本發(fā)明屬于電路封裝，具體為一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法。

背景技術(shù)：

1、巴利寧涂層（parylene，也稱(chēng)派瑞林涂層、派拉倫涂層），由單體對(duì)二甲苯環(huán)二體及其衍生物通過(guò)真空氣相沉積技術(shù)制備，是一種均勻、透明、致密的新型高分子材料，具有優(yōu)異的電絕緣性能、物理機(jī)械性能及防潮防霉特性，表現(xiàn)出很好的隔離防護(hù)功能，從而在電子電路組件、微電子集成電路、微電子機(jī)械系統(tǒng)及混合集成電路等電子行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)出極大的應(yīng)用前景。

2、當(dāng)前，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的非密封電路采用環(huán)氧膠進(jìn)行密封，以確?；旌想娐吩诖鎯?chǔ)、運(yùn)輸、使用過(guò)程中內(nèi)部元器件質(zhì)量可靠性得到有效保證，但由于使用材料性能原因，該電路存在漏氣現(xiàn)象，使元器件吸潮，從而影響了器件的性能。在非氣密性封裝電路中使用巴利寧涂覆技術(shù)可有效解決電路內(nèi)部元器件受潮失效的問(wèn)題，但是在該技術(shù)應(yīng)用過(guò)程中存在兩個(gè)問(wèn)題：（1）非氣密性封裝電路背部引腳及導(dǎo)帶的防護(hù)：巴利寧涂層是在真空腔室中通過(guò)單分子聚合而成，因氣態(tài)顆粒無(wú)孔不入，且非氣密電路管殼存在孔洞，因此在進(jìn)行巴利寧涂層制備前需要解決背部引腳及導(dǎo)帶的防護(hù)問(wèn)題；（2）非氣密性封裝電路是通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠粘接封裝管帽的方式實(shí)現(xiàn)電路內(nèi)部的密封，試驗(yàn)表明先涂層再封帽的防護(hù)方式在機(jī)械沖擊考核中出現(xiàn)封裝管帽結(jié)合強(qiáng)度的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，解決背景技術(shù)中的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，包括：

4、將完成元器件裝貼的基片固定在管殼內(nèi)腔；

5、在待封裝的管帽中心位置進(jìn)行打孔；

6、將封裝管帽粘接在基片上，完成電路的封裝；

7、將電路安裝在下端封閉的圓形模具中，并對(duì)管殼進(jìn)行密封處理；

8、將模具放入巴利寧氣相沉積設(shè)備中的沉積室，進(jìn)行沉積；

9、沉積結(jié)束后將模具拿出，解除密封處理，剪除電路周邊的涂層毛刺。

10、優(yōu)選地，待封裝的管帽中心位置使用激光打孔，孔徑大小為300-400um。

11、優(yōu)選地，對(duì)管殼進(jìn)行密封處理具體為：

12、使用丁晴橡膠圈及丁晴密封塞對(duì)管殼進(jìn)行密封處理，丁晴橡膠圈用于密封電路外殼與模具內(nèi)腔的孔隙，丁晴密封塞由下向上塞入管殼上的圓形孔中。

13、優(yōu)選地，巴利寧氣相沉積設(shè)備中的沉積室一端依次連接裂解爐和升華爐，另一端依次連接冷阱和真空泵。

14、優(yōu)選地，在沉積過(guò)程中，升華爐中的單次投料質(zhì)量不少于60g，并使用巴利寧f作為原材料。

15、優(yōu)選地，巴利寧氣相沉積設(shè)備的試樣升華爐溫度設(shè)置為170℃-180℃。

16、優(yōu)選地，裂解反應(yīng)室溫度設(shè)置為670℃-680℃，沉積室溫度為室溫。

17、優(yōu)選地，巴利寧f粉料在升華爐中汽化后進(jìn)行裂解爐中分解，后進(jìn)入室溫沉積室反應(yīng)生產(chǎn)巴利寧涂層。

18、優(yōu)選地，所述巴利寧f粉料裂解后通過(guò)管帽中心位置的孔洞進(jìn)入。

19、優(yōu)選地，使用環(huán)氧樹(shù)脂粘接劑完成待封裝管帽的粘接。

20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明提供了一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，在待封裝的管帽中心位置進(jìn)行打孔，然后完成電路的封裝，將電路安裝在下端封閉的圓形模具中，并對(duì)管殼進(jìn)行密封處理，保護(hù)管殼下引腳不被涂上涂層，將模具放入巴利寧氣相沉積設(shè)備中的沉積室，進(jìn)行沉積，通過(guò)氣相沉積技術(shù)在電路內(nèi)部制備巴利寧涂層，該涂層具有優(yōu)異的性能，為電路提供了全面的保護(hù)，沉積結(jié)束后將模具拿出，解除密封處理，剪除電路周邊的涂層毛刺，確保產(chǎn)品的最終質(zhì)量。

21、進(jìn)一步地，孔徑大小為300-400um，一方面是控制進(jìn)氣量，從而可以控制沉積層厚度；另一方面，在沉積結(jié)束后，沉積的涂層剛好可以實(shí)現(xiàn)堵孔的目的，從而可以防止多余物進(jìn)去電路腔室。。

技術(shù)特征：

1.一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，待封裝的管帽中心位置使用激光打孔，孔徑大小為300-400um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，對(duì)管殼進(jìn)行密封處理具體為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，巴利寧氣相沉積設(shè)備中的沉積室一端依次連接裂解爐和升華爐，另一端依次連接冷阱和真空泵。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，在沉積過(guò)程中，升華爐中的單次投料質(zhì)量不少于60g，并使用巴利寧f作為原材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，巴利寧氣相沉積設(shè)備的試樣升華爐溫度設(shè)置為170℃-180℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，裂解反應(yīng)室溫度設(shè)置為670℃-680℃，沉積室溫度為室溫。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，巴利寧f粉料在升華爐中汽化后進(jìn)行裂解爐中分解，后進(jìn)入室溫沉積室反應(yīng)生產(chǎn)巴利寧涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，所述巴利寧f粉料裂解后通過(guò)管帽中心位置的孔洞進(jìn)入。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，其特征在于，使用環(huán)氧樹(shù)脂粘接劑完成待封裝管帽的粘接。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種非氣密性封裝電路用巴利寧涂層制備方法，屬于電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，在待封裝的管帽中心位置進(jìn)行打孔，然后完成電路的封裝，將電路安裝在下端封閉的圓形模具中，并對(duì)管殼進(jìn)行密封處理，保護(hù)管殼下引腳不被涂上涂層，將模具放入巴利寧氣相沉積設(shè)備中的沉積室，進(jìn)行沉積，通過(guò)氣相沉積技術(shù)在電路內(nèi)部制備巴利寧涂層，該涂層具有優(yōu)異的性能，為電路提供了全面的保護(hù)，沉積結(jié)束后將模具拿出，解除密封處理，剪除電路周邊的涂層毛刺，確保產(chǎn)品的最終質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：韓文靜,馮春苗,肖澤平,付博彬,湯姝莉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安微電子技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8