本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種修調(diào)控制電路和芯片。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體電路應(yīng)用中，半導(dǎo)體(如芯片)外部輸入的修調(diào)數(shù)據(jù)經(jīng)修調(diào)熔絲熔斷或不熔斷處理后可以長期存儲(chǔ)在芯片內(nèi)部，以用于調(diào)整后續(xù)應(yīng)用電路中的模擬電路和/或數(shù)字電路，從而實(shí)現(xiàn)相關(guān)參數(shù)的精度修調(diào)或不同功能切換等。

2、然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：有時(shí)受如靜電干擾等一些異常情況影響，芯片所存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果會(huì)發(fā)生變化，這影響著后續(xù)應(yīng)用電路實(shí)現(xiàn)精度修調(diào)或不同功能切換的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N修調(diào)控制電路和芯片，旨在低功耗地保證芯片所存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果的可靠性。

2、為了解決上述問題，本申請(qǐng)公開了一種修調(diào)控制電路，包括：

3、修調(diào)模塊，基于修調(diào)數(shù)據(jù)和校驗(yàn)碼產(chǎn)生修調(diào)結(jié)果，其中，校驗(yàn)碼基于修調(diào)數(shù)據(jù)確定，修調(diào)結(jié)果包括修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果和校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果；

4、檢測模塊，與修調(diào)模塊連接，基于控制信號(hào)讀出或不讀出修調(diào)結(jié)果；

5、存儲(chǔ)模塊，用于存儲(chǔ)檢測模塊讀出的修調(diào)結(jié)果；

6、校驗(yàn)?zāi)K，基于存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的修調(diào)結(jié)果，利用校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果對(duì)修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果進(jìn)行校驗(yàn)，輸出校驗(yàn)結(jié)果；

7、控制模塊，基于校驗(yàn)結(jié)果，輸出控制信號(hào)。

8、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，校驗(yàn)碼基于修調(diào)數(shù)據(jù)計(jì)算得到。

9、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，校驗(yàn)碼與修調(diào)數(shù)據(jù)相同或相反。

10、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，在修調(diào)結(jié)果中，修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果所占比特?cái)?shù)大于等于校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果所占比特?cái)?shù)。

11、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，校驗(yàn)碼為循環(huán)冗余校驗(yàn)碼或奇偶校驗(yàn)碼或海明校驗(yàn)碼。

12、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，當(dāng)校驗(yàn)結(jié)果表征校驗(yàn)不通過時(shí)，控制信號(hào)有效，以使檢測模塊讀出修調(diào)結(jié)果；當(dāng)校驗(yàn)結(jié)果表征校驗(yàn)通過時(shí)，控制信號(hào)無效，以使檢測模塊不讀出修調(diào)結(jié)果。

13、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，控制模塊還用于在校驗(yàn)結(jié)果表征校驗(yàn)通過的情況下，控制存儲(chǔ)模塊中的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果輸出，以用于調(diào)整或配置模擬電路和/或數(shù)字電路。

14、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，控制模塊還用于對(duì)校驗(yàn)?zāi)K輸出的校驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行計(jì)數(shù)，在校驗(yàn)結(jié)果表征校驗(yàn)不通過的次數(shù)超過預(yù)設(shè)校驗(yàn)閾值時(shí)，控制模塊輸出報(bào)錯(cuò)信號(hào)。

15、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，校驗(yàn)?zāi)K持續(xù)利用校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果對(duì)修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果進(jìn)行校驗(yàn)；或，校驗(yàn)?zāi)K定期利用校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果對(duì)修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果進(jìn)行校驗(yàn)。

16、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，修調(diào)模塊，包括多個(gè)修調(diào)單元，修調(diào)單元用于產(chǎn)生熔絲熔斷結(jié)果；檢測模塊，包括多個(gè)檢測單元，檢測單元用于與對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元連接，并基于控制信號(hào)讀出或不讀出其對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元產(chǎn)生的熔絲熔斷結(jié)果。

17、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，檢測單元包括受控于控制信號(hào)的檢測開關(guān)，檢測開關(guān)與對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元連接，以在控制信號(hào)有效時(shí)形成電流通路而讀出修調(diào)單元產(chǎn)生的熔絲熔斷結(jié)果；

18、或，

19、檢測單元包括受控于控制信號(hào)的電流源，電流源與對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元連接，電流源用于在控制信號(hào)有效時(shí)產(chǎn)生電流以形成電流通路而讀出修調(diào)單元產(chǎn)生的熔絲熔斷結(jié)果。

20、在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊包括：

21、寫入開關(guān)，與檢測模塊連接，寫入開關(guān)用于在控制信號(hào)有效時(shí)立即或延時(shí)開啟以接收檢測模塊讀出的修調(diào)結(jié)果；

22、鎖存單元，與寫入開關(guān)連接，用于鎖存寫入開關(guān)傳輸?shù)男拚{(diào)結(jié)果。

23、為了解決上述問題，本申請(qǐng)還公開了一種芯片，包括如本申請(qǐng)實(shí)施例所述修調(diào)控制電路。

24、本申請(qǐng)實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

25、和現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)創(chuàng)造性地提供了一種利用校驗(yàn)碼來檢驗(yàn)存儲(chǔ)模塊所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是否正確的修調(diào)控制電路，其中，校驗(yàn)碼基于修調(diào)數(shù)據(jù)確定，并與修調(diào)數(shù)據(jù)一起輸入修調(diào)模塊中通過熔絲燒寫的方式作為修調(diào)結(jié)果進(jìn)行記錄，修調(diào)結(jié)果經(jīng)檢測模塊讀出后寫入存儲(chǔ)模塊中，當(dāng)存儲(chǔ)模塊受干擾導(dǎo)致其存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果和/或校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果發(fā)生了變化，由于本申請(qǐng)的校驗(yàn)?zāi)K會(huì)持續(xù)或定期的利用該存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的第二熔斷結(jié)果(即校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果)對(duì)第一熔斷結(jié)果(即修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果)進(jìn)行校驗(yàn)，可以發(fā)現(xiàn)該變化，進(jìn)而可以通知控制模塊，在控制模塊的控制下，檢測模塊可以重新讀出修調(diào)結(jié)果并更新存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)，使得存儲(chǔ)模塊中受干擾變化了的數(shù)據(jù)被檢測模塊最新寫入的數(shù)據(jù)替代，以此保證了存儲(chǔ)模塊中所存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果的可靠性，該方案可以在芯片正常工作時(shí)使用，使得后續(xù)應(yīng)用電路可以有效實(shí)現(xiàn)精度修調(diào)或不同功能的切換。

26、在本申請(qǐng)的修調(diào)控制電路中，檢測模塊基于控制信號(hào)讀出或不讀出該修調(diào)結(jié)果，而該控制信號(hào)又受校驗(yàn)?zāi)K輸出的校驗(yàn)結(jié)果控制，即檢測模塊讀出或不讀出該修調(diào)結(jié)果由第二熔斷結(jié)果(即校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果)與第一熔斷結(jié)果(即修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果)之間的校驗(yàn)結(jié)果決定，相比采用一直讀修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)或定期讀修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)的方式，本申請(qǐng)通過校驗(yàn)對(duì)比，只有在特定情形下(校驗(yàn)結(jié)果表征校驗(yàn)不通過)檢測模塊才會(huì)重新讀出修調(diào)結(jié)果以更新存儲(chǔ)模塊所存儲(chǔ)的修調(diào)結(jié)果，可以低功耗地保證芯片所存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種修調(diào)控制電路，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的修調(diào)控制電路，其特征在于，

13.一種芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12所述修調(diào)控制電路。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種修調(diào)控制電路和芯片，在該修調(diào)控制電路中，修調(diào)模塊基于修調(diào)數(shù)據(jù)和校驗(yàn)碼產(chǎn)生修調(diào)結(jié)果，其中，所述校驗(yàn)碼基于所述修調(diào)數(shù)據(jù)確定，所述修調(diào)結(jié)果包括所述修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果和所述校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果；檢測模塊與所述修調(diào)模塊連接，基于控制信號(hào)讀出或不讀出所述修調(diào)結(jié)果；存儲(chǔ)模塊用于存儲(chǔ)所述檢測模塊讀出的修調(diào)結(jié)果；校驗(yàn)?zāi)K基于所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的所述修調(diào)結(jié)果，利用所述校驗(yàn)碼對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果對(duì)所述修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果進(jìn)行校驗(yàn)，輸出校驗(yàn)結(jié)果；控制模塊基于所述校驗(yàn)結(jié)果，輸出所述控制信號(hào)。本申請(qǐng)能低功耗地保證芯片所存儲(chǔ)的修調(diào)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的熔絲熔斷結(jié)果的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：高興波,鐘瑞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都利普芯微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8