本實(shí)用新型涉及多晶硅鑄錠
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：隨著不可再生的傳統(tǒng)能源日趨減少，光伏新能源日益受到重視，其中多晶硅太陽電池以其較高的性價(jià)比占據(jù)了大部分的市場份額，提高多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率和降低制造成本仍是光伏行業(yè)亟待解決了兩大重要問題。在多晶硅鑄錠中，需要將硅料放置在石英坩堝中，并需要通過加熱使硅料先熔化，之后再降低溫度實(shí)現(xiàn)長晶。石英坩堝的形變點(diǎn)為1075℃，軟化點(diǎn)為1730℃。通常，石英坩堝溫度在1200℃時(shí)即開始軟化，溫度在1700℃時(shí)坩堝將全面開始軟化。而由于硅的熔點(diǎn)約為1420℃，所以在硅熔化階段，整個(gè)石英坩堝的溫度會(huì)在1420℃以上，所以在硅料熔化階段中石英坩堝會(huì)發(fā)生軟化甚至變形。為了防止在硅料熔化時(shí)石英坩堝軟化或變形而產(chǎn)生不利影響，需要要用到坩堝護(hù)板。坩堝護(hù)板位于側(cè)邊加熱器及坩堝之間。多晶硅鑄錠中要消耗大量電能用來完成硅料的熔化和長晶。通常完成一爐850kg的鑄錠需要消耗7000～8000KWH電量，其中熔化和長晶兩個(gè)環(huán)節(jié)各占約50％。但是，現(xiàn)有的坩堝護(hù)板主要為平板式護(hù)板，如圖1所示，采用該平板式的坩堝護(hù)板時(shí)，多晶硅鑄錠中的熱傳導(dǎo)效率低，能耗較大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提出一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)，能夠提高多晶硅鑄錠過程中的熱傳導(dǎo)效率，減少能耗，降低成本。為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)，設(shè)置于坩堝與側(cè)邊加熱器之間；其特征在于，包括：護(hù)板本體，所述護(hù)板本體的朝向所述側(cè)邊加熱器的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)凹槽。優(yōu)選地，所述凹槽呈倒三角形長條狀；所述凹槽的深度為5mm～15mm，所述凹槽的截面寬度為0mm～20mm。優(yōu)選地，所述凹槽為倒金子塔形或倒圓錐體形的凹坑；所述凹坑的深度為5mm～15mm，所述凹坑的截面寬度為0mm～20mm。優(yōu)選地，所述凹槽呈楔形長條狀；所述凹槽的深度為5mm～15mm，所述凹槽的截面寬度為5mm～20mm。優(yōu)選地，所述凹槽為楔形的凹坑；所述凹坑的深度為5mm～15mm，所述凹坑的截面寬度為5mm～20mm。優(yōu)選地，所述凹槽在所述護(hù)板本體的表面的覆蓋面積占所述護(hù)板本體的表面面積的50％～100％。優(yōu)選地，所述護(hù)板本體為石墨板。優(yōu)選地，所述護(hù)板本體為具有高導(dǎo)熱性并耐高溫的合金板。本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型提出的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)，包括護(hù)板本體，護(hù)板本體的朝向側(cè)邊加熱器的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)凹槽；采用該坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)可以明顯提高鑄錠過程中的熱傳導(dǎo)效率，能夠節(jié)約5％～10％的用電量，降低能耗，縮短單爐鑄錠周期0.5h～2h，提升鑄錠產(chǎn)量1％～2％，從而降低鑄錠成本，提升鑄錠效率。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的平板式坩堝護(hù)板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型提供的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板的實(shí)施方式之一的剖視圖；圖3是本實(shí)用新型提供的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板的實(shí)施方式之二的剖視圖；圖4是本實(shí)用新型提供的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板的實(shí)施方式之三的剖視圖；圖5是本實(shí)用新型提供的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板的實(shí)施方式之四的剖視圖。圖中：1-護(hù)板本體；11-凹槽。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。如圖2至5所示，一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)，設(shè)置于坩堝與側(cè)邊加熱器之間；包括：護(hù)板本體1，護(hù)板本體1的朝向側(cè)邊加熱器的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)凹槽11。具體地，多個(gè)凹槽11可橫向、或豎向、或傾斜排列設(shè)置；作為本方案的實(shí)施方式之一，如圖2所示，凹槽11可呈倒三角形長條狀，多個(gè)三角形長條狀的凹槽11規(guī)則排列設(shè)置。作為本方案的實(shí)施方式之二，如圖3所示，凹槽11可為倒金子塔形或倒圓錐體形的凹坑，多個(gè)凹坑規(guī)則排列設(shè)置。這兩種實(shí)施方式中，凹槽11或凹坑在護(hù)板本體1的表面的覆蓋面積占護(hù)板本體1的表面面積的50％～100％，并且凹槽11或凹坑的深度為5mm～15mm，截面寬度為0mm～20mm。作為本方案的實(shí)施方式之三，如圖4所示，凹槽11可呈楔形長條狀，多個(gè)楔形長條狀的凹槽11規(guī)則排列設(shè)置。作為本方案的實(shí)施方式之四，如圖5所示，凹槽11可為楔形的凹坑，多個(gè)楔形的凹坑規(guī)則排列設(shè)置。這兩種實(shí)施方式中，楔形長條狀的凹槽11或楔形的凹坑在護(hù)板本體1的表面的覆蓋面積占護(hù)板本體1的表面面積的50％～100％，并且凹槽11或凹坑的深度為5mm～15mm，截面寬度為5mm～20mm。上述多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)中，護(hù)板本體1為石墨板或具有高導(dǎo)熱性并耐高溫的合金板。本實(shí)用新型提出的一種多晶硅鑄錠用坩堝護(hù)板結(jié)構(gòu)，可以明顯提高鑄錠過程中的熱傳導(dǎo)效率，能夠節(jié)約5％～10％的用電量，降低能耗，縮短單爐鑄錠周期0.5h～2h，提升鑄錠產(chǎn)量1％～2％，從而可降低鑄錠成本，提升鑄錠效率。實(shí)施例1本實(shí)施例中，護(hù)板本體1為石墨板，凹槽11呈如圖2所示的倒三角形長條狀，多個(gè)凹槽11沿護(hù)板本體1的表面等間隔分布。凹槽11的深度為6mm，凹槽11的截面寬度為7mm，相鄰2個(gè)凹槽11之間的間距為10mm，凹槽11在護(hù)板本體1的表面的覆蓋面積占護(hù)板本體1的表面面積的40％。多晶硅鑄錠中采用本實(shí)施例1坩堝護(hù)板時(shí)的檢測結(jié)果及采用平板式的坩堝護(hù)板時(shí)的檢測結(jié)果見下表1。表1分組投料量/KG良率耗電量/KWH鑄錠周期平板式坩堝護(hù)板84069.0％753081實(shí)施例184069.3％712080以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3