專利名稱：一種flash內(nèi)部單元測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域測試技術(shù)，尤指一種對FLASH內(nèi)部單元進(jìn)行測試的方法。
背景技術(shù)：
FLASH器件的故障主要表現(xiàn)為以下形式(1)導(dǎo)線的開路或短路；(2)地址譯碼器不能正確尋址；(3)多重寫入；(4)一個(gè)單元的數(shù)據(jù)受到其他單元的數(shù)據(jù)或讀寫操作的影響而發(fā)生變化；(5)寫后未能恢復(fù)，立即進(jìn)行讀出時(shí)得不到正確信息；(6)讀放大器讀出一系列信息x后緊接著讀x′時(shí)，無正確響應(yīng)；(7)FLASH不能保持寫入的信息。
結(jié)合FLASH的基本結(jié)構(gòu)和故障表現(xiàn)形式，可以得出以下故障模型(1)存儲(chǔ)單元陣列中的故障①固定邏輯故障(Stuck-at fault)一個(gè)單元的邏輯值不隨單元的任何行為而改變，也不受其余單元的影響，又稱呆滯型故障，它包括固定為1或固定為0兩種情形(S-A-1 or S-A-0)；②固定開路故障(Stuck-open fault)電路開路導(dǎo)致的故障；③狀態(tài)轉(zhuǎn)換故障(Transition fault)0->1或1->0的狀態(tài)轉(zhuǎn)換至少有一個(gè)不被正確執(zhí)行；④數(shù)據(jù)保持故障(Data-maintaining fault)存儲(chǔ)單元無法保持一個(gè)邏輯值持續(xù)一定的時(shí)間；
⑤狀態(tài)耦合故障(Coupling fault)當(dāng)且僅當(dāng)單元j處于某一個(gè)特定狀態(tài)y(y∈{0，1})時(shí)，單元i總是為某一個(gè)確定值x(x∈{0，1})，則稱單元i耦合于單元j。耦合關(guān)系不一定具有對稱性，也就說，單元i耦合于單元j，并不一定單元j也耦合于單元I。
⑥多重寫入故障(multiple access fault)對單元i寫入x(x∈{0，1})導(dǎo)致單元j也寫入了x，⑥則稱單元i有多重寫入故障。多重寫入故障不一定具有對稱性。
(2)地址譯碼電路中的故障①?zèng)]選中任一存儲(chǔ)單元；②選中被選單元，并選中了其他單元。
譯碼器中的故障可等效為存儲(chǔ)單元陣列中的故障。故障①等效于固定開路故障，故障②等效于多重寫入故障。
(3)讀寫邏輯中的故障①輸入、輸出導(dǎo)線中一位或多位固定邏輯故障；②緩沖器或鎖存器中一位或多位固定開路故障；③緩沖器或鎖存器中任意兩位之間的狀態(tài)耦合故障。
讀寫邏輯電路中的故障也可等效為存儲(chǔ)單元陣列中的故障。故障①等效于固定邏輯故障，故障②等效于固定開路故障，故障③等效于狀態(tài)耦合故障。
由以上分析可以知道，對FLASH的測試等同于對FLASH的內(nèi)部單元測試，而FLASH的內(nèi)部單元主要包含了以下故障類型固定邏輯故障、固定開路故障、狀態(tài)轉(zhuǎn)換故障、數(shù)據(jù)保持故障、狀態(tài)耦合故障和多重寫入故障。
對于大容量FLASH，常規(guī)的測試方法是這樣設(shè)計(jì)的先擦除，再按照地址增序?qū)懖煌臄?shù)據(jù)，然后依次讀回比較；再擦除，再按照地址降序?qū)懭氩煌臄?shù)據(jù)，然后依次讀回比較。這種方法雖然測試比較全面，但是其測試時(shí)間可達(dá)數(shù)小時(shí)，時(shí)間開銷太大，無法滿足實(shí)際需求。
另外的一種測試方法就是抽測部分地址單元，即隨機(jī)選取若干地址，寫入不同數(shù)據(jù)，然后讀回校驗(yàn)。這種測試方法效率很高，但是故障覆蓋率太低，很多故障無法發(fā)現(xiàn)，所以也不能達(dá)到測試要求。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種對FLASH內(nèi)部單元的測試方法，在保證測試效效率的前提下，對FLASH的故障進(jìn)行比較完備的測試覆蓋。
本發(fā)明提供一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，包括下列步驟1)整片擦除；2)將被測FLASH內(nèi)部單元分成若干個(gè)單元塊；3)指定一個(gè)01…0101和10…1010交錯(cuò)的測試數(shù)據(jù)塊；4)在每一單元塊的塊首地址上隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入上述指定的測試數(shù)據(jù)塊，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)單元塊的起始地址；5)全部單元塊寫完以后，按照每一單元塊的起始地址將該測試數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)；6)測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。
本發(fā)明提供另一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，包括下列步驟1)整片擦除；2)將被測FLASH內(nèi)部單元分成若干個(gè)單元塊；3)指定一個(gè)01…0101和10…1010交錯(cuò)的測試數(shù)據(jù)塊；4)在每一單元塊的塊首地址上隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入上述指定的測試數(shù)據(jù)塊；在每一單元塊內(nèi)，在第一次寫入的測試數(shù)據(jù)塊后，再隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，再次寫入上述測試數(shù)據(jù)塊，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)單元塊的每一次寫入的起始地址；5)全部單元塊寫完以后，按照記錄下來的起始地址將該測試數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)；6)測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。
所述步驟4)中，每一單元塊中測試數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)可為多次。
上述兩方法中，所述測試數(shù)據(jù)塊的大小小于所述的單元塊。所述若干個(gè)單元塊的大小可相等或不相等。
本發(fā)明通過構(gòu)造上述特定的測試數(shù)據(jù)，在保證測試效率的前提下，能夠提高測試的故障覆蓋率，特別是提高了被抽測單元塊相鄰單元和單元內(nèi)部相鄰位線之間短路故障的檢測能力。而且該方法可以根據(jù)FLASH容量大小靈活確定測試數(shù)據(jù)塊的大小，取得測試開銷和故障覆蓋率之間的均衡。


圖1為本發(fā)明測試方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
對于存儲(chǔ)容量比較大的FLASH器件，由于全部讀寫一遍的時(shí)間消耗也比較大，如果該FLASH器件還不支持Write Buffer的寫操作方式，則可以考慮只對FLASH器件進(jìn)行抽測。
所述抽測方法為1、整片擦除，將FLASH分為若干個(gè)塊；2、指定一個(gè)測試數(shù)據(jù)塊，該測試數(shù)據(jù)塊要求為棋盤圖形的形式，也就是01…0101和10…1010交錯(cuò)的數(shù)據(jù)塊。數(shù)據(jù)塊長度根據(jù)測試時(shí)間的要求確定，測試速度要求越快，該數(shù)據(jù)塊也就越??；3、對每一個(gè)塊作以下操作，直至完成對所有塊的抽測。
測試方法為在塊首地址的基礎(chǔ)上每次隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入測試數(shù)據(jù)塊，要求寫入的數(shù)據(jù)塊不要超越被寫塊的范圍，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)塊的的起始地址；全部寫完以后，然后按照每一塊的起始地址將該數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)。
4、測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。
由于該測試方法抽測的地址區(qū)間是隨機(jī)指定的，采用的測試數(shù)據(jù)塊類似棋盤圖形，所以在這里命名為“棋盤圖形隨機(jī)抽測法”。其操作示意圖如圖1所示。在FLASH的n個(gè)單元塊中，每塊都寫入指定的棋盤圖形數(shù)據(jù)塊，在每塊中寫入的起始地址為每塊的首地址隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，即在每塊中寫入的地址單元是隨機(jī)的。
也可以在FLASH的每一塊內(nèi)隨機(jī)寫入多個(gè)小“棋盤圖形”數(shù)據(jù)塊，這樣的測試效果更佳。因?yàn)榇鎯?chǔ)器內(nèi)部單元故障往往成片發(fā)生，抽測越均勻，發(fā)現(xiàn)故障的概率就越大。
本發(fā)明方法最大的好處是有效解決了測試開銷過大的問題，同時(shí)很好地保證了被抽測部分達(dá)到比較高的故障覆蓋率。適當(dāng)調(diào)節(jié)測試數(shù)據(jù)塊的大小，一般可將測試時(shí)間開銷控制在數(shù)分鐘。本發(fā)明提出的測試方法對被抽測單元的故障覆蓋率有顯著改善，在被抽測塊內(nèi)的相鄰單元短路和單元內(nèi)部的相鄰位線短路故障都能被檢測到。
權(quán)利要求
1.一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，包括下列步驟1)整片擦除；2)將被測FLASH內(nèi)部單元分成若干個(gè)單元塊；3)指定一個(gè)01...0101和10...1010交錯(cuò)的測試數(shù)據(jù)塊；4)在每一單元塊的塊首地址上隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入上述指定的測試數(shù)據(jù)塊，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)單元塊的起始地址；5)全部單元塊寫完以后，按照每一單元塊的起始地址將該測試數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)；6)測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。
2.如權(quán)利要求1所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述測試數(shù)據(jù)塊的大小小于所述的單元塊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述若干個(gè)單元塊的大小相等。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述若干個(gè)單元塊的大小不相等。
5.一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，包括下列步驟1)整片擦除；2)將被測FLASH內(nèi)部單元分成若干個(gè)單元塊；3)指定一個(gè)01...0101和10...1010交錯(cuò)的測試數(shù)據(jù)塊；4)在每一單元塊的塊首地址上隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入上述指定的測試數(shù)據(jù)塊；在每一單元塊內(nèi)，在第一次寫入的測試數(shù)據(jù)塊后，再隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，再次寫入上述測試數(shù)據(jù)塊，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)單元塊的每一次寫入的起始地址；5)全部單元塊寫完以后，按照記錄下來的起始地址將該測試數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)；6)測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。
6.如權(quán)利要求5所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述步驟4)中，每一單元塊中測試數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)可為多次。
7.如權(quán)利要求6所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述每一個(gè)單元塊中寫入的測試數(shù)據(jù)塊的大小小于所寫的單元塊。
8.如權(quán)利要求5或6所述的一種FLASH內(nèi)部單元測試方法，其特征在于所述若干個(gè)單元塊的大小可以相等也可以不相等。
全文摘要
一種大容量FLASH內(nèi)部單元測試方法，包括下列步驟1)整片擦除；2)將被測FLASH內(nèi)部單元分成若干個(gè)單元塊；3)指定一個(gè)01…0101和10…1010交錯(cuò)的測試數(shù)據(jù)塊；4)在每一單元塊的塊首地址上隨機(jī)增加一個(gè)偏移量，寫入上述指定的測試數(shù)據(jù)塊，所述寫入的測試數(shù)據(jù)塊不能超越所寫單元塊的范圍，并且記錄測試數(shù)據(jù)塊寫入每一個(gè)單元塊的起始地址；5)全部單元塊寫完以后，按照每一單元塊的起始地址將該測試數(shù)據(jù)塊讀回來，并完成比較校驗(yàn)；6)測試結(jié)束，輸出測試結(jié)果。本發(fā)明在保障測試效率的前提下，對FLASH的故障進(jìn)行比較完備的測試覆蓋。
文檔編號(hào)G11C29/00GK1577629SQ0315001
公開日2005年2月9日 申請日期2003年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者李穎悟 申請人:華為技術(shù)有限公司