本申請要求于2016年3月25日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0036132號韓國專利申請和于2016年6月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0077554號韓國專利申請的權(quán)益，該兩個韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種能夠使在制造工藝期間會發(fā)生的諸如斷開的缺陷發(fā)生最小化、同時確保其較長的壽命的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

視覺上顯示數(shù)據(jù)的顯示設(shè)備包括劃分為顯示區(qū)和非顯示區(qū)的基底。在顯示區(qū)中，柵極線和數(shù)據(jù)線彼此絕緣，多個像素區(qū)由交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線限定。此外，在顯示區(qū)中，薄膜晶體管(tft)和電連接到tft的像素電極設(shè)置到像素區(qū)。在非顯示區(qū)中，設(shè)置諸如將電信號傳輸?shù)斤@示區(qū)的布線的各種導(dǎo)電層。

顯示設(shè)備的至少一部分可彎曲，以增強在各種角度的可見性或者減小非顯示區(qū)的尺寸。正在開發(fā)各種技術(shù)以在制造這些彎曲的顯示設(shè)備期間減少缺陷并降低成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種顯示設(shè)備包括：基底，包括第一區(qū)、第二區(qū)和位于第一區(qū)與第二區(qū)之間的彎曲區(qū)，彎曲區(qū)被構(gòu)造為關(guān)于沿第一方向延伸的第一彎曲軸彎曲；無機絕緣層，布置在基底上方；第一導(dǎo)電層，從第一區(qū)經(jīng)過彎曲區(qū)延伸到第二區(qū)，并且布置在無機絕緣層上方；有機材料層，布置在無機絕緣層與第一導(dǎo)電層之間，并且包括中心部和外圍部。中心部與彎曲區(qū)疊置。外圍部從中心部延伸。中心部的平均厚度大于外圍部的平均厚度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層可以在與有機材料層疊置的區(qū)域處具有平坦的上表面。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，中心部可具有基本均勻的厚度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，外圍部可包括具有基本均勻的厚度的區(qū)域，外圍部的厚度可沿遠離中心部的方向減小。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，外圍部的厚度可沿遠離中心部的方向逐漸減小。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層可包括第一有機材料層以及布置在第一有機材料層上的第二有機材料層。第一有機材料層具有第一寬度。第二有機材料層具有比第一寬度小的第二寬度。第二寬度可大于彎曲區(qū)的寬度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層可以在有機材料層的上表面中至少部分地具有不平坦的表面。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層可在中心部中具有不平坦的表面。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，第一導(dǎo)電層的位于有機材料層上方的上表面可具有與有機材料層的上表面的形狀對應(yīng)的形狀。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層可在與有機材料層疊置的區(qū)域中具有凹槽。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，凹槽的面積可大于彎曲區(qū)的面積。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層可覆蓋凹槽的內(nèi)表面。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層距離基底的上表面的高度可大于無機絕緣層距離基底的上表面的高度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，外圍部距離基底的上表面的高度可沿遠離中心部的方向逐漸地減小。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層距離基底的上表面的高度可小于無機絕緣層距離基底的上表面的高度。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，不平坦的表面的面積可大于中心部的面積。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括設(shè)置在基底的下表面上的保護膜。下表面可在基底的最靠近無機絕緣層的表面的背面。保護膜包括與彎曲區(qū)對應(yīng)的開口。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，開口的面積可大于彎曲區(qū)的面積。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，所述顯示設(shè)備還可包括：包封層，在第一區(qū)上方覆蓋顯示器件；觸摸電極，被構(gòu)造為設(shè)置觸摸屏并且位于包封層上方。第一導(dǎo)電層可包括與觸摸電極的材料基本相同的材料。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括覆蓋觸摸電極和第一導(dǎo)電層的觸摸保護層。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，所述顯示設(shè)備還可包括：薄膜晶體管(tft)，布置在第一區(qū)或第二區(qū)上方，并且包括源電極、漏電極和柵電極；平坦化層，覆蓋tft，包括有機材料。有機材料層可包括與平坦化層的材料基本相同的材料。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，所述顯示設(shè)備還可包括：有機發(fā)光器件，布置在第一區(qū)上方，并且包括像素電極、面對像素電極的對向電極以及包括有機發(fā)射層并布置在像素電極與對向電極之間的中間層；像素限定層，布置在第一區(qū)上方，像素限定層具有暴露像素電極的中心部的開口，并且限定像素區(qū)。有機材料層可包括與像素限定層的材料基本相同的材料。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括包封層，包封層包括第一無機包封層、第二無機包封層以及位于第一無機包封層與第二無機包封層之間并在第一區(qū)上方覆蓋顯示器件的有機包封層。有機材料層可包括與有機包封層的材料基本相同的材料。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括布置在第一區(qū)或第二區(qū)上方的第二導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層位于與其上定位有第一導(dǎo)電層的層不同的層上。第二導(dǎo)電層電連接到第一導(dǎo)電層。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，第一導(dǎo)電層的延伸率可大于第二導(dǎo)電層的延伸率。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括布置在第一區(qū)或第二區(qū)上方并包括源電極、漏電極和柵電極的tft。第一導(dǎo)電層可與源電極和漏電極位于同一層上。第二導(dǎo)電層可與柵電極位于同一層上。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備還可包括布置在第一導(dǎo)電層的上部上方的應(yīng)力中和層。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種顯示設(shè)備包括基底、無機絕緣層、第一導(dǎo)電層和有機材料層?；妆粍澐殖傻谝粎^(qū)、第二區(qū)和位于第一區(qū)與第二區(qū)之間的彎曲區(qū)。彎曲區(qū)被構(gòu)造為關(guān)于沿第一方向延伸的第一彎曲軸彎曲。無機絕緣層布置在基底上方。第一導(dǎo)電層從第一區(qū)經(jīng)過彎曲區(qū)延伸到第二區(qū)，并布置在無機絕緣層上方。有機材料層布置在無機絕緣層與第一導(dǎo)電層之間并包括中心部和外圍部。中心部與彎曲區(qū)疊置。外圍部從中心部延伸。中心部的平均厚度大于外圍部的平均厚度?；拙哂胸灤┑谝粎^(qū)、第二區(qū)和彎曲區(qū)延伸的多層結(jié)構(gòu)?；装ǖ谝粯渲瑢印⒆钃鯇?、中間層和第二樹脂層。第一樹脂層包括聚合物樹脂。阻擋層包括無機材料并設(shè)置在第一樹脂層上方。中間層包括非晶材料并設(shè)置在阻擋層上方。第二樹脂層包括聚合物樹脂并設(shè)置在中間層上方。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，第一導(dǎo)電層可沿與第一方向垂直的第二方向從第一區(qū)延伸到第二區(qū)，第一導(dǎo)電層可形成波狀圖案同時沿第二方向延伸。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，所述顯示設(shè)備還包括設(shè)置在基底的下表面上的保護膜。下表面在基底的最靠近無機絕緣層的表面的背面。保護膜包括與彎曲區(qū)對應(yīng)的開口。開口的面積大于彎曲區(qū)的面積并小于有機材料層的面積。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層在有機材料層的上表面中至少部分地具有不平坦的表面，第一導(dǎo)電層的在有機材料層上方的上表面具有不平坦的表面，所述不平坦的表面具有獨立于有機材料層的不平坦的表面的形狀的形狀。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層的上表面和有機材料層的外圍部的上表面接觸，形成小于或等于45度的角。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征將變得明顯且將被更清楚地理解。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性透視圖。

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出圖1的顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖3a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖3b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖3c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖3d是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖5a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖5b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖5c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖5d是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖5e是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖6是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖7是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖9a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性平面圖。

圖9b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性平面圖。

圖9c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性平面圖。

具體實施方式

將參照附圖在下文中更充分地描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。同樣的附圖標(biāo)記可貫穿附圖指示同樣的元件。

如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任何和全部組合。

為了便于解釋，會夸大附圖中的組件的尺寸和厚度。換言之，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

在以下描述的示例中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個軸，并可以以更廣闊的含義來解釋。例如，x軸、y軸和z軸可相互垂直，或者可代表不相互垂直的不同方向。

可以以可以不同于描述的次序的工藝次序來不同地實施發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。例如，兩個連續(xù)描述的工藝可以基本同時地執(zhí)行或者以與所描述次序相反的次序來執(zhí)行。

顯示設(shè)備是顯示圖像的設(shè)備，例如，液晶顯示設(shè)備、電泳顯示設(shè)備、有機發(fā)光顯示設(shè)備、無機發(fā)光顯示設(shè)備、場發(fā)射顯示設(shè)備、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示設(shè)備、等離子體顯示設(shè)備或陰極射線顯示設(shè)備等。

發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供一種能夠確保其較長的壽命并能夠使在制造工藝期間的諸如斷開的缺陷的發(fā)生最小化的顯示設(shè)備。

在下文中，將把有機發(fā)光顯示設(shè)備作為根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示設(shè)備的示例進行描述。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的顯示設(shè)備不限于此，并可包括各種類型的顯示設(shè)備。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性透視圖，圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出圖1的顯示設(shè)備的示意性剖視圖。在根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備中，如圖1中所示，作為顯示設(shè)備的一部分的基底100部分地彎曲，因此，因為基底100彎曲，所以顯示設(shè)備也部分地彎曲。然而，為了便于描述，圖2示出不彎曲的顯示設(shè)備。為了便于描述，以下將描述的根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的其它剖視圖和平面圖也示出不彎曲的顯示設(shè)備。

如圖1和圖2中所示，基底100包括沿第一方向(+y方向)延伸的彎曲區(qū)ba。彎曲區(qū)ba在與第一方向相交的第二方向(+x方向)上位于第一區(qū)1a與第二區(qū)2a之間。另外，如圖1中所示，基底100關(guān)于彎曲軸bax彎曲，彎曲軸bax沿第一方向(+y方向)延伸?；?00可包括具有柔性或可彎曲的特性的各種材料，例如，諸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或乙酸丙酸纖維素(cap)的聚合物樹脂?；?00可具有包括上述材料的單層或多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)還可包括無機層。

第一區(qū)1a包括顯示區(qū)da。如圖2中所示，第一區(qū)1a也可包括非顯示區(qū)的位于顯示區(qū)da外部的一部分。第二區(qū)2a也包括非顯示區(qū)。

顯示圖像的多個像素可設(shè)置在基底100的顯示區(qū)da中。顯示區(qū)da可包括諸如顯示器件300、薄膜晶體管(tft)210和電容器(cst)的多個器件。顯示區(qū)da還可包括諸如柵極線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電源線和共電源線的信號布線，通過柵極線傳輸柵極信號，通過數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號，通過驅(qū)動電源線傳輸電力。像素可通過連接到柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電源線的tft210、電容器和顯示器件300等的電耦合來形成，像素可顯示圖像。像素可響應(yīng)于施加到像素的數(shù)據(jù)信號發(fā)射與穿過顯示器件300的驅(qū)動電流對應(yīng)的亮度的光。數(shù)據(jù)信號可根據(jù)驅(qū)動電源和共電源而產(chǎn)生?？梢砸灾T如條形設(shè)計或pentile設(shè)計等的各種方式布置多個像素。

在圖2中，顯示區(qū)da中的顯示器件300可以是有機發(fā)光器件。有機發(fā)光器件可經(jīng)由像素電極310電連接到tft210。如果需要，也可在顯示區(qū)da外部的外圍區(qū)上布置單獨的tft。位于外圍區(qū)上的tft可以是例如電路單元的用于控制施加到顯示區(qū)da的電信號的一部分。

tft210可包括半導(dǎo)體層211、柵電極213、源電極215a和漏電極215b。半導(dǎo)體層211可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體或有機半導(dǎo)體材料。

柵電極213可連接到柵極布線，通過柵極布線對tft210施加導(dǎo)通和截止信號。柵電極213可包括低阻金屬材料。例如，柵電極213可具有包括導(dǎo)電材料(例如，鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)和/或鈦(ti))的至少一層。

源電極215a和漏電極215b中的每個可具有包括高導(dǎo)電材料的單層或多層。源電極215a和漏電極215b可分別連接到半導(dǎo)體層211的源區(qū)和漏區(qū)。例如，源電極215a和漏電極215b中的每個可具有包括導(dǎo)電材料(例如，al、cu和/或ti)的至少一層。

源電極215a和漏電極215b可經(jīng)由接觸孔c1和c2連接到半導(dǎo)體層211。接觸孔c1和c2可通過同時蝕刻層間絕緣層130和柵極絕緣層120來形成。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，tft210是柵電極213位于半導(dǎo)體層211上方的頂柵型tft。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，tft210可以是柵電極213位于半導(dǎo)體層211下方的底柵型tft。

為了確保半導(dǎo)體層211與柵電極213之間的絕緣性質(zhì)，包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料的柵極絕緣層120可布置在半導(dǎo)體層211與柵電極213之間。另外，包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料的層間絕緣層130可布置在柵電極213上，源電極215a和漏電極215b可布置在層間絕緣層130上。如上所述的包括無機材料的絕緣層可通過化學(xué)氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來形成。關(guān)于以下描述的示例性實施例，可執(zhí)行相似的工藝。

包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料的緩沖層110可布置在tft210與基底100之間。緩沖層110可增大基底100的上表面的光滑度，或者可防止或減少雜質(zhì)從基底100滲透到半導(dǎo)體層211中等。緩沖層110可包括諸如氧化物或氮化物的無機材料、有機材料或者有機/無機復(fù)合材料，并可具有包括無機材料和/或有機材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，緩沖層110可具有氧化硅/氮化硅/氧化硅的三層結(jié)構(gòu)。

另外，平坦化層140可布置在tft210上。例如，當(dāng)有機發(fā)光器件如圖2中所示的布置在tft210上時，平坦化層140可使覆蓋tft210的保護層的上部平坦。平坦化層140可包括例如苯并環(huán)丁烯(bcb)或六甲基二硅醚(hmdso)的有機材料。雖然圖2的平坦化層140具有單層結(jié)構(gòu)，但是平坦化層140可具有諸如多層結(jié)構(gòu)的各種修改。另外，如圖2中所示，平坦化層140可具有位于顯示區(qū)da外部的開口，使得平坦化層140的位于顯示區(qū)da中的部分與平坦化層140的位于第二區(qū)2a中的部分可物理地分開。因此，雜質(zhì)不可以從外部經(jīng)由平坦化層140滲透到顯示區(qū)da中。

在基底100的顯示區(qū)da中，有機發(fā)光器件(例如，顯示器件300)可設(shè)置在平坦化層140上。有機發(fā)光器件可包括像素電極310、對向電極330以及包括有機發(fā)射層并布置在像素電極310與對向電極330之間的中間層320。像素電極310通過經(jīng)由形成在平坦化層140中的開口接觸源電極215a和漏電極215b中的一個電連接到tft210，如圖2中所示。

像素限定層150可布置在平坦化層140上。像素限定層150具有與多個子像素中的每個對應(yīng)的開口(例如，暴露像素電極310的至少中心部的開口)從而限定每個像素。此外，在圖2中，像素限定層150增大像素電極310的邊緣與位于像素電極310上方的對向電極330之間的距離，以防止在像素電極310的邊緣處產(chǎn)生電弧。像素限定層150可包括例如以pi或hmdso為例的有機材料。

有機發(fā)光器件的中間層320可包括低分子量材料或聚合物材料。當(dāng)中間層320包括低分子量材料時，中間層320可具有包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)射層(eml)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，并可包括諸如銅酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)或三-8-羥基喹啉鋁(alq3)的各種有機材料?？赏ㄟ^真空沉積方法來形成這些層。

當(dāng)中間層320包括聚合物材料時，中間層320可具有主要包括htl和eml的結(jié)構(gòu)。就這一點而言，htl可包括pedot，eml可包括諸如聚-苯撐乙烯撐(ppv)類材料和聚芴類材料的聚合物材料?？赏ㄟ^絲網(wǎng)印刷方法、噴墨印刷方法或激光誘導(dǎo)熱成像(liti)方法等來形成中間層320。

中間層320不限于以上的示例，可具有各種其它結(jié)構(gòu)。另外，中間層320可包括遍及多個像素電極310整體形成的層或者被圖案化為與多個像素電極310中的每個對應(yīng)的層。

對向電極330布置在顯示區(qū)da上方，如圖2中所示，對向電極330可覆蓋顯示區(qū)da。換言之，對向電極330可相對于多個有機發(fā)光器件整體地形成，因此可與多個像素電極310對應(yīng)。

因為有機發(fā)光器件會由于諸如外部濕氣或氧的因素而容易受損，所以包封層400可覆蓋并保護有機發(fā)光器件。包封層400可覆蓋顯示區(qū)da并延伸到顯示區(qū)da的外部。如圖2中所示，包封層400可包括第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430。

第一無機包封層410可覆蓋對向電極330，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要，諸如蓋層的其它層可布置在第一無機包封層410與對向電極330之間。因為第一無機包封層410沿不平坦的對向電極330形成，所以第一無機包封層410的上表面也是不平坦的，如圖2中所示。有機包封層420可覆蓋第一無機包封層410，與第一無機包封層410不同，有機包封層420的上表面可以是大致平坦的。更詳細地，有機包封層420可在與顯示區(qū)da對應(yīng)的部分處具有大致平坦的上表面。有機包封層420可包括從由pet、pen、pc、pi、聚乙烯磺酸鹽、聚甲醛、par和hmdso組成的組中選擇的至少一種材料。第二無機包封層430可覆蓋有機包封層420，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在顯示區(qū)da外部，第二無機包封層430的邊緣可接觸第一無機包封層410，使得有機包封層420不被暴露在外部。

如上所述，因為包封層400包括第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430，所以即使當(dāng)在包封層400中存在裂縫時，由于上述多層結(jié)構(gòu)，裂縫也不會在第一無機包封層410與有機包封層420之間或者有機包封層420與第二無機包封層430之間延伸。因此，可防止或減少形成通過其外部濕氣或氧會滲透到顯示區(qū)da中的路徑。

偏振板520可通過光學(xué)透明粘合劑(oca)510附著到包封層400。偏振板520可減少外部光的反射。例如，當(dāng)外部光穿過偏振板520時，外部光被對向電極330的上表面反射，然后再次穿過偏振板520。這樣，隨著外部光穿過偏振板520兩次，外部光的相位會改變。結(jié)果，反射的光的相位不同于外部光的相位，使得發(fā)生有害的干擾，因此，可減少外部光的反射并可改善可見性。oca510和偏振板520可覆蓋平坦化層140中的開口，如圖2中所示。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示設(shè)備不必包括偏振板520，可省略或者用其它構(gòu)造來代替偏振板520。例如，可省略偏振板520，可使用黑矩陣和濾色器代替偏振板520，以減少外部光的反射。

均包括無機材料的緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130可稱為無機絕緣層。在圖2中，無機絕緣層在與有機材料層160疊置的區(qū)域處具有平坦的上表面，這將在下面進行描述。

顯示設(shè)備可包括布置在無機絕緣層上方的第一導(dǎo)電層215c，第一導(dǎo)電層215c從第一區(qū)1a經(jīng)過彎曲區(qū)ba朝向第二區(qū)2a延伸。第一導(dǎo)電層215c可用作電信號經(jīng)由其傳輸?shù)斤@示區(qū)da的布線。第一導(dǎo)電層215c可與源電極215a或漏電極215b同時形成，并使用與源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料。

另外，顯示設(shè)備可包括布置在無機絕緣材料與第一導(dǎo)電層215c之間并包括與彎曲區(qū)ba疊置的中心部160a和從中心部160a延伸的外圍部160b的有機材料層160。換言之，外圍部160b指不與彎曲區(qū)ba疊置的區(qū)域。此外，有機材料層160的中心部160a的平均厚度<t1>大于外圍部160b的平均厚度<t2>。就這一點而言，中心部160a的平均厚度<t1>可指通過對中心部160a的不同部位的厚度t1求平均獲得的數(shù)值，外圍部160b的平均厚度<t2>可指通過對外圍部160b的不同部位的厚度t2求平均獲得的數(shù)值。

有機材料層160可與彎曲區(qū)ba疊置，并且可延伸到非彎曲區(qū)的一部分。換言之，具有預(yù)定的寬度orw的有機材料層160可形成在無機絕緣層上。就這一點而言，有機材料層160的預(yù)定的寬度orw在圖2中被示出為被有機材料層160的上表面與無機絕緣層的上表面交匯的邊界處之間的距離限定。參照圖2，有機材料層160的寬度orw大于彎曲區(qū)ba的寬度。

如上所述，雖然為了便于描述，圖2示出顯示設(shè)備不彎曲，但是根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備實際處于基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲的狀態(tài)，如圖1中所示。為了達到這個目的，在制造工藝期間，如圖2中所示，在基底100是大致平坦的狀態(tài)下制造顯示設(shè)備，然后，在彎曲區(qū)ba處使基底100彎曲，使得顯示設(shè)備可大致具有如圖1中所示的形狀。就這一點而言，雖然可在基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲時對第一導(dǎo)電層215c施加拉應(yīng)力，但是顯示設(shè)備可在彎曲工藝期間防止或減少在第一導(dǎo)電層215c中的發(fā)生的缺陷。

如果有機材料層160不在第一導(dǎo)電層215c與無機絕緣層之間，并因此第一導(dǎo)電層215c在彎曲區(qū)ba中布置在無機絕緣層上，那么當(dāng)基底100彎曲時，對第一導(dǎo)電層215c施加大的拉應(yīng)力。無機絕緣層具有比有機材料層的硬度高的硬度，因此，在彎曲區(qū)ba處，裂縫更可能出現(xiàn)在無機絕緣層中。當(dāng)裂縫產(chǎn)生在無機絕緣層中時，設(shè)置在無機絕緣層上的第一導(dǎo)電層215c也會具有裂縫，因此，存在發(fā)生諸如第一導(dǎo)電層215c斷開的缺陷的可能性高。

然而，在根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備中，有機材料層160在彎曲區(qū)ba中布置在第一導(dǎo)電層215c與無機絕緣層之間。有機材料層160可緩沖或吸收基底100和無機絕緣層因為彎曲而經(jīng)受的拉應(yīng)力，并且可減少傳遞到第一導(dǎo)電層215c的拉應(yīng)力。因此，可防止或減少在第一導(dǎo)電層215c的與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的部分中出現(xiàn)裂縫。

如圖2中所示，有機材料層160的中心部160a的平均厚度<t1>大于有機材料層160的外圍部160b的平均厚度<t2>。有機材料層160可具有預(yù)定的寬度orw，有機材料層160的預(yù)定的寬度orw可大于彎曲區(qū)ba的寬度。有機材料層160可具有平緩傾斜的堤形或斜坡形(例如，堤形)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，有機材料層160的中心部160a可具有基本均勻的厚度t1?？煽紤]到由于彎曲而施加到基底100和無機絕緣層的拉應(yīng)力來設(shè)置中心部160a的厚度t1。

外圍部160b的厚度t2沿遠離中心部160a的方向減少(例如，形成堤)，因此，外圍部160b的上表面可具有相對于無機絕緣層的上表面的平緩的傾斜。例如，圖2示出外圍部160b的至少一部分具有比中心部160a的厚度t1小的均勻的厚度t2。

如上所述，由于第一導(dǎo)電層215c可包括與源電極215a和漏電極215b的材料基本相同的材料，因此第一導(dǎo)電層215c可與源電極215a和漏電極215b同時形成。換言之，導(dǎo)電層可形成在基底100的整個表面上，然后被圖案化以形成源電極215a、漏電極215b和第一導(dǎo)電層215c。

無機絕緣層的上表面與有機材料層160的上表面交匯的區(qū)域可限定邊界區(qū)。當(dāng)將導(dǎo)電層圖案化時，如果邊界區(qū)的傾斜相對陡(例如，不平緩)，那么導(dǎo)電材料不會被去除并且可保留在邊界區(qū)上。在這種情況下，保留的導(dǎo)電材料會導(dǎo)致與其它導(dǎo)電層的電短路。

因此，當(dāng)形成有有機材料層160時，外圍部160b的具有相對于無機絕緣層的上表面逐漸傾斜或平緩傾斜的上表面可防止這樣的問題。當(dāng)導(dǎo)電層被圖案化以形成源電極215a、漏電極215b和第一導(dǎo)電層215c時，位于邊界區(qū)上的保留的導(dǎo)電材料可被有效地去除。換言之，可有效地防止導(dǎo)電材料必須被去除但是卻被保留的情形。

有機材料層160可通過各種方法形成。例如，可使用光致抗蝕劑材料來形成有機材料層160，在制造工藝期間，通過使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模等，曝光量可相對于有機材料層160(仍然具有大致平坦的上表面)的中心部160a和外圍部160b變化，使得某一部分可比其它部分被蝕刻(去除)得相對多。因此，中心部160a和外圍部160b的厚度可彼此不同。此外，可通過熱回流工藝允許有機材料層160向下流，因此，可調(diào)節(jié)有機材料層160的邊緣區(qū)的傾斜角。在制造顯示設(shè)備時使用的方法不限于以上示例。例如，在形成具有大致平坦上表面的有機材料層160之后，可通過使用諸如干蝕刻的方法或者其它各種方法僅去除某一部分。有機材料層160可包括例如pi、亞克力、bcb或hmdso。

根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備可包括除了第一導(dǎo)電層215c之外的第二導(dǎo)電層213a和213b。第二導(dǎo)電層213a和213b可布置在第一區(qū)1a或第二區(qū)2a上，以定位在與第一導(dǎo)電層215c的層水平面不同的層水平面處，第二導(dǎo)電層213a和213b可電連接到第一導(dǎo)電層215c。在圖2中，第二導(dǎo)電層213a和213b與tft210的柵電極213位于同一層水平面處，例如，位于柵極絕緣層120上，并包括與柵電極213的材料基本相同的材料。另外，第一導(dǎo)電層215c經(jīng)由形成在層間絕緣層130中的接觸孔接觸第二導(dǎo)電層213a和213b。另外，第二導(dǎo)電層213a位于第一區(qū)1a中，第二導(dǎo)電層213b位于第二區(qū)2a中。

位于第一區(qū)1a中的第二導(dǎo)電層213a可電連接到顯示區(qū)da中的tft210，因此，第一導(dǎo)電層215c可經(jīng)由第二導(dǎo)電層213a電連接到tft210。位于第二區(qū)2a中的第二導(dǎo)電層213b也可經(jīng)由第一導(dǎo)電層215c電連接到顯示區(qū)da中的tft210。如上所述，位于顯示區(qū)da外部的第二導(dǎo)電層213a和213b可電連接到位于顯示區(qū)da中的組件，或可朝向顯示區(qū)da延伸以至少部分地位于顯示區(qū)da中。

如上所述，雖然為了便于描述，圖2示出不彎曲的顯示設(shè)備，但是顯示設(shè)備實際處于基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲的狀態(tài)，如圖1中所示。為了達到這個目的，在制造工藝期間，如圖2中所示，在基底100大致平坦的狀態(tài)下制造顯示設(shè)備，然后，基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲，使得顯示設(shè)備可大致具有如圖1中所示的形狀。就這一點而言，在基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲時，可對位于彎曲區(qū)ba中的組件施加拉應(yīng)力。

因此，橫跨彎曲區(qū)ba延伸的第一導(dǎo)電層215c可包括具有高延伸率的材料，因此，可防止在第一導(dǎo)電層215c中出現(xiàn)裂縫或者在第一導(dǎo)電層215c中出現(xiàn)諸如斷開的缺陷。另外，第二導(dǎo)電層213a和213b可包括延伸率比第一導(dǎo)電層215c的延伸率低并且電學(xué)特性/物理特性與第一區(qū)1a或第二區(qū)2a中的第一導(dǎo)電層215c的電學(xué)特性/物理特性不同的材料。這樣，可改善顯示設(shè)備中傳輸電信號的效率，或者可減少制造工藝期間的缺陷率。例如，第二導(dǎo)電層213a和213b可包括鉬，第一導(dǎo)電層215c可包括鋁。如果需要，第一導(dǎo)電層215c以及第二導(dǎo)電層213a和213b可具有多層結(jié)構(gòu)。

與圖2中示出的示例不同，第二導(dǎo)電層213b的位于第二區(qū)2a中的上表面可不被平坦化層140至少部分地覆蓋，而是可暴露到外部，以電連接到各種電子器件或印刷電路板。

應(yīng)力中和層(snl)600可位于顯示區(qū)da外部。換言之，snl600可位于第一導(dǎo)電層215c上方，以至少與彎曲區(qū)ba對應(yīng)。

當(dāng)使堆疊結(jié)構(gòu)彎曲時，在堆疊結(jié)構(gòu)中存在應(yīng)力中和平面。如果不存在snl600，那么當(dāng)基底100彎曲時，因為第一導(dǎo)電層215c的位置不會與應(yīng)力中和平面對應(yīng)，所以會對彎曲區(qū)ba中的第一導(dǎo)電層215c施加過多的拉應(yīng)力。然而，通過形成snl600并調(diào)節(jié)snl600的厚度和模量，可調(diào)節(jié)包括基底100、第一導(dǎo)電層215c和snl600等的堆疊結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力中和平面的位置。因此，應(yīng)力中和平面可被調(diào)節(jié)為位于第一導(dǎo)電層215c的位置周圍，因此，可減少施加到第一導(dǎo)電層215c的拉應(yīng)力。

與圖2中示出的示例不同，snl600可在顯示設(shè)備中延伸到基底100的端部。例如，在第二區(qū)2a中，第一導(dǎo)電層215c、第二導(dǎo)電層213b和/或電連接到第一導(dǎo)電層215c和第二導(dǎo)電層213b的其它導(dǎo)電層可不被層間絕緣層130或平坦化層140至少部分地覆蓋，而是可電連接到各種電子器件或印刷電路板。因此，第一導(dǎo)電層215c、第二導(dǎo)電層213b和/或電連接到第一導(dǎo)電層215c和第二導(dǎo)電層213b的其它導(dǎo)電層可具有電連接到各種電子器件或印刷電路板的部分。就這一點而言，因為電連接的部分需要被保護免受諸如外部濕氣的雜質(zhì)的影響，所以snl600可覆蓋電連接的部分，并因此還用作保護層。例如，snl600可延伸到顯示設(shè)備的基底100的端部。

雖然在圖2中snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的上表面與偏振板520的上表面(在+z方向上)一致，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的端部可部分地覆蓋位于偏振板520的邊緣處的上表面。另一方面，snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的端部可不接觸偏振板520和/或透光粘合劑(例如，oca510)。在后者情形中，在形成snl600期間或之后，可防止由于從snl600產(chǎn)生的氣體朝向顯示區(qū)da(-x方向)運動而造成的顯示器件300(例如，有機發(fā)光器件)的劣化。

如圖2中所示，當(dāng)snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的上表面與偏振板520的上表面(在+z方向)一致時，snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的端部部分地覆蓋位于偏振板520的邊緣處的上表面，或者snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的端部接觸oca510，snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的部分可以比snl600的其它部分厚。因為可應(yīng)用液相材料或膏型材料并將其硬化以形成snl600，所以在硬化工藝期間可減少snl600的體積。就這一點而言，當(dāng)snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的部分與偏振板520和/或oca510接觸時，snl600的那個部分被固定在那個位置處，因此，在snl600的保留部分中發(fā)生體積減小。結(jié)果，snl600的在朝向顯示區(qū)da的方向(-x方向)上的部分可比snl600的其它部分厚。

圖3a至圖3d均是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的剖視圖。詳細地，圖3a至圖3d均是示意性地示出彎曲區(qū)ba和相鄰區(qū)的剖視圖。

參照圖3a，有機材料層160的預(yù)定的寬度orw大于彎曲區(qū)ba的寬度，有機材料層160具有平緩傾斜的堤形。有機材料層160的外圍部160b的厚度t2可沿遠離中心部160a的方向逐漸減小。此外，中心部160a的厚度t1可沿從中心部160a的中心區(qū)朝向外圍部160b的方向逐漸減少。可存在各種修改，諸如，例如，中心部160a的厚度t1可基本均勻并且僅外圍部160b的厚度t2沿遠離中心部160a的方向逐漸減小。因此，外圍部160b的上表面可具有平緩的傾斜。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層的上表面與外圍部160b的上表面之間的角度可小于或等于45度。

有機材料層160可通過各種方法形成。例如，可使用光致抗蝕劑材料來形成有機材料層160，在制造工藝期間，通過使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模等，曝光量可相對于仍然具有大致平坦的上表面的有機材料層160的中心部160a和外圍部160b變化，使得某一部分可比其它部分被蝕刻(去除)得相對多。因此，可逐漸改變中心部160a和/或外圍部160b的厚度。此外，可通過熱回流工藝允許有機材料層160向下流，因此，可調(diào)節(jié)有機材料層160的邊緣區(qū)的傾斜角。

如上所述，外圍部160b的上表面可具有平緩的傾斜，因此，當(dāng)為了形成第一導(dǎo)電層215c而使導(dǎo)電層圖案化時，可有效地去除保留的導(dǎo)電材料。

參照圖3b，有機材料層160可具有包括第一有機材料層161和第二有機材料層163的堆疊的(或堆疊)結(jié)構(gòu)，第一有機材料層161具有第一寬度orw1，第二有機材料層163具有比第一寬度orw1小的第二寬度orw2。就這一點而言，第二寬度orw2可大于彎曲區(qū)ba的寬度。因此，中心部160a可具有基本均勻的厚度t1，第一有機材料層161和第二有機材料層163可具有階梯，因此，外圍部160b的上表面可具有平緩的傾斜。雖然圖3b示出有機材料層160包括兩個層的示例，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此?？蛇x擇地，有機材料層160可包括彼此堆疊的具有不同寬度多個層，使得外圍部160b的上表面可具有平緩的傾斜。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，外圍部160b的上表面可相對于無機絕緣層的上表面具有大約45度或更小的傾斜。

如上所述，外圍部160b的上表面可具有平緩的傾斜，因此，當(dāng)為了形成第一導(dǎo)電層215c而將導(dǎo)電層圖案化時，可有效地去除保留的導(dǎo)電材料。

參照圖3c和圖3d，有機材料層160可在其上表面(在+z方向上)中至少部分地具有不平坦的表面160s。圖3c示出不平坦的表面160s僅形成在有機材料層160的中心部160a中的示例。圖3d示出不平坦的表面160s形成在有機材料層160的整個上表面上方的示例?？刹煌匦薷男纬捎胁黄教沟谋砻?60s的區(qū)域。

由于有機材料層160包括不平坦的表面160s，因此位于有機材料層160上的第一導(dǎo)電層215c可具有與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀的上表面和/或下表面。

如上所述，由于當(dāng)基底100在制造工藝期間在彎曲區(qū)ba處彎曲時，拉應(yīng)力會被施加到第一導(dǎo)電層215c，所以當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層215c的上表面和/或下表面具有與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀時，可減小施加到第一導(dǎo)電層215c的拉應(yīng)力的量。換言之，可經(jīng)由具有較低硬度的有機材料層160的形狀的變形來減少會在彎曲工藝期間產(chǎn)生的拉應(yīng)力。就這一點而言，在彎曲工藝之前具有不平坦的形狀的第一導(dǎo)電層215c可轉(zhuǎn)變成與有機材料層160的由于彎曲工藝而變形的形狀對應(yīng)，因此，可有效地防止發(fā)生諸如第一導(dǎo)電層215c斷開的缺陷。

此外，不平坦的表面160s可至少部分地形成在有機材料層160的上表面(在+z方向上)中，因此，可增大有機材料層160的上表面的表面面積和第一導(dǎo)電層215c的上表面和下表面的表面面積。有機材料層160的上表面和第一導(dǎo)電層215c的上表面和下表面的大的表面面積可表示變形裕量足夠大以減小因基底100彎曲而導(dǎo)致的拉應(yīng)力。

由于第一導(dǎo)電層215c位于有機材料層160上，因此第一導(dǎo)電層215c的下表面具有與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀。然而，第一導(dǎo)電層215c的上表面可具有不平坦的表面，該不平坦的表面具有獨立于有機材料層160的不平坦的表面160s的形狀的形狀。

例如，在有機材料層160上形成導(dǎo)電材料層之后，在導(dǎo)電材料層上涂覆光致抗蝕劑，通過使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模等，根據(jù)光致抗蝕劑的位置，在改變曝光量時使光致抗蝕劑顯影。因此，蝕刻由于光致抗蝕劑的顯影而暴露的導(dǎo)電材料層，去除光致抗蝕劑，因此，形成第一導(dǎo)電層215c。由于通過使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模等使曝光量根據(jù)光致抗蝕劑的位置而改變，導(dǎo)電材料層的蝕刻程度可根據(jù)導(dǎo)電材料層的位置而改變。因此，可在第一導(dǎo)電層215c的上表面上人工地形成不平坦的表面，在這種情況下，第一導(dǎo)電層215c的上表面可具有不平坦的表面，該不平坦的表面具有獨立于有機材料層160的不平坦的表面160s的形狀的形狀?？蓤?zhí)行關(guān)于下面描述的示例性實施例的相似工藝。即使如上所述地執(zhí)行在第一導(dǎo)電層215c的上表面上人工形成不平坦的表面的工藝，第一導(dǎo)電層215c的上表面上的不平坦的表面仍可與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)。

圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。雖然無機絕緣層目前已被描述為在與有機絕緣層疊置的區(qū)域中具有平坦的上表面，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，如圖4中所示，無機絕緣層可包括在與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的位置處的凹槽。

參照圖4，緩沖層110可貫穿第一區(qū)1a、彎曲區(qū)ba和第二區(qū)2a連續(xù)地形成。另外，柵極絕緣層120可具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的開口120a，層間絕緣層130也可具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的開口130a。因此，包括緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的無機絕緣層可被構(gòu)造為具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的凹槽?？蛇x擇地，無機絕緣層可包括不同類型的凹槽。可存在諸如以緩沖層110的上表面(在+z方向上)可被部分地去除或者柵極絕緣層120的下表面(在–z方向上)不可以被去除而是可保留的為例的各種修改。凹槽的形成可與用于形成接觸孔c1和c2的圖案化工藝同時發(fā)生，所述接觸孔c1和c2用于將tft210的源電極215a和漏電極215b連接到半導(dǎo)體層211。

與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的凹槽可表示凹槽與彎曲區(qū)ba疊置。就這一點而言，凹槽的面積可大于彎曲區(qū)ba的面積。為了達到這個目的，凹槽的寬度gw大于彎曲區(qū)ba的寬度，如圖4中所示。就這一點而言，凹槽的面積可被限定為其中開口(開口120a和開口130a之中的開口)是最小的面積。在圖4中，凹槽的面積由柵極絕緣層120中的開口120a的面積限定。

在根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備中，有機材料層160布置在無機絕緣層與第一導(dǎo)電層215c之間，并包括與彎曲區(qū)ba疊置的中心部160a和從中心部160a延伸的外圍部160b。換言之，外圍部160b指不與彎曲區(qū)ba疊置的區(qū)域。此外，有機材料層160的中心部160a的平均厚度<t1>大于外圍部160b的平均厚度<t2>。由于凹槽與彎曲區(qū)ba疊置，所以有機材料層160填充凹槽。盡管中心部160a的平均厚度<t1>大于外圍部160b的平均厚度<t2>，但是因為有機材料層160填充凹槽，所以中心部160a距離基底100的上表面的高度h1也可小于外圍部160b距離基底100的上表面的高度h2。

雖然為了便于描述，圖4示出顯示設(shè)備不彎曲，但是顯示設(shè)備實際處于基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲的狀態(tài)，如圖1中所示。為了達到這個目的，在制造工藝期間，如圖4中所示，在基底100大致平坦的狀態(tài)下制造顯示設(shè)備，然后，使基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲，使得顯示設(shè)備可大致具有如圖1中所示的形狀。就這一點而言，在基底100在彎曲區(qū)ba處彎曲時可對第一導(dǎo)電層215c施加拉應(yīng)力，但是在根據(jù)本示例性實施例的顯示設(shè)備中，無機絕緣層在彎曲區(qū)ba中具有凹槽，第一導(dǎo)電層215c的與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的部分位于至少部分地填充無機絕緣層中的凹槽的有機材料層160上。因此，可防止或減少在第一導(dǎo)電層215c的與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的部分中出現(xiàn)裂縫。

由于無機絕緣層具有比有機材料層160的硬度高的硬度，因此彎曲區(qū)ba中的無機絕緣層更可能具有裂縫。當(dāng)無機絕緣層破裂時，存在裂縫會擴散到第一導(dǎo)電層215c的可能性高。雖然有機材料層160可阻擋裂縫擴散，但是形成在無機絕緣層中的凹槽可進一步減少無機絕緣層具有裂縫的可能性。因此，可在第一導(dǎo)電層215c上集中更小的拉應(yīng)力。

如圖4中所示，有機材料層160可覆蓋無機絕緣層中凹槽的內(nèi)表面。可通過在基底100的整個表面上形成導(dǎo)電材料層然后將此導(dǎo)電材料層圖案化來形成顯示設(shè)備的各種布線。如果有機材料層160不覆蓋柵極絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或者層間絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面(例如，凹槽)，那么在將導(dǎo)電材料層圖案化期間，導(dǎo)電材料不可被去除而是可保留在開口120a或開口130a的內(nèi)表面上。在這種情況下，保留的導(dǎo)電材料會導(dǎo)致與其它導(dǎo)電層的電短路。因此，覆蓋凹槽的內(nèi)表面的有機材料層160可防止此。

有機材料層160的中心部160a的距離基底100的上表面的高度h1可大于無機絕緣層的距離基底100的上表面的高度h。在這種情況下，可調(diào)節(jié)外圍部160b的厚度t2，使得外圍部160b的上表面可具有相對于無機絕緣層的上表面的平緩的傾斜。如圖2中所示，外圍部160b的厚度t2沿遠離中心部160a的方向減小。此外，外圍部160b的至少一部分可具有比中心部160a的厚度t1小的均勻的厚度t2。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，外圍部160b的上表面與無機絕緣層的上表面之間的角度可以在45度內(nèi)。

如上所述，由于第一導(dǎo)電層215c可包括與源電極215a和漏電極215b的材料基本相同的材料，并可與源電極215a和漏電極215b同時形成，導(dǎo)電層可形成在基底100的整個表面上，然后被圖案化以形成源電極215a、漏電極215b和第一導(dǎo)電層215c。當(dāng)無機絕緣層的上表面與有機材料層160的上表面交匯的邊界區(qū)的傾斜不平緩時，在將導(dǎo)電層圖案化時，不能將導(dǎo)電材料從邊界區(qū)去除，而導(dǎo)電材料可保留在在邊界區(qū)上。在這種情況下，保留的導(dǎo)電材料會導(dǎo)致與其它導(dǎo)電層的電短路。

因此，當(dāng)形成有機材料層160時，外圍部160b的上表面可相對于無機絕緣層的上表面具有平緩的傾斜。因此，當(dāng)為了形成源電極215a、漏電極215b和第一導(dǎo)電層215c而將導(dǎo)電層圖案化時，可有效地去除保留的導(dǎo)電材料。

圖5a至圖5d均是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的剖視圖。詳細地，圖5a至圖5d均是示意性地示出彎曲區(qū)ba和相鄰區(qū)的剖視圖。

參照圖5a，由于有機材料層160的中心部160a距離基底100的上表面的高度h1大于無機絕緣層距離基底100的上表面的高度h，所以有機材料層160通常比無機絕緣層的上表面高。換言之，有機材料層160具有平緩傾斜的堤形。

有機材料層160的外圍部160b距離基底100的上表面的高度h2可沿遠離中心部160a的方向逐漸減小。此外，高度h1可沿從中心部160a的中心區(qū)到外圍部160b的方向逐漸減小。例如，可存在諸如中心部160a的厚度t1可基本均勻和僅外圍部160b的厚度t2沿遠離中心部160a的方向逐漸減少的各種修改。因此，外圍部160b的上表面可具有相對于無機絕緣層的上表面的平緩的傾斜。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層的上表面與外圍部160b的上表面之間的角度可小于或等于45度。

有機材料層160可通過各種方法形成。例如，可使用光致抗蝕劑材料來形成有機材料層160，在制造工藝期間，通過使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模等，曝光量可相對于仍然具有大致平坦的上表面的有機材料層160的中心部160a和外圍部160b變化，使得某一部分可比其它部分被蝕刻(去除)得相對多。因此，可逐漸改變中心部160a和/或外圍部160b的厚度。此外，可通過熱回流工藝允許有機材料層160向下流，因此，可調(diào)節(jié)有機材料層160的邊緣區(qū)的傾斜角。

如上所述，外圍部160b的上表面可具有相對于無機絕緣層的上表面的平緩的傾斜，因此，當(dāng)為了形成第一導(dǎo)電層215c而將導(dǎo)電層圖案化時，可有效地去除保留的導(dǎo)電材料。

參照圖5b，有機材料層160的中心部160a距離基底100的上表面的高度h1可小于無機絕緣層距離基底100的上表面的高度h。此外，外圍部160b可覆蓋凹槽的內(nèi)表面并延伸到無機絕緣層的上表面。雖然，在外圍部160b覆蓋凹槽的內(nèi)表面的部分中或者在外圍部160b位于無機絕緣層的上表面的部分中，外圍部160b距離基底100的上表面的高度h2可大于高度h1，但是外圍部160b的厚度t2可沿遠離中心部160a的方向減小。

因此，外圍部160b的上表面可相對于無機絕緣層的上表面具有平緩的傾斜。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層的上表面與外圍部160b的上表面之間的角度可以小于或等于45度。

如上所述，外圍部160b的上表面可相對于無機絕緣層的上表面具有平緩的傾斜，因此，當(dāng)將導(dǎo)電層圖案化以形成第一導(dǎo)電層215c時，可有效地去除保留的導(dǎo)電材料。

參照圖5c和圖5d，有機材料層160可在其上表面(在+z方向上)中至少部分地具有不平坦的表面160s。圖5c示出不平坦的表面160s僅形成在有機材料層160的中心部160a中的示例。圖5d示出不平坦的表面160s主要形成在中心部160a中使得不平坦的表面160s的面積可大于中心部160a的面積的示例。在圖5d中，不平坦的表面160s的寬度uew大于彎曲區(qū)ba的寬度?？刹煌匦薷男纬捎胁黄教沟谋砻?60s的區(qū)域。例如，不平坦的表面160s可形成在有機材料層160的整個上表面上方。

由于有機材料層160包括不平坦的表面160s，因此位于有機材料層160上的第一導(dǎo)電層215c可具有與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀的上表面和/或下表面。

如上所述，由于當(dāng)基底100在制造工藝期間在彎曲區(qū)ba處彎曲時，拉應(yīng)力會被施加到第一導(dǎo)電層215c，所以當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層215c的上表面和/或下表面具有與不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀時，可減小施加到第一導(dǎo)電層215c的拉應(yīng)力的量。換言之，可經(jīng)由具有較低硬度的有機材料層160的形狀的變形來減小會在彎曲工藝期間產(chǎn)生的拉應(yīng)力。就這一點而言，在彎曲工藝之前具有不平坦的形狀的第一導(dǎo)電層215c可轉(zhuǎn)變成與有機材料層160的由于彎曲工藝而變形的形狀對應(yīng)，因此，可有效地防止發(fā)生諸如第一導(dǎo)電層215c斷開的缺陷。

此外，不平坦的表面160s至少部分地形成在有機材料層160的上表面(在+z方向上)中，因此，可增大有機材料層160的上表面的表面面積和第一導(dǎo)電層215c的上表面和下表面的表面面積。有機材料層160的上表面和第一導(dǎo)電層215c的上表面和下表面的大的表面面積可表示變形裕量足夠大以減小因基底100彎曲而導(dǎo)致的拉應(yīng)力。

由于第一導(dǎo)電層215c位于有機材料層160上，因此第一導(dǎo)電層215c的下表面具有與有機材料層160的不平坦的表面160s對應(yīng)的形狀。然而，第一導(dǎo)電層215c的上表面可具有不平坦的表面，該不平坦的表面具有獨立于不平坦的表面160s的形狀的形狀。

參照圖5e，緩沖層110可包括包含第一緩沖層111和第二緩沖層112的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，第一緩沖層111可橫跨第一區(qū)1a、彎曲區(qū)ba和第二區(qū)2a連續(xù)地延伸。第二緩沖層112的上表面(在+z方向上)可從彎曲區(qū)ba被部分地去除。另外，柵極絕緣層120可具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的開口120a，層間絕緣層130也可具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的開口130a。因此，包括緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的無機絕緣層可被構(gòu)造為具有與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的凹槽。

上述結(jié)構(gòu)可允許第二緩沖層112的一部分也在開口120a和開口130a分別形成在柵極絕緣層120和層間絕緣層130中期間的蝕刻工藝中被蝕刻。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，無機絕緣層可包括不同類型的凹槽。可存在各種修改，例如，可不去除而是可保留柵極絕緣層120的下表面(在–z方向上)。凹槽的形成可與用于形成接觸孔c1和c2的圖案化工藝同時發(fā)生，所述接觸孔c1和c2用于將tft210的源電極215a和漏電極215b連接到半導(dǎo)體層211。

關(guān)于以下描述的示例性實施例，為了便于描述，無機絕緣層在與有機材料層160疊置的區(qū)域中具有平坦的上表面。然而，示例性實施例可反而具有有凹槽的無機絕緣層，如上所述。

圖6是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。參照圖6，顯示設(shè)備還可包括用于保護基底100的保護膜170。保護膜170是用于保護基底100的下表面的下保護膜，如圖6中所示，保護膜170可包括開口170op。開口170op與彎曲區(qū)ba對應(yīng)，開口170op的面積可大于彎曲區(qū)ba的面積。在圖6中，開口170op的寬度大于彎曲區(qū)ba的寬度。

由于保護膜170保護基底100的下表面，因此保護膜170可具有它自己的強度。因此，當(dāng)保護膜170具有低水平的柔性時，保護膜170可在基底100彎曲時與基底100分離或分開。因此，如圖6中所示，當(dāng)保護膜170包括與彎曲區(qū)ba對應(yīng)的開口170op時，可有效地防止保護膜170與基底100之間的這樣的分離的發(fā)生。因此，如上所述，保護膜170中的開口170op的面積大于彎曲區(qū)ba的面積以防止此分離。

然而，考慮到保護膜170必須盡可能地保護基底100的下表面，可需要減少保護膜170中的開口170op的面積。因此，保護膜170中的開口170op的面積可大于彎曲區(qū)ba的面積，但是可小于有機材料層160的面積。因此，在圖6中，開口170op的寬度大于彎曲區(qū)ba的寬度，但是小于有機材料層160的預(yù)定的寬度orw。具有上述形狀的保護膜170可施加到以上和以下描述的示例性實施例的顯示設(shè)備。

如果需要，與圖6中示出的保護膜170不同，保護膜170可不覆蓋基底100的邊緣。換言之，保護膜170可不在第二區(qū)2a中。

在以上描述的示例性實施例中，第一導(dǎo)電層215c在基本同一時間由與tft210的源電極215a或漏電極215b的材料基本相同的材料形成。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

例如，如根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖的圖7中所示，具有各種圖案的觸摸電極710可位于包封層400上方，以實現(xiàn)觸摸屏功能。當(dāng)形成觸摸電極710時，可通過使用與觸摸電極710的材料基本相同的材料同時地形成第一導(dǎo)電層215c。此外，當(dāng)形成用于保護觸摸電極710的觸摸保護層720時，可同時地形成覆蓋第一導(dǎo)電層215c的保護層。如果需要，觸摸保護層720可從顯示區(qū)da整體地延伸到至少彎曲區(qū)ba，如圖7中所示。與觸摸電極710同時形成的第一導(dǎo)電層215c可被施加到以上或以下描述的示例性實施例的顯示設(shè)備。與以上示例不同，第一導(dǎo)電層215c可反而通過使用與對向電極330的材料基本相同的材料同時地形成。

在這種情況下，當(dāng)形成包括在顯示區(qū)da中的有機材料層時，可使用與顯示區(qū)da中的有機材料層的材料基本相同的材料形成有機材料層160。例如，當(dāng)使用有機材料形成平坦化層140時，可通過使用與平坦化層140的材料基本相同的材料與平坦化層140同時地形成有機材料層160。作為另一示例，可通過使用與像素限定層150的材料基本相同的材料與像素限定層150同時地形成有機材料層160。作為另一示例，可通過使用與包封層400的有機包封層420的材料基本相同的材料與包封層400的有機包封層420同時地形成有機材料層160。

另外，可存在各種修改，例如，當(dāng)使用絕緣有機材料形成層間絕緣層130時，可通過使用與層間絕緣層130的材料基本相同的材料與層間絕緣層130同時地形成有機材料層160。如果需要，可通過單獨的工藝形成有機材料層160而與平坦化層140無關(guān)。

通過使用與包括在顯示區(qū)da中的有機材料層的材料基本相同的材料與有機材料層同時地形成的有機材料層160可相似地應(yīng)用到以上或以下描述的示例性實施例的顯示設(shè)備。

就這一點而言，如上所述，可通過使用與觸摸電極710的材料基本相同的材料與觸摸電極710同時地形成第一導(dǎo)電層215c。在這種情況下，觸摸保護層720可覆蓋第一導(dǎo)電層215c?？蛇x擇地，除了觸摸保護層720之外，針對觸摸屏功能，可需要另一有機絕緣層。例如，除了觸摸電極710之外，可存在另一附加的觸摸電極，有機絕緣層可位于觸摸電極710與另一附加的觸摸電極之間。在這種情況下，有機絕緣層可以延伸并覆蓋第一導(dǎo)電層215c，或通過使用與有機絕緣層的材料基本相同的材料與有機絕緣層同時地形成的層可覆蓋第一導(dǎo)電層215c。

可存在各種修改，例如，第一導(dǎo)電層215c可通過使用與源電極215a或漏電極215b而不是觸摸電極710的材料基本相同的材料與源電極215a或漏電極215b同時地形成。在這種情況下，第一導(dǎo)電層215c可被平坦化層140或另一絕緣層覆蓋。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的示意性剖視圖。參照圖8，顯示設(shè)備的基底100可具有多層結(jié)構(gòu)?；?00可包括包含第一樹脂層101、阻擋層102、中間層103和第二樹脂層104的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一樹脂層101和第二樹脂層104均可包括諸如pes、聚丙烯酸酯、pei、pen、pet、pps、par、pi、pc或cap的聚合物樹脂。

阻擋層102可設(shè)置在第一樹脂層101和第二樹脂層104之間以防止?jié)駳饣蜓醯臐B透。阻擋層102可包括諸如金屬氧化物、氮化硅或氧化硅的無機材料。阻擋層102可包括單層膜或者可包括彼此堆疊的多層膜。

中間層103可設(shè)置在阻擋層102與第二樹脂層104之間，以增強阻擋層102與第二樹脂層104之間的粘附。中間層103可包括諸如非晶硅、氧化銦錫(ito)、al、ti和/或mo的非晶材料。然而，中間層103的材料不限于此，可使用可以增強阻擋層102與第二樹脂層104之間的粘附的任何材料，以形成中間層103。另外，如果需要，基底100可包括附加的樹脂層、阻擋層和中間層。

如上所述，與在基底100具有單層結(jié)構(gòu)時相比，當(dāng)基底100具有多層結(jié)構(gòu)時，可更有效地阻擋濕氣或氧的滲透路徑，因此，可防止或減少在顯示器件300中的缺陷的發(fā)生。此外，根據(jù)本示例性實施例的基底100可采用中間層103以防止阻擋層102與第二樹脂層104之間的剝落。在以上已描述的示例性實施例中，第一導(dǎo)電層215c可沿第二方向(+x方向)延伸，并與有機材料層160的上表面的不平坦的表面160s的突起延伸所沿的第一方向(+y方向)交叉。交叉角可以是如圖9a中示出的90度，或者可以不是90度，如圖9b中所示，圖9a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的部分地示出顯示設(shè)備的概念上的平面圖。圖9a和圖9b的附圖標(biāo)記gd表示有機材料層160的上表面的不平坦的表面160s延伸所沿的方向。與圖9a相反，雖然圖9b中示出的不平坦的表面160s延伸所沿的方向相對于第二方向(+x方向)傾斜，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，不平坦的表面160s延伸所沿的方向可以是第一方向(+y方向)，第一導(dǎo)電層215c的延伸方向可以不是第二方向(+x方向)而是相對于第二方向(+x方向)傾斜的方向(例如，相對于第二方向(+x方向)具有45度的角的方向)。當(dāng)存在多個第一導(dǎo)電層215c時，多個第一導(dǎo)電層215c中的一些第一導(dǎo)電層215c相對于第二方向(+x方向)的角度可以不同于多個第一導(dǎo)電層215c中的剩余的第一導(dǎo)電層215c相對于第二方向(+x方向)的角度。

另外，雖然在圖9a和圖9b中第一導(dǎo)電層215c沿第二方向(+x方向)直地延伸，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此?？纱嬖诟鞣N修改，例如，如圖9c中所示，第一導(dǎo)電層215c可彎曲地向左和向右或者可以是在第一方向(+y方向)與第二方向(+x方向)彼此交叉的平面(xy平面)上的波狀形。

根據(jù)以上描述的發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，可保證顯示設(shè)備的較長的壽命，并可在制造顯示設(shè)備時減少諸如斷開的缺陷的發(fā)生。

盡管已參照發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例示出并描述了發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的如權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以對其做出形式和細節(jié)上的各種改變。