讀取干擾檢測(cè)的制作方法
【專利說(shuō)明】讀取干擾檢測(cè)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2014年5月16日提交的題為“READ DISTURB DETECT1N”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/994，691的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容通過(guò)引用合并于此。
【背景技術(shù)】
[0003]讀取干擾噪聲是在讀取固態(tài)儲(chǔ)存裝置(例如，NAND閃存)的處理期間引入的一種類型的噪聲。在讀取期間，選中的存儲(chǔ)塊(block)中的所有單元(不同于正被讀取的單元)的控制柵極被偏置到超過(guò)可以被寫(xiě)入到該存儲(chǔ)塊中的任何單元的最大電壓的電壓(有時(shí)被稱為Vpass)。在這樣做時(shí)，這些單元被置于通過(guò)狀態(tài)，其中它們用作短路，因而僅隔離正被讀取的單元。然而，該偏置的不需要的副產(chǎn)物是將額外的電子施加到這些單元的浮柵。該意外的和額外的電壓被稱為讀取干擾。對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)的新的讀取干擾檢測(cè)技術(shù)(例如，如通過(guò)諸如所需存儲(chǔ)量、對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)塊檢查讀取干擾所耗用的最大時(shí)間量、和/或所消耗的額外的測(cè)試讀取次數(shù)的性能度量來(lái)測(cè)量的)將是令人期待的。
【附圖說(shuō)明】
[0004]在下面的詳細(xì)描述和附圖中公開(kāi)了本發(fā)明的各種實(shí)施例。
[0005]圖1是圖示具有讀取干擾噪聲的2位多電平單元(MLC)系統(tǒng)的示例的示圖。
[0006]圖2示出了存儲(chǔ)塊中的初始測(cè)試頁(yè)集合的實(shí)施例。
[0007]圖3是圖示讀取干擾檢測(cè)處理的實(shí)施例的流程圖。
[0008]圖4示出了被使用單個(gè)讀取計(jì)數(shù)器的群組中的存儲(chǔ)塊的一些實(shí)施例。
[0009]圖5是圖示讀取計(jì)數(shù)閾值和相應(yīng)的初始測(cè)試頁(yè)的表格的實(shí)施例的示圖。
[0010]圖6是圖示用于對(duì)測(cè)試讀取的結(jié)果評(píng)估讀取干擾噪聲的處理的實(shí)施例的流程圖。
[0011]圖7是圖示在檢測(cè)到讀取干擾噪聲的事件中關(guān)于后繼處理的處理的實(shí)施例的流程圖。
[0012]圖8是圖示讀取干擾檢測(cè)處理的實(shí)施例的流程圖，其中計(jì)劃頁(yè)(scheduled page)和與上一次讀取相鄰的頁(yè)二者都被測(cè)試。
[0013]圖9是圖示固態(tài)儲(chǔ)存系統(tǒng)的實(shí)施例的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]本發(fā)明可以以許多種方式實(shí)現(xiàn)，包括作為處理；設(shè)備；系統(tǒng)；主題組合；在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品；和/或處理器，諸如被配置成執(zhí)行耦接到處理器的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)和/或提供的指令的處理器。在本說(shuō)明書(shū)中，這些實(shí)現(xiàn)方案或者本發(fā)明可以采取的任何其他形式可以被稱為技術(shù)。通常，所公開(kāi)的處理的步驟的順序可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)變更。除非另外闡明，否則被描述為被配置成執(zhí)行任務(wù)的諸如處理器或存儲(chǔ)器的部件可以被實(shí)現(xiàn)為被臨時(shí)配置成在指定時(shí)間執(zhí)行該任務(wù)的常規(guī)部件或者被制造成執(zhí)行該任務(wù)的特定部件。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“處理器”指的是被配置成處理諸如計(jì)算機(jī)程序指令的數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)裝置、電路和/或處理核。
[0015]下文連同說(shuō)明本發(fā)明的原理的附圖一起提供本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)描述。結(jié)合這些實(shí)施例描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于任何實(shí)施例。本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求限定并且本發(fā)明涵蓋許多替換、修改和等同方案。在下面的描述中闡述了許多特定細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解。這些細(xì)節(jié)是出于示例的目的而提供的，并且本發(fā)明可以在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)中的一些細(xì)節(jié)或全部細(xì)節(jié)的情況下根據(jù)權(quán)利要求實(shí)踐。出于清楚的目的，涉及本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域中已知的技術(shù)資料未被詳細(xì)描述，使得不會(huì)不必要地使本發(fā)明模糊。
[0016]圖1是圖示具有讀取干擾噪聲的2位多電平單元(MLC)系統(tǒng)的示例的示圖。示圖100示出了由單元群組儲(chǔ)存的電壓的示例分布。在所示示例中，每個(gè)單元被配置成存儲(chǔ)2位:最高有效位(MSB)和最低有效位(LSB)。當(dāng)讀取單元時(shí)，使用3個(gè)閾值:A閾值110、B閾值112和C閾值114。A和C閾值用于讀取MSB。如果該單元存儲(chǔ)的電壓小于A閾值110或大于C閾值114，則MSB被讀作I。如果該電壓介于A閾值110和C閾值114之間，則MSB被讀作O。B閾值用于讀取LSB。如果該單元存儲(chǔ)的電壓小于B閾值112，則LSB被讀作I。如果該單元存儲(chǔ)的電壓大于B閾值112，則LSB被讀作O。顯然，在一些其他實(shí)施例中，LSB和MSB可以交換和/或可以使用一些其他位映射。
[0017]讀取干擾噪聲趨于影響較低的電壓，例如區(qū)間(bin) 120中的單元存儲(chǔ)的那些電壓?？紤]如下單元，該單元在一些讀取干擾噪聲被添加到該單元之前具有略低于A閾值110的電壓。利用來(lái)自讀取干擾噪聲的額外的電壓，該單元的電壓將被拉到A閾值之上，使得該單元現(xiàn)在處于區(qū)間122而非區(qū)間120中。在比較區(qū)間120與區(qū)間122的LSB和MSB值時(shí)，LSB值是相同的。因而LSB對(duì)檢測(cè)讀取干擾噪聲是沒(méi)有幫助的，既然區(qū)間120和122中的單元具有相同的LSB值。然而，較之區(qū)間122，對(duì)于區(qū)間120中的單元，MSB值是不同的，并且因此MSB在檢測(cè)讀取干擾噪聲時(shí)將是更為有用的。
[0018]盡管這里描述的一些實(shí)施例示出了 2位的MLC示例，但是這里描述的技術(shù)可應(yīng)用于存儲(chǔ)任何位數(shù)的固態(tài)系統(tǒng)。例如，這里描述的技術(shù)對(duì)I位單電平單元(SLC)系統(tǒng)以及3位三電平單元(RLC)系統(tǒng)等有效。
[0019]圖2示出了存儲(chǔ)塊中的初始測(cè)試頁(yè)集合的實(shí)施例。該示例示出了每個(gè)字線具有單LSB頁(yè)和單MSB頁(yè)的全位線結(jié)構(gòu)。出于以上描述的原因，測(cè)試MSB頁(yè)以便檢測(cè)讀取干擾，并且不測(cè)試LSB頁(yè)(至少在該MLC示例中)。在所示示例中，存儲(chǔ)塊開(kāi)始(結(jié)束)于單MSB頁(yè)，該單MSB頁(yè)不在初始測(cè)試頁(yè)集合(示為白色)中、被跟隨有處于該集合中的2個(gè)MSB頁(yè)(示為灰色)、被跟隨有不在該集合中的2個(gè)MSB頁(yè)，如此等等。初始測(cè)試頁(yè)集合被這樣稱呼的原因在于，這些頁(yè)是被首先測(cè)試的頁(yè)。如果檢測(cè)到讀取干擾噪聲，則可以對(duì)相關(guān)頁(yè)(不一定在初始測(cè)試頁(yè)集合中)測(cè)試讀取干擾噪聲。換言之，不在初始測(cè)試頁(yè)集合中的頁(yè)(例如，MSB頁(yè)0(200))沒(méi)有被排除在讀取干擾測(cè)試本身之外，但是至少?zèng)]有被首先測(cè)試。
[0020]在對(duì)指定頁(yè)執(zhí)行讀取(例如，由主機(jī)發(fā)起)時(shí)，上方和下方的頁(yè)最易受讀取干擾噪聲影響。例如，如果讀取MSB頁(yè)O (200)，則MSB頁(yè)I (201)會(huì)接收大部分讀取干擾噪聲。相似地，讀取如果MSB頁(yè)I (201)，則MSB頁(yè)O (200)和MSB頁(yè)2 (202)會(huì)接收最嚴(yán)重讀取干擾噪聲。正被讀取的頁(yè)的直接相鄰的頁(yè)受影響最大并且因而在這里描述的實(shí)施例中它們是在需要時(shí)被測(cè)試和校正的頁(yè)。顯然，在一些實(shí)施例中，如果需要，則測(cè)試和/或校正不直接相鄰的頁(yè)。
[0021]評(píng)估所示出的初始測(cè)試頁(yè)的布置的一種方式是考慮在使用所示出的布置反復(fù)讀取同一頁(yè)(例如，對(duì)直接上方的頁(yè)和直接下方的頁(yè)引起讀取干擾噪聲)的情況下是否能夠檢測(cè)到讀取干擾噪聲。所示出的初始測(cè)試頁(yè)的布置將捕捉與正被重復(fù)讀取的頁(yè)相鄰的兩個(gè)頁(yè)中的至少一個(gè)頁(yè)。例如，如果重復(fù)讀取MSB頁(yè)O (200) JJjMSBH 1(201)將最終被選擇和測(cè)試。如果重復(fù)讀取MSB頁(yè)I (201)，則MSB頁(yè)2 (202)將最終被選擇和測(cè)試。如果重復(fù)讀取MSB頁(yè)2 (202)，則MSB頁(yè)I (201)將最終被選擇和測(cè)試，如此等等。一旦在一個(gè)初始測(cè)試頁(yè)中檢測(cè)到讀取干擾噪聲，則可以對(duì)其他MSB頁(yè)(例如，其不一定在初始測(cè)試頁(yè)集合中)發(fā)起檢測(cè)。下文更詳細(xì)地描述了該檢測(cè)處理的示例。
[0022]盡管存儲(chǔ)塊可以開(kāi)始或結(jié)束于初始測(cè)試頁(yè)集合中的兩個(gè)頁(yè)，但是在一些應(yīng)用中，期望開(kāi)始和結(jié)束于被排除在初始測(cè)試頁(yè)集合之外的單頁(yè)，如該示例中所示的那樣。這是因?yàn)檫吘夗?yè)趨于具有其他頁(yè)的一半的讀取干擾噪聲。例如，MSB頁(yè)0(200)將僅具有來(lái)自MSB頁(yè)1(201)的讀取干擾噪聲，因?yàn)樵贛SB頁(yè)O (200)下方?jīng)]有頁(yè)。因此，要么讀取干擾檢測(cè)處理必須考慮這一點(diǎn)(由于需要額外的邏輯因而不是所希望的)，要么邊緣頁(yè)將不太可能具有檢測(cè)到的讀取干擾噪聲，因?yàn)檫吘夗?yè)可能沒(méi)有足夠的額外電荷以觸發(fā)某個(gè)標(biāo)志或閾值(甚至可能在這些頁(yè)應(yīng)被標(biāo)志的情況下，而這不是所希望的)。
[0023]使用所示出的示例性的初始測(cè)試頁(yè)集合來(lái)執(zhí)行讀取干擾檢測(cè)的一個(gè)益