一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法，包括：氧化鋅電阻片漿料基料100份；氧化鈦0-11份；氧化錫0-31份；水20份。將以氧化鋅電阻片本體漿料為基料，在高攪砂磨機球磨制，得到氧化鋅電阻片本體漿料，與氧化鈦、氧化錫和水球磨后得到用于氧化鋅電阻片側(cè)面的高阻層材料。采用本發(fā)明制作高阻層方法，使得高阻層的制造工藝簡單，周期縮短，成本低；高阻層與電阻片匹配性好，提高了氧化鋅電阻片高阻層的絕緣強度和致密性，改善電阻片的電流分布，使得電阻片的壓比降低，方波通流能力得到提高，滿足了氧化鋅避雷器的性能需求。
【專利說明】—種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及氧化鋅避雷器電阻片制造領域，公開了一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高阻層的制備是氧化鋅電阻片制造的重要工藝，對電阻片的各種性能有著直接的影響，尤其對電阻片的殘壓比、方波容量和大電流的影響更為明顯，隨著我國電力建設的不斷發(fā)展，電力部門對電力產(chǎn)品的要求也越來越高。為降低D6電阻片的壓比，提高通流容量而進行此項目的開展。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的是提供一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法，該方法解決了氧化鋅電阻片高阻層的絕緣強度和致密性問題，改善了電阻片的電流分布，電阻片的壓比降低，方波通流能力得到提高，滿足了氧化鋅避雷器的性能需求。
[0004]本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
[0005]一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層，包括下述質(zhì)量份數(shù)的原料:
[0006]氧化鋅電阻片漿料基料 100份；
[0007]氧化鈦0-11份；
[0008]氧化錫0-31份；
[0009]水20 份。
[0010]進一步地，所述氧化鋅電阻片漿料基料包括下述質(zhì)量百分比的原料:
[0011]
【權(quán)利要求】
1.一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層，其特征在于，包括下述質(zhì)量份數(shù)的原料: 氧化鋅電阻片漿料基料 100份； 氧化鈦0-11份； 氧化錫0-31份；水20份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層，其特征在于，所述氧化鋅電阻片漿料基料包括下述質(zhì)量百分比的原料:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層，其特征在于，所述分散劑為A15陶瓷分散劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層，其特征在于，所述結(jié)合劑為5%濃度的PVA-1799聚乙烯醇溶液。
5.一種氧化鋅電阻片側(cè)面用高阻層的制備方法，其特征在于，該方法包括下述步驟: I)以氧化鋅電阻片本體漿料為基料:a.按照以下質(zhì)量百分比稱量各種氧化物:氧化鉍1.0~1.5wt%，氧化銻1.0~.1.2wt%,氧化鈷0.6~0.8wt%,氧化猛0.20~0.50wt%,氧化絡0.20~0.50wt%,氧化娃.0.30 ~0.50wt%,硝酸鋁 0.008 ~0.009wt%,玻璃粉 0.02 ~0.04wt%,氧化鋅 20 ~32wt% ； b.并按照質(zhì)量百分比稱量Al5陶瓷分散劑0.30~0.40wt%,和配制好5%濃度的PVA1799聚乙烯醇結(jié)合劑5.0wt%，及稱量純水60~70wt% ； c.將以上步驟a和步驟b的溶液和氧化物加入高攪砂磨機進行2小時球磨制，得到氧化鋅電阻片本體漿料；2)取上述質(zhì)量份數(shù)的氧化鋅電阻片本體漿料100份與質(zhì)量份數(shù)的0~11份氧化鈦和0~31份的氧化錫， 球磨0.5h后得到用于氧化鋅電阻片側(cè)面的高阻層材料。
【文檔編號】H01C17/00GK103646738SQ201310686735
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
【發(fā)明者】胡小定, 謝清云, 蒙曉記, 李剛 申請人:中國西電電氣股份有限公司