專利名稱：一種雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電磁閥驅(qū)動電路，尤其涉及一種雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
電磁閥動作的執(zhí)行是通過控制其驅(qū)動電流實現(xiàn)的，而對于特定的驅(qū)動電路，驅(qū)動策略直接決定了驅(qū)動電流的變化。所以，對電磁閥性能的要求最終將通過特定的驅(qū)動策略實現(xiàn)。電磁閥驅(qū)動的優(yōu)化目標(biāo)主要有兩點能量損耗和響應(yīng)時間。在高頻應(yīng)用場合，減少不必要的電磁閥驅(qū)動損耗對降低系統(tǒng)功耗有重要意義。響應(yīng)時間是指從電磁閥線圈通電到電磁閥閥桿完成某一動作的時間間隔，如從通電到開始運動的時間間隔，高頻應(yīng)用場合要求電磁閥的響應(yīng)時間非常短，即必須使用高速電磁閥和相應(yīng)的驅(qū)動電路?？s短電磁閥的響應(yīng)時間主要依靠提高驅(qū)動電壓從而提高峰值電流實現(xiàn)，但是這只在一定的范圍內(nèi)作用明顯。原因在于磁飽和現(xiàn)象，進入磁飽和狀態(tài)后，雖然驅(qū)動電流和磁場強度仍將增大，但是磁感應(yīng)強度增長速度變慢，這將直接導(dǎo)致電磁力的增長速度變慢。因此，合理控制峰值電流既能夠獲得一定的電磁閥響應(yīng)速度，又能夠降低整個驅(qū)動電路和電磁閥的損耗。此外，電磁閥在完全打開后，只需要較小的維持電流保持自身開啟。這就需要峰值保持驅(qū)動電路。
電磁閥驅(qū)動技術(shù)種類眾多，按驅(qū)動電源的個數(shù)可以分為單電壓驅(qū)動技術(shù)和雙電壓驅(qū)動技術(shù)。單電壓驅(qū)動技術(shù)的特點是只有單一的驅(qū)動電源，同時承擔(dān)提升驅(qū)動電流至峰值與維持驅(qū)動電流兩種功能，在設(shè)計時往往以降低能量消耗為優(yōu)化原則，故其快速響應(yīng)能力較差，其應(yīng)用對象往往是對電磁閥響應(yīng)速度要求不高的驅(qū)動電路，如壓力控制電磁閥驅(qū)動電路。傳統(tǒng)的驅(qū)動電路大多采用該技術(shù)。雙電壓驅(qū)動技術(shù)指驅(qū)動電路采用了一高一低兩個驅(qū)動電壓，前者迅速提升驅(qū)動電流至峰值，后者負責(zé)在電流的維持階段提供足夠的能量。雙電壓驅(qū)動電路能同時能滿足響應(yīng)速度與能量消耗的要求，因而將在高速閥門驅(qū)動中得到廣泛應(yīng)用。
現(xiàn)有的雙電壓峰值保持驅(qū)動電路存在如下問題(1)設(shè)計復(fù)雜，成本較高；(2)常常需要微處理器參與峰值保持過程，增大了微處理器負荷；(3)解決了電磁閥關(guān)斷時的續(xù)流和去除感應(yīng)電壓尖峰的問題，但是閥門關(guān)閉時間仍然較長，不適用于高頻應(yīng)用場合；(4)在低端驅(qū)動電路的輸出端正串了整流二極管，防止高端驅(qū)動電壓反灌，這對電磁閥續(xù)流和去除感應(yīng)電壓尖峰沒有任何影響，卻使低端驅(qū)動電路的感應(yīng)電壓泄放不暢，影響低端驅(qū)動電路的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路除了能夠提高電磁閥響應(yīng)速度和降低電磁閥驅(qū)動功耗，還具有成本低，設(shè)計簡單，可降低微處理器負荷的特點；并且既能有效續(xù)流和去除感應(yīng)電壓尖峰又能縮短電磁閥關(guān)斷時間；此外，對低端驅(qū)動電路進行優(yōu)化設(shè)計，提高其壽命。
本發(fā)明提出的電磁閥驅(qū)動電路，包括6個部分隔離電路、高端限流電路、高端驅(qū)動電路、低端驅(qū)動電路、去峰及電流檢測電路和峰值電流設(shè)定電路。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
隔離電路2用于將閥門驅(qū)動電路和發(fā)出閥門控制脈沖的微處理器電路隔離開，降低閥門驅(qū)動電路工作噪聲對微處理器電路的電磁干擾。
高端限流電路3通過設(shè)定電流峰值，對閥門實際驅(qū)動電流進行監(jiān)控并且能夠在實際驅(qū)動電流超過設(shè)定電流峰值時切斷高壓電源，轉(zhuǎn)而由低壓電源維持閥門開啟。
高端驅(qū)動電路4用于在實際電流未達到電流峰值設(shè)定值時迅速提升驅(qū)動電流，提高閥門響應(yīng)速度。
低端驅(qū)動電路5用于在實際電流達到設(shè)定電流峰值后以維持電流保持閥門開啟，降低驅(qū)動電路和電磁閥的損耗。并且通過泄壓電阻解決了低端驅(qū)動電路泄壓不暢的問題。
去峰及電流檢測電路6中將壓敏電阻與電磁閥7并聯(lián)，既能將電磁閥7關(guān)斷時的感應(yīng)電壓尖峰大大削弱，也能保證電磁閥7的關(guān)閉速度；另一方面，通過采樣電阻將閥門驅(qū)動電流轉(zhuǎn)為電壓信號以供高端限流電路3監(jiān)控。
峰值電流設(shè)定電路8通過設(shè)定參考電壓設(shè)定峰值電流，并由高端限流電路3與閥門實際電流轉(zhuǎn)換來的電壓信號進行比較，進而對高端驅(qū)動電路4進行反饋控制。
整個驅(qū)動電路的連接方式為隔離電路2的輸入端與閥門控制器1的輸出端相連，其輸出端是隔離后的閥門控制脈沖，分別與高端限流電路3和低端驅(qū)動電路5的輸入端相連；高端限流電路3的輸出端與高端驅(qū)動電路4相連，在隔離后的閥門控制脈沖上升沿到來時輸出高電平，打開高端驅(qū)動電路4，其另兩個輸入端分別與峰值電流設(shè)定電路8和去峰及電流檢測電路6的輸出端相連；高端驅(qū)動電路4和低端驅(qū)動電路5的輸出端與去峰及電流檢測電路6相連，去峰及電流檢測電路6除與高端限流電路3的輸入端相連外，還與電磁閥7相連，是電磁閥接口電路。
本發(fā)明的有益效果是通過較少的簡單分立元件實現(xiàn)峰值保持功能，將低了設(shè)計復(fù)雜性和成本；微處理器控制電路只需發(fā)出閥門開啟控制脈沖，就可由該驅(qū)動電路自行實現(xiàn)峰值保持，而不需要微處理器繼續(xù)參與，這就大大將低了微處理器負荷；通過給電磁閥并聯(lián)壓敏電阻既解決了續(xù)流及去除感應(yīng)電壓尖峰的問題，又大大提高了電磁閥的關(guān)閉速度；通過在低端驅(qū)動電路中特別設(shè)計泄壓電阻，解決了低端驅(qū)動電路因防反二極管而感應(yīng)電壓泄放不暢的問題。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明設(shè)計簡單、成本低；不需微處理器參與峰值保持過程，大大將低了微處理器負載；既能解決電磁閥續(xù)流和去除感應(yīng)電壓尖峰的問題又能夠大大縮短電磁閥關(guān)閉時間，因而十分適用于高頻應(yīng)用場合；既能夠發(fā)揮雙電壓的優(yōu)勢，又解決了低端驅(qū)動電路中感應(yīng)電壓泄放不暢的問題，提高了驅(qū)動電路的使用壽命。該電路小巧，驅(qū)動電壓為外接，可靈活改變，峰值電流可靈活設(shè)定，該電路可以靈活組合，從而實現(xiàn)多路電磁閥驅(qū)動。


圖1是雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)框圖。
圖2是隔離電路。
圖3是高端限流電路。
圖4是高端驅(qū)動電路。
圖5是低端驅(qū)動電路。
圖6是去峰及電流檢測電路。
圖7是峰值電流設(shè)定電路。
圖8(a)和(b)分別為該驅(qū)動電路完成一次閥門開啟的驅(qū)動電流和驅(qū)動電壓波形。
圖中標(biāo)號1為閥門控制器，2為隔離電路，3為高端限流電路，4為高端驅(qū)動電路，5為低端驅(qū)動電路，6為去峰及電流檢測電路，7為電磁閥，8為峰值電流設(shè)定電路，9為閥門控制脈沖，10為隔離后開關(guān)信號，11為高壓驅(qū)動信號，12為閥門驅(qū)動電壓，13為電流反饋信號，14為峰值電流設(shè)定電壓。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明具體實施做進一步說明圖1所示為雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)框圖，虛線框內(nèi)所示即為本裝置中的結(jié)構(gòu)，包括了隔離電路2，高端限流電路3，高端驅(qū)動電路4，低端驅(qū)動電路5，去峰及電流檢測電路6以及峰值電流設(shè)定電路8。隔離電路2的輸入端與閥門控制器1的輸出端相連，其輸出端是隔離后的閥門控制脈沖，分別與高端限流電路3和低端驅(qū)動電路5的輸入端相連；高端限流電路3的輸出端與高端驅(qū)動電路4相連，在隔離后的閥門控制脈沖上升沿到來時輸出高電平，打開高端驅(qū)動電路，其另兩個輸入端并與峰值電流設(shè)定電路8和去峰及電流檢測電路6的輸出端相連；高端驅(qū)動電路4和低端驅(qū)動電路5的輸出端與去峰及電流檢測電路6相連，去峰及電流檢測電路6除與高端限流電路3的輸入端相連處，還與電磁閥7相連，是電磁閥接口電路。
圖2所示為隔離電路2。由于驅(qū)動電路在工作時會產(chǎn)生大量的噪聲，若將驅(qū)動電路與微處理器電路直接相連，會影響微處理器電路的電磁兼容性，導(dǎo)致其工作不穩(wěn)定，因此需要進行隔離。本裝置中采用的隔離電路2由光耦U1、電阻R1、發(fā)光管LED1和電阻2經(jīng)電路連接組成。電阻R1用于設(shè)定輸入信號的電流，發(fā)光管LED1用于閥門控制脈沖指示，LED1發(fā)光時控制脈沖Ctrl-Sig2有效，為低電平，驅(qū)動電路動作；電阻R2用于隔離后控制脈沖信號的限流，Ctrl-Sig2是隔離后的控制脈沖信號，高電平有效。
圖3所示為高端限流電路3，由或門OR、與門AND、比較器CMP以及一階高通阻容電路C1、R3連接而成；其中，與門AND的輸出端反饋回或門OR的輸入端，這個反饋將在限流電路中起到重要的保持作用。在控制脈沖為來到、閥門未工作時，比較器CMP輸出高電平，即與門的輸入引腳2為高電平。隔離后的閥門控制脈沖Ctrl-Sig2的上升沿將在一階高通阻容電路的輸出端，即或門OR的輸入引腳2上觸發(fā)一個由低電平到高電平的階躍信號，由于一階高通濾波的影響，該階躍出現(xiàn)后迅速衰減為低電平。但是，由于此時比較器輸出高電平，在與門輸出端也會得到一個階躍信號，此階躍信號被反饋回或門輸入引腳1后，將因電路反饋機制在或門輸出端和與門輸出端產(chǎn)生恒定高電平。即高端限流電路的輸出HVD恒為高電平，高電壓將作用于電磁閥，電磁閥中電流迅速上升，直至電流檢測電路的輸出信號Vf超過峰值電流設(shè)定電壓VREF。此時比較器輸出低電平，HVD立即變?yōu)榈碗娖剑⒎答伝嘏c門輸入引腳1，由于與門輸入引腳2上的電平早已衰減為低電平(該衰減時間常數(shù)可通過C1和R3的值配置)，或門將輸出低電平，因此由于反饋的保持作用，高端限流電路將一直輸出低電平，高端驅(qū)動電路不工作，這樣，電流在達到設(shè)定峰值后下降?？梢钥闯觯恳粋€閥門控制的上升沿將導(dǎo)致高壓驅(qū)動電路工作直至實際驅(qū)動電流達到設(shè)定峰值電流。
圖4所示為高端驅(qū)動電路4。它由NPN型三極管T1、齊納二極管ZSL1、MOS管PMOS1和電阻R4、R6、R7經(jīng)電路連接組成。+PH為從外部接入的可調(diào)高端驅(qū)動電壓。高端驅(qū)動電路的輸入為高端限流電路的輸出，因此高端驅(qū)動電路只在從控制脈沖上升沿到實際驅(qū)動電流上升至設(shè)定峰值的這段時間內(nèi)工作。高端驅(qū)動電路的輸出端SOL+與閥門的一根驅(qū)動線直接相連，該點的電壓值與電流檢測電路的壓降之差即為閥門實際驅(qū)動電壓，由于電流檢測電路的壓將很小，可認為SOL+為閥門驅(qū)動電壓。PMOS1為P溝道MOS管，當(dāng)高端限流電路輸出低電平時，NPN型三極管T1截止，PMOS1的門極(引腳1)和源極(引腳3)之間的電壓差為零，PMOS1也截止，高端驅(qū)動電路不工作；反之，當(dāng)高端限流電路輸出高電平，即HVD為高，三極管T1導(dǎo)通，并且由于電阻R6和R7和阻值配置較大，T1工作在飽和區(qū)，三極管集電極電壓近似為零，通過合理設(shè)定R6與R7電阻比值可合理設(shè)定此時PMOS1門、源極壓差，從而使PMOS1導(dǎo)通，由于MOS管導(dǎo)通電阻與電磁閥阻抗相比較小，此時閥門驅(qū)動電壓SOL+近似等于高端驅(qū)動電壓+PH。ZSL1為齊納二極管，可限制PMOS1的門源極之間發(fā)生過壓。
圖5所示為低端驅(qū)動電路5。它由NPN型三極管T2、齊納二極管ZSL2、MOS管MOS2、二極管D1和電阻R5、R8、R9、R10經(jīng)電路連接組成。+PL為從外部接入的可調(diào)低端驅(qū)動電壓。與高端驅(qū)動電路相比，T2的工作原理與T1完全相同，PMOS2的工作原理與PMOS1完全相同，齊納二極管ZSL2的作用與ZSL1完全相同，分壓電阻R8和R9與分壓電阻R6和R7的作用完全相同。低端驅(qū)動電路有三點不同于高壓驅(qū)動電路。一是低壓驅(qū)動電路的輸入信號Ctrl-Sig2為隔離后的控制脈沖，即在整個控制脈沖為高電平有效期間，PMOS2一直導(dǎo)通；不同點二在于PMOS2的漏極(引腳2)經(jīng)整流二極管D1與閥門驅(qū)動端SOL+相連，這樣，當(dāng)PMOS1導(dǎo)通，高端驅(qū)動電路工作時，盡管PMOS2也導(dǎo)通，但是D1反向截止，低端驅(qū)動電壓不作用于電磁閥。但是一旦閥門實際驅(qū)動電流達到設(shè)定峰值電流，PMOS1關(guān)斷，由于PMOS2一直導(dǎo)通，D1將正向?qū)?，閥門實際上切換至低端驅(qū)動。因此，整流二極管D1實際上起到了簡化驅(qū)動邏輯，防止高壓驅(qū)動電源和低壓驅(qū)動電源短路的作用；三是低端驅(qū)動電路中，MOS管的漏極通過電阻R10與地相連，這是因為在閥門關(guān)斷瞬間，在SOL+處會感應(yīng)出高達負數(shù)百伏的瞬間對地電壓，這時，整流二極管D1正向?qū)?，低端?qū)動電路的PMOS2漏極電壓也會升至與SOL+近似相等(僅比SOL+高一個二極管正向壓降)。但是由于去峰電路的存在，SOL+處的負電壓尖峰被削平，電壓迅速上升，而這在沒有泄壓電阻R10的情況下將導(dǎo)致整流二極管D1反向截止，于是PMOS2漏極負電壓無法獲得合適的泄流通道，恢復(fù)很慢，這樣PMOS2的源漏極之間在閥門關(guān)斷之后會長時間承受一個大電壓，這會導(dǎo)致該MOS管的壽命下降，進而影響閥門驅(qū)動電路的壽命。加上泄壓電阻R10后，由于在閥門關(guān)斷瞬間MOS管漏極電壓為負值，電流從地經(jīng)R10流過，并繼續(xù)流過整流二極管形成泄放回路。這樣，低端驅(qū)動電路便能夠跟上閥門和高端驅(qū)動電路的泄壓過程。
圖6所示為去峰及電流檢測電路6。它由電磁閥7和電阻RVS和采樣電阻R5連接組成。低端驅(qū)動電路和高端驅(qū)動電路的輸出端連接閥門驅(qū)動端SOL+，另一個閥門驅(qū)動端SOL-與電流采樣電阻Rs相連，閥門驅(qū)動電流流經(jīng)Rs形成反饋電壓Vf，從而實現(xiàn)電流檢測。Vf為高端限流電路中比較器的一個輸入，該比較器的另一個輸入為峰值電流設(shè)定電路的輸出，通過調(diào)節(jié)峰值電流設(shè)定電路的輸出電壓便可以實現(xiàn)峰值電流的控制。因Rs阻值很小，在考慮電磁閥感應(yīng)電壓時，可近似認為SOL-接地。電磁閥在關(guān)斷瞬間會在SOL+處感應(yīng)出負電壓尖峰，這會造成高端驅(qū)動電路和低端驅(qū)動電路中MOS管源漏極壓降過大。除去這個電壓尖峰的最常用方法是給電磁閥反并續(xù)流二極管。反并續(xù)流二極管雖然去除電壓尖峰的效果非常好，但是也帶來了另外的問題，即閥門關(guān)閉時間偏長，不適用于高頻工作場合。在本裝置中采用的方法是給電磁閥并聯(lián)壓敏電阻，壓敏電阻能夠在瞬間吸收超過其標(biāo)稱電壓1.2～1.4倍以上的電壓尖峰的能量，去除尖峰，去峰后的感應(yīng)負電壓將通過MOS管緩緩泄放。通過合適選定壓敏電阻標(biāo)稱電壓值和MOS管耐壓值可以同時保證電路壽命、電磁閥關(guān)閉速度和工作邏輯正確。壽命試驗表明，壓敏電阻去峰配合以通過MOS管耐壓能力進一步泄流的方法是可靠的。
圖7所示為峰值電流設(shè)定電路8。它由電感L1、電容C1、電容C2和C3、電阻R11、R12、R13、二極管D2經(jīng)電路連接組成。去峰及電流檢測電路已經(jīng)將閥門驅(qū)動電流采樣成了電壓信號，并成為高端限流電路比較器的一個輸入。因此，只要調(diào)節(jié)比較器的另一個輸入電壓便可以設(shè)定峰值電流。峰值電流設(shè)定電路采用了基準(zhǔn)電壓二極管D2，對此基準(zhǔn)電壓進行分壓得到設(shè)定電壓，通過調(diào)節(jié)可調(diào)電阻R13可以改變設(shè)定電壓值，從而實現(xiàn)峰值電流調(diào)節(jié)。為降低成本，直接對低端驅(qū)動電源+PL進行低通感容濾波，然后為基準(zhǔn)電壓源供電。
圖8(a)和(b)分別為該驅(qū)動電路完成一次閥門開啟的驅(qū)動電流和驅(qū)動電壓波形?？刂泼}沖到來時高端電路首先作用，實際驅(qū)動電壓為高端驅(qū)動電壓，驅(qū)動電流迅速上升至設(shè)定峰值電流，到達峰值點后高端限流電路切斷高端驅(qū)動電路，實際驅(qū)動電壓迅速變?yōu)樨摳袘?yīng)電壓，在感應(yīng)電壓泄壓后低端驅(qū)動電路中的整流二極管正向?qū)?，低端?qū)動電壓實際發(fā)生作用。高端驅(qū)動電路被切斷后電流由峰值電流降為維持電流，維持電流的大小可通過調(diào)節(jié)低電壓值而改變。若想進一步提升閥門開啟速度，可以進一步調(diào)高高端驅(qū)動電壓。高端驅(qū)動電路控制脈沖消失后低端驅(qū)動電路也關(guān)斷，同樣出現(xiàn)感應(yīng)電壓，隨后驅(qū)動電壓衰減為零。(b)圖中所示兩處負感應(yīng)電壓均已被壓敏電阻去峰，實際感應(yīng)峰值電壓有限，從實際感應(yīng)峰值電壓開始的衰減都是通過MOS管泄壓實現(xiàn)。合理選定MOS管耐壓值，可保證MOS管壽命，該電路已通過20億次壽命試驗。低端驅(qū)動電路關(guān)斷后驅(qū)動電流下降為零的過程極為迅速，即電磁閥關(guān)斷極為迅速。
在實際應(yīng)用場合，可通過多路驅(qū)動電路實現(xiàn)多路電磁閥驅(qū)動，各路驅(qū)動電路可共享高壓驅(qū)動電源、低壓驅(qū)動電源和峰值設(shè)定電路的電壓輸出以降低成本。本驅(qū)動電路可在中小功率及高頻工作場合獲得廣泛運用。
權(quán)利要求
1.一種雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于隔離電路、高端限流電路、高端驅(qū)動電路、低端驅(qū)動電路、去峰及電流檢測電路和峰值電流設(shè)定電路經(jīng)電路連接組成；其中隔離電路(2)的輸入端與閥門控制器(1)的輸出端相連，其輸出端是隔離后的閥門控制脈沖，分別與高端限流電路(3)和低端驅(qū)動電路(5)的輸入端相連；高端限流電路(3)的輸出端與高端驅(qū)動電路(4)相連，在隔離后的閥門控制脈沖上升沿到來時輸出高電平，打開高端驅(qū)動電路(4)，其另兩個輸入端分別與峰值電流設(shè)定電路(8)和去峰及電流檢測電路(6)的輸出端相連；高端驅(qū)動電路(4)和低端驅(qū)動電路(5)的輸出端與去峰及電流檢測電路(6)相連，去峰及電流檢測電路(6)除與高端限流電路(3)的輸入端相連外，還與電磁閥(7)相連，是電磁閥接口電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于所述隔離電路(2)由光耦U1、電阻R1、發(fā)光管LED1和電阻R2經(jīng)電路連接組成，其中，電阻R1用于設(shè)定輸入信號的電流，發(fā)光管LED1用于閥門控制脈沖指示，LED1發(fā)光時控制脈沖Ctrl-Sig2有效，為低電平，驅(qū)動電路動作；電阻R2用于隔離后控制脈沖信號的限流，Ctrl-Sig2是隔離后的控制脈沖信號，高電平有效。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于所述高端限流電路(3)由或門OR、與門AND、比較器CMP以及一階高通阻容電路C1、R3連接而成；其中，與門AND的輸出端反饋回或門OR的輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于高端限流電路(4)由NPN型三極管T1、齊納二極管ZSL1、MOS管PMOS1和電阻R4、R6、R7經(jīng)電路連接組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于低端限流電路(5)由NPN型三極管T2、齊納二極管ZSL2、MOS管PMOS2、二極管D1和電阻R5、R8、R9、R10經(jīng)電路連接組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于所述去峰及電流檢測電路(6)由電磁閥(7)和電阻RVS和采樣電阻R5連接組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電壓峰值保持高速電磁閥驅(qū)動電路，其特征在于所述峰值電流設(shè)定電路(8)由電感L1、電容C1、電容C2和C3、電阻R11、R12、R13、二極管D2經(jīng)電路連接組成。
全文摘要
本發(fā)明屬于電磁閥驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高速電磁閥雙電壓峰值保持驅(qū)動電路。本發(fā)明采用并聯(lián)式雙電壓驅(qū)動。低端驅(qū)動電路在控制脈沖到來時一直導(dǎo)通，高端驅(qū)動電路則隨控制脈沖上升沿的到來而導(dǎo)通，至驅(qū)動電流達到設(shè)定峰值時由簡單分立元件構(gòu)成的限流電路關(guān)斷，電磁閥驅(qū)動電路進入僅有低端驅(qū)動電路作用保持階段。在低端驅(qū)動電路配置泄壓電阻，以解決電磁閥關(guān)斷瞬間低端驅(qū)動電路無法跟上電磁閥及高端電路泄流過程的問題。在電磁閥續(xù)流上，采用為電磁閥并聯(lián)壓敏電阻的方法去除電磁閥關(guān)斷瞬間的感應(yīng)電壓尖峰，并通過合理選定壓敏電阻耐壓值和MOS管源漏極耐壓值，既去除了感應(yīng)電壓尖峰，又保證了閥門關(guān)斷速度。該驅(qū)動電路驅(qū)動閥門，速度快，壽命長，易擴展應(yīng)用。
文檔編號H01F7/18GK1967035SQ20061011729
公開日2007年5月23日 申請日期2006年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者朱元, 劉蒙, 吳志紅, 陳宏 申請人:上海凌同電子科技有限公司, 上?；焦I(yè)設(shè)備有限公司