調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，它包括使籽晶與坩堝同軸，且使籽晶與坩堝沿相反放線旋轉；通過控制晶體轉速和坩堝轉速，控制熔體溫度場和溫度分布；使感應線圈固定不動；通過坩堝升降，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點。本發(fā)明溫度變化穩(wěn)定，產品質量高。
【專利說明】
調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種溫度調節(jié)方法，具體涉及一種碳化硅單晶生產溫度調節(jié)方法?！颈尘凹夹g】
[0002]目前，碳化硅單晶生產的溫度變化是通過調節(jié)感應線圈的高度或調節(jié)功率來實現(xiàn)的，其溫度變化不穩(wěn)定，產品質量不理想，同時在生產過程中存在安全隱患。
【發(fā)明內容】
[0003]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術中的不足，提供一種溫度變化穩(wěn)定， 產品質量高的調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法。
[0004]技術方案:為了解決上述技術問題，本發(fā)明所述的調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，它包括以下步驟，(1)使籽晶與坩堝同軸，且使籽晶與坩堝沿相反放線旋轉；(2)通過控制晶體轉速和坩堝轉速，控制熔體溫度場和溫度分布；(3)使感應線圈固定不動；(4)通過坩堝升降，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點。
[0005]在步驟(1)中，使籽晶與坩堝中容納的硅熔體相接觸，使籽晶與坩堝同軸，然后從該坩堝中拉出該籽晶以形成一緊鄰該籽晶的頸部，一緊鄰該頸部的籽晶錐體，以及一緊鄰該籽晶錐體的等直徑部分。
[0006]在步驟(2)中，晶體轉速控制在8-10rpm，坩堝轉速控制在5-8rpm，晶體和坩堝壁的中間形成了一個渦流。
[0007]有益效果:本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其顯著優(yōu)點是:本發(fā)明通過固定感應線圈，感應線圈的磁場固定在原來區(qū)域，外部環(huán)境保持原樣，然后通過升降坩堝，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點，確保碳化硅從粉料的最上層有規(guī)則升華，通過精確控制晶體和坩堝轉速，形成熔體溫度場和溫度分布，從而控制單晶硅中的氧分布和摻雜元素分布的均勻性，使產品質量有效提高，本方法中溫度變化平穩(wěn)，操作安全性高?！揪唧w實施方式】
[0008]下面結合實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
[0009]本發(fā)明所述的調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，它包括以下步驟，(1)使籽晶與坩堝同軸，且使籽晶與坩堝沿相反放線旋轉；(2)通過控制晶體轉速和坩堝轉速，控制熔體溫度場和溫度分布；(3)使感應線圈固定不動；(4)通過坩堝升降，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點。
[0010]在步驟(1)中，使籽晶與坩堝中容納的硅熔體相接觸，使籽晶與坩堝同軸，然后從該坩堝中拉出該籽晶以形成一緊鄰該籽晶的頸部，一緊鄰該頸部的籽晶錐體，以及一緊鄰該籽晶錐體的等直徑部分。
[0011]在步驟(2)中，晶體轉速控制在8-10rpm，坩堝轉速控制在5-8rpm，晶體和坩堝壁的中間形成了一個渦流。
[0012]本發(fā)明通過固定感應線圈，感應線圈的磁場固定在原來區(qū)域，外部環(huán)境保持原樣， 然后通過升降坩堝，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點，確保碳化硅從粉料的最上層有規(guī)則升華，通過精確控制晶體和坩堝轉速，形成熔體溫度場和溫度分布， 從而控制單晶硅中的氧分布和摻雜元素分布的均勻性，使產品質量有效提高，本方法中溫度變化平穩(wěn)，操作安全性高。
[0013]本發(fā)明提供了一種思路及方法，具體實現(xiàn)該技術方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍，本實施例中未明確的各組成部分均可用現(xiàn)有技術加以實現(xiàn)。
【主權項】
1.調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，其特征在于:它包括以下步驟，(1)使籽晶與坩堝同軸，且使籽晶與坩堝沿相反放線旋轉；(2)通過控制晶體轉速和坩堝轉速，控制熔體溫度場和溫度分布；(3)使感應線圈固定不動；(4)通過坩堝升降，調節(jié)碳化硅升華的平面始終處于感應線圈磁場的最高點。2.根據(jù)權利要求1所述的調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，其特征在于:在步驟(1)中， 使籽晶與坩堝中容納的硅熔體相接觸，使籽晶與坩堝同軸，然后從該坩堝中拉出該籽晶以 形成一緊鄰該籽晶的頸部，一緊鄰該頸部的籽晶錐體，以及一緊鄰該籽晶錐體的等直徑部 分。3.根據(jù)權利要求1所述的調節(jié)碳化硅單晶生長溫度的方法，其特征在于:在步驟(2)中， 晶體轉速控制在8-10rpm，it堝轉速控制在5-8rpm，晶體和坩堝壁的中間形成了一個渦流。
【文檔編號】C30B15/20GK105970285SQ201610452999
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】袁玉平, 閆鵬, 袁佳斌
【申請人】江蘇拜爾特光電設備有限公司