本發(fā)明涉及基片處理裝置和基片處理方法。

背景技術(shù)：

1、在半導體晶片等基片的表面形成集成電路的層疊結(jié)構(gòu)的半導體裝置的制造中，進行藥液清洗或濕式蝕刻等液處理。近年來，為了更可靠地防止不斷推進微細化引起的圖案的倒塌，近年來，正在使用在作為液處理的最終工序的干燥工序中使用超臨界狀態(tài)的處理流體的干燥方法(例如參照專利文獻1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：國際公開wo2023/013435

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一種能夠降低超臨界干燥后的基片的微粒水平的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

4、根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，能夠提供一種基片處理裝置，其包括：能夠使用超臨界狀態(tài)的處理流體進行基片的處理的處理容器；用于向所述處理容器供給處理流體的處理流體供給部；和控制部，所述處理流體供給部包括：向所述處理容器內(nèi)釋放所述處理流體的第1流體釋放部；向所述處理容器內(nèi)釋放所述處理流體的第2流體釋放部；向所述第1流體釋放部供給所述處理流體的第1供給管線；設置于所述第1供給管線的第1開閉閥；向所述第2流體釋放部供給所述處理流體的第2供給管線；設置于所述第2供給管線的第2開閉閥；和能夠調(diào)節(jié)處于比所述第2供給管線的所述第2開閉閥靠上游側(cè)的位置的所述處理流體的密度的密度調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述控制部構(gòu)成為能夠控制所述基片處理裝置執(zhí)行下述工序：第1工序，至少在從開始向所述處理容器供給所述處理流體起至所述處理容器內(nèi)的壓力上升而所述處理容器內(nèi)的所述處理流體成為超臨界狀態(tài)為止的期間的第1期間，使所述第1開閉閥成為打開狀態(tài)并且使所述第2開閉閥成為關閉狀態(tài)，經(jīng)由所述第1供給管線向所述第1流體釋放部供給所述處理流體；第2工序，至少在所述處理容器內(nèi)的所述處理流體成為超臨界狀態(tài)后的第2期間，使所述第1開閉閥成為關閉狀態(tài)并且使所述第2開閉閥成為打開狀態(tài)，以比在所述第1期間從所述第1供給管線向所述第1流體釋放部供給的所述處理流體的流量大的流量，經(jīng)由所述第2供給管線向所述第2流體釋放部供給所述處理流體；和密度調(diào)節(jié)工序，在所述第1供給期間結(jié)束后且在所述第2供給期間開始前，通過所述密度調(diào)節(jié)機構(gòu)使管線內(nèi)密度與容器內(nèi)密度之差小于預先決定的閾值，其中，所述管線內(nèi)密度定義為處于比所述第2供給管線的所述第2開閉閥靠上游側(cè)的區(qū)域的所述處理流體的密度，所述容器內(nèi)密度定義為處于所述處理容器內(nèi)的所述處理流體的密度。在本說明書中，也可以將“管線”稱為“線路”。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本發(fā)明的上述的一個實施方式，能夠降低超臨界干燥后的基片的微粒水平。

技術(shù)特征：

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

3.如權(quán)利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

4.如權(quán)利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：

5.如權(quán)利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

6.如權(quán)利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

7.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

8.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于：

9.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

10.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

11.一種基片處理方法，其是使用基片處理裝置進行的基片處理方法，所述基片處理方法的特征在于：

12.如權(quán)利要求11所述的基片處理方法，其特征在于：

13.如權(quán)利要求12所述的基片處理方法，其特征在于：

14.如權(quán)利要求13所述的基片處理裝置，其特征在于：

15.如權(quán)利要求14所述的基片處理方法，其特征在于：

16.如權(quán)利要求14所述的基片處理方法，其特征在于：

17.如權(quán)利要求11所述的基片處理方法，其特征在于：

18.如權(quán)利要求17所述的基片處理方法，其特征在于：

19.如權(quán)利要求11所述的基片處理方法，其特征在于：

20.如權(quán)利要求11所述的基片處理方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及基片處理裝置和基片處理方法，基片處理裝置的控制部執(zhí)行：第1工序，在從開始向處理容器供給處理流體起至處理容器內(nèi)的壓力上升而處理容器內(nèi)的處理流體成為超臨界狀態(tài)為止的期間的第1期間，經(jīng)由第1供給管線和第1流體釋放部向處理容器供給處理流體；第2工序，在處理容器內(nèi)的處理流體成為超臨界狀態(tài)后的第2期間以比在第1工序中供向第1流體釋放部的處理流體的流量大的流量經(jīng)由第2供給管線和第2流體釋放部向處理容器供給處理流體；和密度調(diào)節(jié)工序，在第1工序結(jié)束后且第2工序開始前利用密度調(diào)節(jié)機構(gòu)使比第2供給管線的第2開閉閥靠上游側(cè)的區(qū)域的處理流體的密度與處理容器內(nèi)的處理流體的密度差小于預先決定閾值。

技術(shù)研發(fā)人員：五師源太郎
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8