實施方式涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是用于實施溫度分布調(diào)整的過程和裝置。

背景技術(shù)：

1、熱氧化過程通常在快速熱處理(rtp)工具上實施。rtp工具包括用于加熱下方的基板的燈陣列。在許多現(xiàn)代rtp工具中，這些燈在多個區(qū)中被控制。這些區(qū)通常從rtp工具的中心向外徑向延伸。例如，在一些實現(xiàn)方式中，可以使用三個或更多個燈區(qū)。此外，可以通過一個或多個溫度傳感器(例如高溫計)提供的反饋來通知對加熱的控制。在一些情況下，高溫計的數(shù)量與燈區(qū)的數(shù)量不同。也就是說，單一高溫計可以用來測量與超過一個的燈區(qū)對應(yīng)的溫度。因此，溫度控制的分辨率可能是次優(yōu)的。

2、在一特定的實例中，最好能有中心平坦的溫度分布。中心平坦的溫度分布是指整個基板中心部分上的溫度實質(zhì)上是平坦的。中心平坦的溫度分布可以使氧化物厚度在整個基板中心上相對恒定。然而，由于是使用單個高溫計來向基板中心提供反饋控制，基板中心處的燈區(qū)并沒有個別的反饋控制。因此，難以提供中心平坦的分布。同樣，使用現(xiàn)有的解決方案也難以實現(xiàn)其他的溫度分布(例如，邊緣冷，或邊緣熱)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文揭露的實施方式包括一種設(shè)定目標分布的方法。在一實施方式中，該方法包括：針對一個或多個溫度傳感器偏移獲得第一增益曲線；以及針對一個或多個區(qū)乘數(shù)獲得第二增益曲線。在一實施方式中，該方法進一步包括：將該第一增益曲線和該第二增益曲線結(jié)合到熱模型中。在一實施方式中，該方法進一步包括：獲得參考數(shù)據(jù)集；以及使用該熱模型來產(chǎn)生溫度傳感器偏移和/或區(qū)乘數(shù)，以應(yīng)用于該參考數(shù)據(jù)集，從而產(chǎn)生該目標分布。

2、本文揭露的實施方式還可以包括一種半導(dǎo)體處理工具。在一實施方式中，該半導(dǎo)體處理工具可以包括：處理腔室；燈陣列，位于該處理腔室之上，其中該燈陣列包括多個燈區(qū)；以及多個溫度傳感器，其中溫度傳感器的數(shù)量小于燈區(qū)的數(shù)量。在一實施方式中，該半導(dǎo)體處理工具可以進一步包括：熱模型，用于產(chǎn)生溫度傳感器偏移和/或區(qū)乘數(shù)，這些溫度傳感器偏移和/或這些區(qū)乘數(shù)被配置為產(chǎn)生目標溫度分布。

3、本文揭露的實施方式還可以包括一種用于設(shè)定熱處理腔室中的目標溫度分布的方法。在一實施方式中，該方法可以包括：針對多個溫度傳感器的一個或多個溫度傳感器偏移獲得第一增益曲線；以及針對用于多個燈區(qū)的一個或多個區(qū)乘數(shù)獲得第二增益曲線，其中區(qū)乘數(shù)的數(shù)量大于溫度傳感器的數(shù)量。在一實施方式中，該方法可以進一步包括：將該第一增益曲線和該第二增益曲線結(jié)合到熱模型中；獲得參考數(shù)據(jù)集；以及使用該熱模型來產(chǎn)生溫度傳感器偏移和/或區(qū)乘數(shù)，以應(yīng)用于該參考數(shù)據(jù)集，從而產(chǎn)生該目標溫度分布。

技術(shù)特征：

1.一種設(shè)定目標分布的方法，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分布是邊緣熱分布。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分布是邊緣冷分布。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分布是中心平坦分布。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一增益曲線包括用于三個或更多個溫度傳感器的溫度傳感器偏移。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二增益曲線包括用于四個或更多個區(qū)的區(qū)乘數(shù)。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中溫度傳感器的數(shù)量小于區(qū)的數(shù)量。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中第一溫度傳感器測量基板的一區(qū)域的溫度，所述區(qū)域由超過一個區(qū)控制。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述參考數(shù)據(jù)集是通過先前處理的基板的計量獲得的。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述參考數(shù)據(jù)集是先前從所述熱模型計算出來的值。

11.一種半導(dǎo)體處理工具，包括：

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述溫度分布是邊緣熱分布。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述溫度分布是邊緣冷分布。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述溫度分布是中心平坦分布。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述半導(dǎo)體處理工具是熱氧化工具。

16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述熱模型接收針對一個或多個溫度傳感器偏移的第一增益曲線和針對一個或多個區(qū)乘數(shù)的第二增益曲線的通知。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體處理工具，其中所述第一增益曲線包括用于三個或更多個溫度傳感器的溫度傳感器偏移，并且其中所述第二增益曲線包括用于四個或更多個燈區(qū)的區(qū)乘數(shù)。

18.一種用于設(shè)定熱處理腔室中的目標溫度分布的方法，所述方法包括：

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述溫度分布是邊緣熱分布、邊緣冷分布或中心平坦分布。

20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述參考數(shù)據(jù)集是從先前處理的基板的計量獲得的。

技術(shù)總結(jié)
本文揭露的實施方式包括一種設(shè)定目標分布的方法。在一實施方式中，該方法包括：針對一個或多個溫度傳感器偏移獲得第一增益曲線；以及針對一個或多個區(qū)乘數(shù)獲得第二增益曲線。在一實施方式中，該方法進一步包括：將該第一增益曲線和該第二增益曲線結(jié)合到熱模型中。在一實施方式中，該方法進一步包括：獲得參考數(shù)據(jù)集；以及使用該熱模型來產(chǎn)生溫度傳感器偏移和/或區(qū)乘數(shù)，以應(yīng)用于該參考數(shù)據(jù)集，從而產(chǎn)生該目標分布。

技術(shù)研發(fā)人員：王一,沃爾夫?qū)ぐ⒌禄魻柕?br/>受保護的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/20