本發(fā)明涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及發(fā)光的復(fù)合材料領(lǐng)域，具體涉及一種鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜的制備方法。

背景技術(shù)：

復(fù)合熒光薄膜作為一類性能優(yōu)異的光轉(zhuǎn)換材料，被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能聚光器和白光LED等器件中。近年來(lái)，量子點(diǎn)發(fā)光材料被成功應(yīng)用于液晶顯示器背光模組中，顯著改善了液晶顯示器的色域水平，在色彩還原方面展現(xiàn)出了巨大的優(yōu)勢(shì)。其中，最主要的量子點(diǎn)發(fā)光材料及其應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方式包括兩大類：第一類是以美國(guó)的QD Vision公司為主的光管技術(shù)，主要基于CdSe量子點(diǎn)發(fā)光材料；第二類是光轉(zhuǎn)換膜的技術(shù)，包括三星公司以InP量子點(diǎn)為主的光轉(zhuǎn)換膜，以及3M公司基于CdSe量子點(diǎn)的QDEF量子點(diǎn)增強(qiáng)膜系列。

作為一種新興的具有可觀的應(yīng)用潛力的量子點(diǎn)發(fā)光材料，其研究受到了諸多關(guān)注。例如，US 13287616提供了一種發(fā)光量子點(diǎn)膜，其制備需要預(yù)先合成好量子點(diǎn)發(fā)光材料，然后經(jīng)過(guò)表面處理形成微球，再將微球用粘結(jié)劑涂覆在基底上，干燥成膜；工藝十分繁瑣，成本高，產(chǎn)率低。CN201510245596.6公開(kāi)了鈣鈦礦顆粒與PVDF等聚合物制備高效率的復(fù)合發(fā)光薄膜的方法，該方法需要采用真空干燥工藝，且只適用于有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)復(fù)合薄膜的制備。

總體來(lái)看，目前基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的光轉(zhuǎn)換膜技術(shù)中普遍存在工藝繁瑣復(fù)雜以及原料用量大、效率低等問(wèn)題。研究或開(kāi)發(fā)新的鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光薄膜制備方法將具有重要的社會(huì)意義和經(jīng)濟(jì)意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜制備方法，該方法工序簡(jiǎn)單、易于操作，可連續(xù)化生產(chǎn)鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光薄膜。

根據(jù)本發(fā)明，提供了一種鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜的制備方法，包括以下步驟：

S1、將鈣鈦礦原料組分和聚合物組分溶解于有機(jī)溶劑中，得到成膜溶液；

S2、將所述成膜溶液涂覆在基底材料上；

S3、將涂覆有成膜溶液的基底材料連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)溫度區(qū)進(jìn)行加熱，生成鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜。

在本發(fā)明中，嘗試了使涂覆有成膜溶液的基體材料連續(xù)地通過(guò)幾個(gè)不同溫度區(qū)間，發(fā)現(xiàn)該方式不僅可以提高復(fù)合熒光膜的干燥效率和質(zhì)量，還提高了復(fù)合熒光膜的成膜效果，即提高了鈣鈦礦量子點(diǎn)的合成反應(yīng)效果和鈣鈦礦量子點(diǎn)與聚合物的復(fù)合效果。

根據(jù)本發(fā)明，數(shù)個(gè)溫度區(qū)各自的溫度在30-120℃之間，優(yōu)選在40-100℃之間。多個(gè)溫度區(qū)間的溫度都設(shè)置在該溫度范圍內(nèi)，作為復(fù)合熒光膜的加熱形成溫度范圍，可以保證復(fù)合熒光膜的干燥效率和干燥質(zhì)量。

優(yōu)選地，相鄰的溫度區(qū)之間相差0-30℃，優(yōu)選相差0-25℃，更優(yōu)選相差5-20℃，例如相差5-15℃。進(jìn)一步優(yōu)選地，按照依次通過(guò)的順序，多個(gè)溫度區(qū)的溫度依次升高。在復(fù)合熒光膜的形成過(guò)程中，涂覆有成膜溶液的基底材料連續(xù)地通過(guò)溫度漸增的溫度區(qū)間逐級(jí)加熱，在前述溫度梯度下，有助于溶劑的揮發(fā)和復(fù)合熒光膜的形成。

優(yōu)選地，所述數(shù)個(gè)溫度區(qū)為2-8個(gè)溫度區(qū)，即可以設(shè)置為2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)、5個(gè)、6個(gè)、7個(gè)或8個(gè)，優(yōu)選為2-5個(gè)溫度區(qū)，更優(yōu)選2-4個(gè)溫度區(qū)。在本發(fā)明提供的方法中，一般而言，在為形成復(fù)合熒光膜進(jìn)行的加熱過(guò)程中設(shè)置2-4個(gè)溫度區(qū)較為合適。設(shè)置過(guò)多的溫度區(qū)則顯得繁瑣，過(guò)少則合成和干燥效果不佳。

根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式，在所述數(shù)個(gè)溫度區(qū)中，涂覆有成膜溶液的基體材料通過(guò)的最后一個(gè)溫度區(qū)的溫度最低。

根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式，涂覆有成膜溶液的基體材料連續(xù)通過(guò)的數(shù)個(gè)溫度區(qū)的溫度依次下降。

優(yōu)選地，涂覆有成膜溶液的基體材料在每個(gè)溫度區(qū)的加熱時(shí)間為1-30分鐘，優(yōu)選1-20分鐘，更優(yōu)選4-20分鐘。

涂覆有成膜溶液的基體材料連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)溫度區(qū)的速率可以根據(jù)生產(chǎn)的具體情況來(lái)選擇，例如可以在0.01-100m/min的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式中，涂覆有成膜溶液的基體材料以0.05-1.5m/min，優(yōu)選0.2-1.5m/min的速率連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)溫度區(qū)進(jìn)行加熱。

每個(gè)溫度區(qū)的長(zhǎng)度可以設(shè)置成相同或不同，優(yōu)選設(shè)置成長(zhǎng)度相同，具體長(zhǎng)度可以根據(jù)實(shí)際情況來(lái)選擇。例如，在一些具體實(shí)施例中，每個(gè)溫度區(qū)的長(zhǎng)度可以設(shè)置成1-10m。

在本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述數(shù)個(gè)溫度區(qū)包括第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)，所述第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)的溫度分別在40-120℃、40-90℃和30-85℃；所述第一溫度區(qū)和第二溫度區(qū)的溫度相同或不同，所述第三溫度區(qū)的溫度低于第一溫度區(qū)和第二溫度區(qū)的溫度。所述涂覆有成膜溶液的基體材料依次通過(guò)第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)。當(dāng)?shù)谝粶囟葏^(qū)和第二溫度區(qū)的溫度相同時(shí)，第一溫度區(qū)和第二溫度區(qū)也可以視為一個(gè)溫度區(qū)。優(yōu)選地，涂覆有成膜溶液的基體材料以0.05-1.5m/min的速率通過(guò)第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)進(jìn)行加熱反應(yīng)。進(jìn)一步優(yōu)選地，涂覆有成膜溶液的基體材料分別在所述第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)的加熱時(shí)間為5-20分鐘。在該優(yōu)選的實(shí)施方式中，經(jīng)過(guò)第一溫度區(qū)和第二溫度區(qū)后，成膜溶液中的溶劑已大部分揮發(fā)出去，成名溶液成為無(wú)數(shù)透明狀態(tài)，隨著膜繼續(xù)經(jīng)過(guò)第三溫度區(qū)，殘余的溶劑繼續(xù)揮發(fā)，鈣鈦礦量子點(diǎn)材料開(kāi)始生產(chǎn)，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)樘囟ü馍耐该鳡顟B(tài)。至此，鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光材料形成。進(jìn)一步優(yōu)選地，第一溫度區(qū)、第二溫度區(qū)和第三溫度區(qū)的溫度依次下降。

在上述實(shí)施方式中，所述第一溫度區(qū)的溫度可進(jìn)一步優(yōu)選在45-100℃之間。

在上述實(shí)施方式中，所述第二溫度區(qū)的溫度可進(jìn)一步優(yōu)選在45-80℃之間。

在上述實(shí)施方式中，所述第三溫度區(qū)的溫度可進(jìn)一步優(yōu)選在35-75℃之間。

根據(jù)本發(fā)明提供的方法中，上述加熱方式不僅優(yōu)化了成膜的效果，同時(shí)促進(jìn)了復(fù)合熒光膜的連續(xù)化生產(chǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，所述制備方法還包括：步驟S4、退火處理，包括：將步驟S3生成鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)溫度區(qū)進(jìn)行加熱后，再連續(xù)地通過(guò)數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)進(jìn)行退火；所述數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)各自的溫度在50-100℃，優(yōu)選所述數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)為2-3個(gè)附加溫度區(qū)。

在步驟S3中，復(fù)合熒光膜基本形成，進(jìn)一步經(jīng)過(guò)步驟S4的退火處理，可以保證復(fù)合熒光膜在后續(xù)使用中的穩(wěn)定性。

優(yōu)選地，步驟S3和步驟S4連續(xù)進(jìn)行。即，涂覆有成膜溶液的基體材料在步驟S3中連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)溫度區(qū)進(jìn)行加熱后，接著連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)進(jìn)行退火。

優(yōu)選地，步驟S3中形成的復(fù)合熒光膜以0.05-1.5m/min的速率連續(xù)通過(guò)數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)進(jìn)行退火。

每個(gè)附加溫度區(qū)的長(zhǎng)度可以設(shè)置成相同或不同，優(yōu)選設(shè)置成長(zhǎng)度相同，具體長(zhǎng)度可以根據(jù)實(shí)際情況來(lái)選擇。例如，在一些具體實(shí)施例中，每個(gè)附加溫度區(qū)的長(zhǎng)度可以設(shè)置成1-10m。

優(yōu)選地，步驟S3中形成的復(fù)合熒光膜在每個(gè)附加溫度區(qū)的加熱時(shí)間為1-30分鐘，優(yōu)選4-20分鐘。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選地，涂覆有成膜溶液的基體材料在步驟S3中通過(guò)的最后一個(gè)溫度區(qū)的溫度低于其在步驟S4中通過(guò)的第一個(gè)附加溫度區(qū)的溫度。進(jìn)一步優(yōu)選地，復(fù)合熒光膜連續(xù)通過(guò)的所述數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)的溫度遞增。

在本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式中，所述數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)包括第一附加溫度區(qū)和第二附加溫度區(qū)，所述第一附加溫度區(qū)和第二附加溫度區(qū)的溫度分別在50-90℃和55-100℃；所述第一附加溫度區(qū)的溫度低于第二附加溫度區(qū)的溫度。步驟S3中形成的復(fù)合熒光膜依次通過(guò)所述第一附加溫度和第二附加溫度區(qū)。優(yōu)選地，復(fù)合熒光膜以0.05-1.5m/min的速率通過(guò)第一附加溫度區(qū)和第二附加溫度區(qū)進(jìn)行退火。所述第二附加溫度區(qū)的溫度可進(jìn)一步優(yōu)選為60-90℃。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，步驟S3中所述數(shù)個(gè)溫度區(qū)為3個(gè)溫度區(qū)，步驟S4中所述數(shù)個(gè)附加溫度區(qū)為2個(gè)溫度區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選步驟S3和/或步驟S4在常壓下進(jìn)行?，F(xiàn)有技術(shù)中，加熱反應(yīng)或退火步驟常常要求在高溫、真空或惰性氣氛條件下進(jìn)行，而本發(fā)明方法則不需要對(duì)該過(guò)程進(jìn)行特殊控制，在常壓下就能制備得到光學(xué)性能良好的復(fù)合薄膜。

根據(jù)本發(fā)明，在步驟S1的所述成膜溶液中還含有有機(jī)胺，所述有機(jī)胺優(yōu)選為4-20個(gè)碳的脂肪胺和芳香胺中的至少一種，更優(yōu)選為6-12個(gè)碳的脂肪胺和芳香胺中的至少一種，進(jìn)一步優(yōu)選為6-10個(gè)碳的脂肪胺和芳香胺中的至少一種。例如，所述有機(jī)胺可選自己胺、庚胺、辛胺和苯甲胺等中的至少一種。研究發(fā)現(xiàn)，有機(jī)胺的加入有助于提高復(fù)合薄膜的發(fā)光質(zhì)量，提高發(fā)光效率(保證發(fā)光效率在50％以上)。

優(yōu)選地，所述聚合物與有機(jī)胺的重量比為10:(0.01-1)，優(yōu)選10：(0.1-0.9)。

根據(jù)本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方式，在步驟S1中，所述有機(jī)溶劑包括第一溶劑和第二溶劑，所述第一溶劑為極性有機(jī)溶劑，所述第二溶劑為揮發(fā)性有機(jī)溶劑。第一溶劑的作用主要在于溶解反應(yīng)原料，包括溶解鈣鈦礦原料組分和聚合物組分等。第二溶劑本身是低沸點(diǎn)和易揮發(fā)性的有機(jī)溶劑，應(yīng)與第一溶劑兼容，用以調(diào)節(jié)反應(yīng)混合溶液的黏度和反應(yīng)過(guò)程中溶劑的揮發(fā)速率和薄膜的干燥質(zhì)量等。優(yōu)選地，第二溶劑的沸點(diǎn)低于100℃。

優(yōu)選地，所述第一溶劑選自二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜和N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、硝酸亞乙基酯、環(huán)己醇、碳酸丙二酯、苯胺、環(huán)丁砜、乙酸酐、二甲基乙撐脲、二甲基亞丙基脲、腈基苯、四甲基脲、六甲基磷酰胺、苯乙酮、環(huán)己酮、喹啉和氟苯中的至少一種，優(yōu)選為二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮和環(huán)丁砜中的至少一種，更優(yōu)選為二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺和二甲基亞砜中的至少一種。

優(yōu)選地，所述第二溶劑選自四氫呋喃、乙腈、丙酮、甲基乙基酮、2-戊醇、硝基甲烷、3-戊醇、丙腈、叔丁醇、乙二胺、1,2-二氯乙烷、丁酮、甲乙酮、叔戊醇、2-戊酮、異戊酮、二氯甲烷、吡啶、乙酸甲酯、4-甲基-2-戊酮、3-戊酮、氯仿、3,3-二甲基-2-丁酮、乙酸乙酯、四氫呋喃和碳酸二乙酯中的至少一種，優(yōu)選為四氫呋喃、乙腈、甲基乙基酮、丙腈和乙酸乙酯中的至少一種，更優(yōu)選為四氫呋喃、乙腈和甲基乙基酮中的至少一種。

優(yōu)選地，所述第一溶劑與第二溶劑的質(zhì)量比為1:(0.01-1)，優(yōu)選1:(0.1-0.9)，更優(yōu)選1:(0.2-0.5)。

優(yōu)選地，所述聚合物與第一溶劑與第二溶劑的質(zhì)量之和的質(zhì)量比為1:(1-50)，優(yōu)選1:(5-50)，更優(yōu)選1:(5-30)。

使用前述使用量關(guān)系下的溶劑和聚合物用量可優(yōu)化復(fù)合熒光膜的干燥效率和成膜質(zhì)量。

優(yōu)選地，所述成膜溶液的黏度為100-1000mPa.s。這樣可提高成膜溶液的涂覆時(shí)的平整度和水平度。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，在步驟S2中，成膜溶液通過(guò)流延工藝涂覆在基底材料上；優(yōu)選成膜溶液的流延溫度為20～60℃。在本發(fā)明中，通過(guò)流延工藝，結(jié)合后續(xù)的連續(xù)加熱反應(yīng)，可連續(xù)化地制備平整度高和均勻性好的復(fù)合薄膜。成膜溶液流延至基底材料后，接著進(jìn)入加熱區(qū)，鈣鈦礦量子點(diǎn)合成和鈣鈦礦量子點(diǎn)與聚合物的復(fù)合成膜在可在一步中完成，方法簡(jiǎn)單高效。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選成膜溶液在基底材料上的涂覆(如流延)厚度為50μm-1000μm，例如100-600μm，由此可以保證最終復(fù)合熒光膜的使用效果。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選成膜溶液在基底材料上的涂覆寬度為5cm～150cm，流延薄膜的長(zhǎng)度不限，可連續(xù)化生產(chǎn)。

在本發(fā)明中，步驟S1中所述鈣鈦礦原料組分是指能夠用于制備通式為ABX₃的鈣鈦礦量子點(diǎn)的有機(jī)鹽和/或無(wú)機(jī)鹽。鈣鈦礦量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)通式為ABX₃，是一種具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的材料，其中，A可為無(wú)機(jī)陽(yáng)離子或帶正電荷的分子，例如K⁺、Na⁺、Pb²⁺、Ba²⁺等20多種元素，B可為Cr³⁺、Nb⁵⁺、Zr⁴⁺等50多種元素，X可由O、Cl、Br、I、S等陰離子組成。中心金屬陽(yáng)離子B與陰離子X(jué)形成配位八面體結(jié)構(gòu)，A存在于八面體間隙，起到平衡BX₃陰離子電荷的作用。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選地，所述鈣鈦礦原料組分是指能夠用于制備通式為ABX₃的鈣鈦礦量子點(diǎn)的原料，包括有機(jī)鹽和/或無(wú)機(jī)鹽，A為金屬陽(yáng)離子或帶正電荷的有機(jī)胺離子，B為金屬陽(yáng)離子，X為鹵素離子；優(yōu)選地，A＝Cs⁺、Na⁺、K⁺、NH＝CHNH₃⁺或R₂NH₃⁺，其中R₂為鏈碳原子數(shù)為1-8之間的飽和直鏈烷基基團(tuán)或飽和支鏈烷基基團(tuán)或不飽和直鏈烷基基團(tuán)或不飽和支鏈烷基基團(tuán)或芳香基團(tuán)，優(yōu)選A＝Cs⁺、CH₃NH₃⁺、NH＝CHNH₃⁺；B＝Pb²⁺、Sn²⁺、Mn²⁺、Ge²⁺、Sb²⁺、Bi²⁺或Cu²⁺，優(yōu)選B＝Pb²⁺；X＝Cl^-、Br^-或I^-中的至少一種。

在本發(fā)明中，適用的聚合物沒(méi)有特別限制，一般而言，選自能夠在二甲基甲酰胺等極性溶劑中溶解的透明聚合物。例如，所述聚合物可以優(yōu)選自聚偏氟乙烯(PVDF)、醋酸纖維素(CA)、氰基纖維素(CC)、聚丙烯腈(PAN)、偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-trFE))、聚苯乙烯(PS)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、聚丙烯酸甲酯(PMMA)、苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚砜(PSF)和聚氯乙烯(PVC)中的至少一種；優(yōu)選聚偏氟乙烯(PVDF)、醋酸纖維素(CA)、氰基纖維素(CC)、聚丙烯腈(PAN)、偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-trFE))和三醋酸纖維素(TAC)中的至少一種；更優(yōu)選聚偏氟乙烯(PVDF)、醋酸纖維素(CA)、氰基纖維素(CC)、聚丙烯腈(PAN)和偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-trFE))中的至少一種。

在步驟S1中配制成膜溶液時(shí)，優(yōu)選在低濕度環(huán)境下進(jìn)行，例如控制相對(duì)濕度在30％以下。

在本發(fā)明中，基底材料沒(méi)有特殊限定，可選用本領(lǐng)域中常規(guī)使用的基底材料。例如，基底材料可以是PC、PET材質(zhì)的基底材料，優(yōu)選以PC、PET材質(zhì)的具有光學(xué)結(jié)構(gòu)的擴(kuò)散薄膜作為基底材料，由此可以提高復(fù)合熒光膜的發(fā)光質(zhì)量。

本發(fā)明提供的方法可借助流延設(shè)備來(lái)實(shí)施，在流延工段后增設(shè)多個(gè)可分別設(shè)置溫度的腔室，以用于實(shí)施分級(jí)加熱反應(yīng)和分級(jí)退火過(guò)程。

根據(jù)本發(fā)明，在經(jīng)過(guò)步驟S1配制成膜溶液后，步驟S2和步驟S3可以連續(xù)化進(jìn)行，更進(jìn)一步地，步驟S2、步驟S3和步驟S4可以連續(xù)進(jìn)行，如此實(shí)現(xiàn)本發(fā)明方法的連續(xù)化進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)一步法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜。

根據(jù)本發(fā)明提供的方法，可進(jìn)行連續(xù)化的工業(yè)生產(chǎn)，制備得到的鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合熒光膜具有發(fā)光效率高、發(fā)光面積大、透明性好等優(yōu)點(diǎn)，且在使用時(shí)可不需要附加多個(gè)保護(hù)層。此外，與現(xiàn)有的量子點(diǎn)光學(xué)膜生產(chǎn)工藝相比，本發(fā)明提供的方法能夠明顯簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程，提高生產(chǎn)效率，降低成本；在優(yōu)選實(shí)施方式中通過(guò)引入雙溶劑體系，可以生產(chǎn)純無(wú)機(jī)的量子點(diǎn)(如CsPbX₃)光學(xué)膜，且雙溶劑體系可以提高干燥效率；干燥條件為常壓，適合連續(xù)化生產(chǎn)；采用多段式加熱干燥的方法，能夠更好地控制量子點(diǎn)光學(xué)膜的發(fā)光質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1是用于制備鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光膜的流延成型設(shè)備示意圖；

圖2是實(shí)施例2制備的鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光薄膜熒光發(fā)射光譜圖；

圖3是實(shí)施例4制備的鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光薄膜熒光發(fā)射光譜圖；

圖4是實(shí)施例5制備的鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光薄膜的吸收光譜與熒光發(fā)射光譜圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步地說(shuō)明，應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍并不限于這些示例性的具體實(shí)施例。

以下實(shí)施例中主要采用流延成型設(shè)備(如圖1所示)來(lái)制備鈣鈦礦量子點(diǎn)/聚合物復(fù)合發(fā)光膜。所述流延成型設(shè)備包括料槽、流延工作臺(tái)、刮刀、加熱平臺(tái)(包括反應(yīng)、干燥階段的加熱和退火處理階段的加熱)和載有基底材料的傳送帶。所述加熱平臺(tái)包括可單獨(dú)設(shè)定溫度的多個(gè)腔室(干燥箱)，并且可根據(jù)需要增加或減少腔室的數(shù)量，每個(gè)腔室的長(zhǎng)度可相同或不同，可根據(jù)需要來(lái)選擇。

實(shí)施例1CH₃NH₃PbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型(1)

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分PbBr₂ 0.4mmol、CH₃NH₃Br(溴化甲胺)0.4mmol，聚合物組分PVDF 10g和有機(jī)胺組分正辛胺0.05g溶解到有機(jī)溶劑二甲基亞砜100mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟處理：機(jī)械攪拌1h，高速分散30min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

預(yù)先設(shè)置流延成型設(shè)備的多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度1m)的溫度，依次為：第一段70℃，第二段60℃，第三段50℃，附加第一段60℃，附加第二段70℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延設(shè)備烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為300μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，常溫下的成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為0.05m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延設(shè)備的烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道與第二段烘道之間，DMSO溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著DMSO溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，CH₃NH₃PbBr₃量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榫G色透明的狀態(tài)。至此，CH₃NH₃PbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入附加第一段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延設(shè)備尾部自動(dòng)成卷。

復(fù)合發(fā)光薄膜的寬度為40cm。采用F380熒光分光光度計(jì)測(cè)試制備的復(fù)合發(fā)光薄膜的發(fā)射光譜，確定了復(fù)合發(fā)光薄膜的發(fā)光波長(zhǎng)為530nm，半峰寬為28nm。采用濱松公司的絕對(duì)熒光量子產(chǎn)率測(cè)試系統(tǒng)，以370nm為激發(fā)波長(zhǎng)測(cè)量得到的復(fù)合薄膜的熒光量子產(chǎn)率為75％。采用UV-Vis分光光度計(jì)測(cè)試得到的復(fù)合發(fā)光薄膜的透光率為80％(550nm-900nm)。

實(shí)施例2CH₃NH₃PbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型(2)

重復(fù)實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)步驟，將有機(jī)溶劑二甲基亞砜100mL改為混合溶劑二甲基亞砜60mL/丙酮40mL，設(shè)置膜帶進(jìn)入烘道的速度為0.3m/min。得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈透亮的綠色，采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為535nm，半峰寬為28nm，熒光量子產(chǎn)率為74％，透光率為79％(550nm-900nm)。在同樣的干燥條件下，采用混合溶劑體系可以加快復(fù)合發(fā)光薄膜的流延干燥速度，縮短干燥時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，復(fù)合發(fā)光薄膜的熒光發(fā)射光譜圖如圖2所示。

實(shí)施例3CH₃NH₃PbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型(3)

重復(fù)實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)步驟，只是不添加0.05g正辛胺作為添加劑。得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈淡黃色，采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為530nm，半峰寬為31nm，熒光量子產(chǎn)率為23％，透光率為41％(550nm-900nm)。有機(jī)胺添加劑的加入能夠大幅提高制備的復(fù)合薄膜的熒光量子產(chǎn)率。

對(duì)比例1CH₃NH₃PbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型(4)

重復(fù)實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)步驟，只是關(guān)閉第一段和第二段烘道的加熱組件，使其內(nèi)溫度為室溫，從而使涂覆有成膜溶液的透明基底膜直接通過(guò)50℃的第三段烘道。得到的復(fù)合發(fā)光薄膜在剛進(jìn)入附加第一段烘道時(shí)，只有邊沿區(qū)域發(fā)光，經(jīng)過(guò)附加第一段和附加第二段退火烘道后，最終得到偏黃綠色的復(fù)合薄膜。

采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為537nm，半峰寬為33nm，熒光量子產(chǎn)率為45％。對(duì)比例1中的成膜溶液由于第一段和第二段烘道被關(guān)閉，與實(shí)施例1相比，結(jié)合考慮退火的兩段附加烘道，相當(dāng)于經(jīng)歷了一個(gè)50℃-60℃-70℃的相反的溫度梯度的干燥過(guò)程，其中鈣鈦礦量子點(diǎn)在復(fù)合薄膜中的形核生長(zhǎng)環(huán)境改變了，得到的復(fù)合薄膜的發(fā)光效果較差，直接表現(xiàn)為量子產(chǎn)率降低，半峰寬變大。

實(shí)施例4CH₃NH₃PbBr₃I_3-x/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分PbBr₂ 0.4mmol、CH₃NH₃I0.6mmol，聚合物組分PVDF 10g和添加劑組分正己胺0.12g溶解到混合有機(jī)溶劑二甲基乙酰胺50mL/乙腈50mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟處理：機(jī)械攪拌2h，高速分散20min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

預(yù)先設(shè)置流延成型設(shè)備的多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度3m)的溫度，依次為：第一段80℃，第二段75℃，第三段65℃，附加第一段70℃，附加第二段80℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延機(jī)烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為400μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為0.3m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延設(shè)備的烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道內(nèi)低沸點(diǎn)的乙腈溶劑先揮發(fā)殆盡，成膜溶液趨于定型，第二段烘道之間，二甲基乙酰胺溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著二甲基乙酰胺溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，CH₃NH₃PbBr₃I_3-x量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榧t色透明的狀態(tài)，紅色逐漸加深。至此，CH₃NH₃PbBr₃I_3-x/PVDF復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入附加第一段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延設(shè)備尾部自動(dòng)成卷。

制備得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈紅色，寬度為100cm。采用與實(shí)施例1同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為642nm，半峰寬為38nm，熒光量子產(chǎn)率為50％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為450nm)，復(fù)合發(fā)光薄膜的熒光發(fā)射光譜圖如圖3所示。

實(shí)施例5CsPbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分PbBr₂ 0.4mmol、CsBr 0.5mmol，聚合物組分PVDF 10g和添加劑組分正癸胺0.2g溶解到混合有機(jī)溶劑二甲基甲酰胺20mL/四氫呋喃80mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟：機(jī)械攪拌3h，高速分散30min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

預(yù)先設(shè)置流延成型設(shè)備的多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度7m)的溫度，依次為：第一段85℃，第二段80℃，第三段70℃，附加第一段80℃，附加第二段90℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延設(shè)備烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為100μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為1.5m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延機(jī)組烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道內(nèi)低沸點(diǎn)的四氫呋喃溶劑先揮發(fā)殆盡，成膜溶液趨于定型。第二段烘道之間，二甲基甲酰胺溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著二甲基甲酰胺溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，CsPbBr₃量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榫G色透明的狀態(tài)。至此，CsPbBr₃/PVDF復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入附加第一段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延機(jī)組尾部自動(dòng)成卷。

復(fù)合發(fā)光薄膜的寬度為80cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，其發(fā)光波長(zhǎng)為520nm，半峰寬為19nm，熒光量子產(chǎn)率為80％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)，復(fù)合發(fā)光薄膜的吸收光譜與熒光發(fā)射光譜圖如圖4所示。

實(shí)施例6(NH＝CHNH₃)₃Bi₂Br₉/CA復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分BiBr₃ 0.4mmol、NH＝CHNH₃Br(氯化甲脒)0.6mmol，聚合物組分CA 10g和添加劑組分正十二胺0.1g與正十四胺0.2g溶解到混合有機(jī)溶劑N-甲基吡咯烷酮70mL和丙腈30mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟處理：機(jī)械攪拌24h，高速分散30min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

在圖1顯示的流延成型設(shè)備的基礎(chǔ)上增設(shè)一個(gè)干燥箱，預(yù)先設(shè)置多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度10m)的溫度，依次為：第一段110℃，第二段95℃，第三段85℃，第四段70℃，附加第一段90℃，附加第二段100℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延設(shè)備烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為50μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，常溫下的成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為10m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延設(shè)備的烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道與第二段烘道之間，甲基乙基酮溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著N-甲基吡咯烷酮溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，(NH＝CHNH₃)₃Bi₂Br₉量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榈G色透明的狀態(tài)。至此，(NH＝CHNH₃)₃Bi₂Br₉/CA復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入第四段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延設(shè)備尾部自動(dòng)成卷。

得到的復(fù)合發(fā)光薄膜的寬度為150cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為450nm，半峰寬為50nm，熒光量子產(chǎn)率為50％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)。

實(shí)施例7CH₃NH₃PbBr₃Cl_3-x/PAN復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分PbBr₂ 0.4mmol、CH₃NH₃Cl0.5mmol，聚合物組分PAN 10g和添加劑組分苯甲胺0.9g溶解到混合有機(jī)溶劑二甲基乙酰胺50mL/丙酮50mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟處理：機(jī)械攪拌2h，高速分散20min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

預(yù)先設(shè)置流延成型設(shè)備的多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度3m)的溫度，依次為：第一段45℃，第二段45℃，第三段40℃，附加第一段50℃，附加第二段60℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延機(jī)烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為400μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為0.1m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延設(shè)備的烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道內(nèi)低沸點(diǎn)的乙腈溶劑先揮發(fā)殆盡，成膜溶液趨于定型，第二段烘道之間，二甲基乙酰胺溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著二甲基乙酰胺溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，CH₃NH₃PbBr₃Cl_3-x量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榈G色透明的狀態(tài)。至此，CH₃NH₃PbBr₃Cl_3-x/PAN復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入附加第一段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延設(shè)備尾部自動(dòng)成卷。

制備得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈淡綠色，寬度為110cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為485nm，半峰寬為29nm，熒光量子產(chǎn)率為55％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)。

實(shí)施例8CH₃NH₃PbBr₃/CC復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

在相對(duì)濕度<30％的環(huán)境下，將鈣鈦礦原料組分PbBr₂ 0.4mmol、CH₃NH₃Br0.5mmol，聚合物組分CC 10g和添加劑組分二苯甲胺0.03g溶解到混合有機(jī)溶劑二甲基乙酰胺50mL/乙腈50mL中，得到混合溶液。將混合溶液依次經(jīng)過(guò)下列步驟處理：機(jī)械攪拌2h，高速分散20min，高目數(shù)濾網(wǎng)過(guò)濾除去雜質(zhì)，離心脫除氣泡，真空進(jìn)一步脫除氣泡，最后獲得了下一階段使用的成膜溶液，封存待用。

預(yù)先設(shè)置流延成型設(shè)備的多段干燥箱(每段干燥箱長(zhǎng)度3m)的溫度，依次為：第一段120℃，第二段100℃，第三段75℃，附加第一段80℃，附加第二段90℃，提前預(yù)熱半個(gè)小時(shí)，保證干燥烘道內(nèi)的溫度趨于穩(wěn)定。

將流延機(jī)烘道前端的刮刀部分的刮膜厚度調(diào)整為400μm，然后將成膜溶液勻速倒入流延設(shè)備的料槽中，在電機(jī)的勻速帶動(dòng)下，成膜溶液被均勻地涂覆在透明基底膜上，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為0.6m/min。

附著有成膜溶液的基底膜帶在流延設(shè)備的烘道內(nèi)慢慢干燥成型，在第一段烘道內(nèi)低沸點(diǎn)的乙腈溶劑先揮發(fā)殆盡，成膜溶液趨于定型，第二段烘道之間，二甲基乙酰胺溶劑基本完全被烘干，成膜溶液成為無(wú)色透明狀態(tài)。隨著膜帶繼續(xù)前進(jìn)，在第三段烘道中，隨著二甲基乙酰胺溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，CH₃NH₃PbBr₃量子點(diǎn)開(kāi)始生成，薄膜由無(wú)色透明轉(zhuǎn)變?yōu)榫G色透明的狀態(tài)。至此，CH₃NH₃PbBr₃/CC復(fù)合發(fā)光材料的連續(xù)流延成型結(jié)束。隨著膜帶進(jìn)入附加第一段以后的烘道，復(fù)合發(fā)光薄膜將經(jīng)歷退火過(guò)程，最終得到穩(wěn)定的復(fù)合發(fā)光薄膜在流延設(shè)備尾部自動(dòng)成卷。

制備得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈綠色，寬度為110cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為531nm，半峰寬為26nm，熒光量子產(chǎn)率為87％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)。

實(shí)施例9CH₃NH₃PbBr₃/P(VDF-trFE)復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

參照實(shí)施例8的實(shí)驗(yàn)方法，只是將聚合物組分替換為P(VDF-trFE)，添加劑組分換為三苯甲胺0.05g，其它條件不變。

制備得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈綠色，寬度為110cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為528nm，半峰寬為25nm，熒光量子產(chǎn)率為84％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)。

實(shí)施例10CH₃NH₃PbBr₃/CC復(fù)合發(fā)光薄膜的連續(xù)流延成型

參照實(shí)施例8的實(shí)驗(yàn)方法，只是將混合溶劑的比例調(diào)整為二甲基乙酰胺90mL/乙腈10mL，所述多段干燥箱的長(zhǎng)度設(shè)置為1m，設(shè)置膜帶進(jìn)入上述多個(gè)干燥箱烘道的速度為0.05m/min，其它條件不變。

制備得到的復(fù)合發(fā)光薄膜呈綠色，寬度為110cm。采用同樣的測(cè)試手段對(duì)復(fù)合發(fā)光薄膜進(jìn)行表征，發(fā)光波長(zhǎng)為529nm，半峰寬為25nm，熒光量子產(chǎn)率為82％(激發(fā)光源波長(zhǎng)為370nm)。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，通過(guò)采用主副溶劑的混合體系，加快了復(fù)合發(fā)光薄膜的流延干燥效率，更加適用于連續(xù)化的工業(yè)生產(chǎn)。此外，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式通過(guò)在復(fù)合發(fā)光薄膜體系中引入有機(jī)胺組分，提升了復(fù)合發(fā)光薄膜的熒光量子產(chǎn)率以及流延干燥溫度。本發(fā)明通過(guò)采用多段式的干燥烘道，能夠更好地根據(jù)復(fù)合發(fā)光薄膜體系中鈣鈦礦原料組分、聚合物組分、溶劑組分、有機(jī)胺組分的不同來(lái)調(diào)整優(yōu)化干燥過(guò)程中的溫度需求，從而獲得高質(zhì)量的發(fā)光薄膜。

雖然本發(fā)明已作了詳細(xì)描述，但對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的修改將是顯而易見(jiàn)的。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明記載的各方面、不同具體實(shí)施方式的各部分、和列舉的各種特征可被組合或全部或部分互換。在上述的各個(gè)具體實(shí)施方式中，那些參考另一個(gè)具體實(shí)施方式的實(shí)施方式可適當(dāng)?shù)嘏c其它實(shí)施方式組合，這是將由本領(lǐng)域技術(shù)人員所能理解的。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，前面的描述僅是示例的方式，并不旨在限制本發(fā)明。