整下列各者中的至少一者：該研磨墊的一旋轉(zhuǎn)速度、該研磨系統(tǒng)的一基板載體、該基板載體的一旋轉(zhuǎn)速度、該基板載體所施加的一壓力、該研磨系統(tǒng)的一漿料供應(yīng)器的一流動速率、該漿料供應(yīng)器的一位置、該研磨系統(tǒng)的該襯墊調(diào)節(jié)器的一位置、該襯墊調(diào)節(jié)器的一旋轉(zhuǎn)速度，及該襯墊調(diào)節(jié)器所施加的一壓力。

6.一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，其特征在于，包含：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，掃描該研磨墊的該表面包含在該研磨墊的該表面上移動一光學(xué)發(fā)射器與一光學(xué)接收器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，掃描該研磨墊的該表面還包含：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，掃描該研磨墊的該表面還包含偵測該第一光學(xué)信號與該第二光學(xué)信號之間的一相位差。

10.一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
本揭示案的實施例描述一種用于操作研磨系統(tǒng)的方法，包括決定在研磨制程期間研磨系統(tǒng)的研磨墊的一或多個區(qū)域的輪廓。比較輪廓與參考輪廓，其中參考輪廓是研磨墊的模擬輪廓，其中比較輪廓與參考輪廓包括比較輪廓與通過數(shù)學(xué)過程、機器學(xué)習(xí)過程、大數(shù)據(jù)挖掘過程或神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)過程所產(chǎn)生的模擬輪廓括。基于比較來調(diào)整研磨制程的一或多個參數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：黃君席,薛家麟,柯皇竹
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8