基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，包括微帶傳輸線、第一低頻同軸連接器、第二低頻同軸連接器及PIM測(cè)試儀，微帶傳輸線的一端通過(guò)第一低頻同軸連接器與PIM測(cè)試儀相連接，微帶傳輸線的另一端通過(guò)第二低頻同軸連接器與PIM測(cè)試儀相連接，待測(cè)鍍層金屬母板位于微帶傳輸線的介質(zhì)層內(nèi)。本發(fā)明的互調(diào)指標(biāo)測(cè)試結(jié)果具有較高的針對(duì)性及準(zhǔn)確性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于鍍層測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]兩個(gè)或兩個(gè)以上的載波信號(hào)經(jīng)過(guò)具有非線性響應(yīng)的部件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同于載波頻率的新信號(hào)，此現(xiàn)象稱(chēng)為無(wú)源互調(diào)。無(wú)源互調(diào)(passive intermodulat1n PIM)是指兩個(gè)或兩個(gè)以上頻率的發(fā)射載波在無(wú)源非線性器件中混合而產(chǎn)生的雜散信號(hào)，其已經(jīng)對(duì)現(xiàn)代大功率、多通道通信系統(tǒng)造成嚴(yán)重干擾。
[0003]目前，關(guān)于鍍層材料的無(wú)源互調(diào)測(cè)試，主要基于實(shí)驗(yàn)室特定環(huán)境。通用的關(guān)于材料及鍍層的無(wú)源互調(diào)測(cè)試的方案，基本是在現(xiàn)有的同軸或波導(dǎo)上，通過(guò)改變內(nèi)外導(dǎo)體或金屬接觸面的材料及鍍層實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)源互調(diào)指標(biāo)的評(píng)估。但由于現(xiàn)有的同軸或波導(dǎo)本身已作為已知的標(biāo)準(zhǔn)件，其封閉結(jié)構(gòu)，使得在待測(cè)件的更換過(guò)程中，往往會(huì)將連接不可靠性引入，使得測(cè)試結(jié)果中包含不確定因素。而傳統(tǒng)的對(duì)鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置往往無(wú)法避免接觸無(wú)源互調(diào)特性對(duì)非接觸式無(wú)源互調(diào)特性測(cè)試的干擾。傳統(tǒng)的無(wú)源互調(diào)測(cè)試過(guò)程中，往往不能做到對(duì)無(wú)源互調(diào)測(cè)試回路的原位校準(zhǔn)，使得測(cè)試結(jié)果包含于測(cè)試不確定之中，使得鍍層材料的互調(diào)指標(biāo)的針對(duì)性亟待提尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供了一種基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，該裝置的互調(diào)指標(biāo)測(cè)試結(jié)果具有較高的針對(duì)性及準(zhǔn)確性。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置包括微帶傳輸線、第一低頻同軸連接器、第二低頻同軸連接器及PIM測(cè)試儀，微帶傳輸線的一端通過(guò)第一低頻同軸連接器與PIM測(cè)試儀相連接，微帶傳輸線的另一端通過(guò)第二低頻同軸連接器與PIM測(cè)試儀相連接，待測(cè)鍍層金屬母板位于微帶傳輸線的介質(zhì)層內(nèi)。
[0006]微帶傳輸線的上導(dǎo)體的中部開(kāi)設(shè)有通孔，微帶傳輸線的介質(zhì)層上開(kāi)設(shè)有凹槽，待測(cè)鍍層金屬母板穿過(guò)所述通孔內(nèi)嵌于所述凹槽內(nèi)。
[0007]所述第一低頻同軸連接器及第二低頻同軸連接器均為L(zhǎng)29連接器。
[0008]鍍于金屬母板上的待測(cè)鍍層為磁滯性材料。
[0009]磁滯性材料為鎳。
[0010]所述凹槽的橫截面為圓形或長(zhǎng)方形。
[0011]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0012]本發(fā)明所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置在具體操作時(shí)，以微帶傳輸線為待測(cè)鍍層金屬母板的載體，將待測(cè)鍍層金屬母板放置于介質(zhì)層中，通過(guò)上導(dǎo)體產(chǎn)生的電磁場(chǎng)使用非接觸的電磁場(chǎng)擾動(dòng)方法激勵(lì)位于介質(zhì)層中的待測(cè)鍍層金屬母板，使其產(chǎn)生的無(wú)源互調(diào)信號(hào)傳輸至PM測(cè)試儀中，避免接觸無(wú)源互調(diào)對(duì)鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試結(jié)果的干擾，提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，解決鍍層材料無(wú)源互調(diào)測(cè)試中存在的接觸不確定問(wèn)題，從而使待測(cè)鍍層材料的互調(diào)指標(biāo)測(cè)試結(jié)果具有較高的針對(duì)性及準(zhǔn)確性。
[0013]進(jìn)一步，微帶傳輸線的上導(dǎo)體的中部開(kāi)設(shè)有通孔，微帶傳輸線的介質(zhì)層上開(kāi)設(shè)有凹槽，待測(cè)鍍層金屬母板穿過(guò)所述通孔內(nèi)嵌于所述凹槽內(nèi)，便于待測(cè)鍍層金屬母板的安裝放置，提高鍍層材料無(wú)源互調(diào)測(cè)試效率。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1(a)為本發(fā)明中微帶傳輸線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖1(b)為本發(fā)明中微帶傳輸線的側(cè)視圖；
[0016]圖2為本發(fā)明中微帶傳輸線的截面圖；
[0017]圖3為本發(fā)明中待測(cè)鍍層金屬母板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4(a)為當(dāng)待測(cè)鍍層金屬母板為圓柱體結(jié)構(gòu)時(shí)本發(fā)明中的電磁場(chǎng)分布圖；
[0019]圖4(b)為當(dāng)待測(cè)鍍層金屬母板為與長(zhǎng)方體形結(jié)構(gòu)時(shí)本發(fā)明中的電磁場(chǎng)分布圖；
[0020]圖5為立方體型待測(cè)鍍層金屬母板及圓柱體的待測(cè)鍍層金屬母板的電性能(VSWR)仿真圖；
[0021]圖6為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]其中，I為介質(zhì)層、2為第一低頻同軸連接器、3為第二低頻同軸連接器、4為上導(dǎo)體、5為PIM測(cè)試儀。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
[0024]參考圖1(a)、圖1(b)、圖2及圖3，本發(fā)明所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置包括微帶傳輸線、第一低頻同軸連接器2、第二低頻同軸連接器3及P頂測(cè)試儀5，微帶傳輸線的一端通過(guò)第一低頻同軸連接器2與P頂測(cè)試儀5相連接，微帶傳輸線的另一端通過(guò)第二低頻同軸連接器3與PIM測(cè)試儀5相連接，待測(cè)鍍層金屬母板位于微帶傳輸線的介質(zhì)層I內(nèi)。
[0025]需要說(shuō)明的是，微帶傳輸線的上導(dǎo)體4的中部開(kāi)設(shè)有通孔，微帶傳輸線的介質(zhì)層I上開(kāi)設(shè)有凹槽，待測(cè)鍍層金屬母板穿過(guò)所述通孔內(nèi)嵌于所述凹槽內(nèi)；所述第一低頻同軸連接器2及第二低頻同軸連接器3均為L(zhǎng)29連接器;鍍于金屬母板上的待測(cè)鍍層為磁滯性材料，例如，磁滯性材料為鎳;凹槽的橫截面為圓形或長(zhǎng)方形。
[0026]所述通孔開(kāi)設(shè)有上導(dǎo)體4的中央位置，上導(dǎo)體4、介質(zhì)層1、待測(cè)鍍層金屬母板及下導(dǎo)體設(shè)計(jì)為標(biāo)準(zhǔn)的50 Ω特性阻抗，微帶傳輸線的兩端通過(guò)低頻同軸連接器與P頂測(cè)試儀5相連接。
[0027]微帶傳輸線中的電磁場(chǎng)信號(hào)按照?qǐng)D4(a)及圖4(b)所示激勵(lì)待測(cè)鍍層金屬母板;其中，磁力線方向垂直于待測(cè)鍍層金屬母板，完全穿透待測(cè)鍍層金屬母板。而垂直的電場(chǎng)方向與待測(cè)鍍層金屬母板窄條方向平行，使得電場(chǎng)不激勵(lì)待測(cè)件;參考圖5，根據(jù)不同的測(cè)試及制樣需求，在確定待測(cè)鍍層金屬母板尺寸后，使用EDA軟件設(shè)計(jì)相應(yīng)的測(cè)試工裝。使其滿足無(wú)源互調(diào)測(cè)試的電性能需求。
[0028]參考圖6，本發(fā)明先使用未鍍層的金屬母板用于對(duì)測(cè)試回路殘余互調(diào)的自校準(zhǔn)，之后將有鍍層的金屬母板插入凹槽內(nèi)進(jìn)行互調(diào)測(cè)試，然后通過(guò)比較兩次測(cè)量的結(jié)果評(píng)估鍍層材料互調(diào)值的大小。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，包括微帶傳輸線、第一低頻同軸連接器(2)、第二低頻同軸連接器(3)及P頂測(cè)試儀(5)，微帶傳輸線的一端通過(guò)第一低頻同軸連接器(2)與PIM測(cè)試儀(5)相連接，微帶傳輸線的另一端通過(guò)第二低頻同軸連接器(3)與PIM測(cè)試儀(5)相連接，待測(cè)鍍層金屬母板位于微帶傳輸線的介質(zhì)層(I)內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，微帶傳輸線的上導(dǎo)體(4)的中部開(kāi)設(shè)有通孔，微帶傳輸線的介質(zhì)層(I)上開(kāi)設(shè)有凹槽，待測(cè)鍍層金屬母板穿過(guò)所述通孔內(nèi)嵌于所述凹槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，所述第一低頻同軸連接器(2)及第二低頻同軸連接器(3)均為L(zhǎng)29連接器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，鍍于金屬母板上的待測(cè)鍍層為磁滯性材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，磁滯性材料為鎳。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于傳輸線結(jié)構(gòu)的寬帶非接觸式鍍層無(wú)源互調(diào)測(cè)試裝置，其特征在于，所述凹槽的橫截面為圓形或長(zhǎng)方形。
【文檔編號(hào)】G01N27/00GK106053534SQ201610279798
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日
【發(fā)明人】賀永寧, 陳雄
【申請(qǐng)人】西安交通大學(xué)