本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、具有半導(dǎo)體器件的集成電路(ic)芯片對于許多現(xiàn)代電子器件至關(guān)重要。隨著電子技術(shù)的進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的尺寸變得越來越小，同時所具有的功能越來越強(qiáng)大并且集成電路數(shù)量也越來越多。由于半導(dǎo)體器件的小型化尺寸，先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝廣泛用于將多個ic芯片集成到單個多芯片封裝件中。除此之外，在半導(dǎo)體封裝件中集成多個ic芯片提供了具有較小形狀因子的更高密度的半導(dǎo)體器件，從而允許提高性能并降低功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：支撐結(jié)構(gòu)，包括與第二表面相對的第一表面；第一集成電路(ic)芯片，位于支撐結(jié)構(gòu)的第一表面上；蓋結(jié)構(gòu)，位于支撐結(jié)構(gòu)的第二表面上；以及蒸汽室，設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)中，并且位于第一ic芯片的至少部分上方。

2、本公開的另一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：中介層結(jié)構(gòu)，包括多個導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)；多個集成電路(ic)芯片，位于多個導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)上并且電耦到多個導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)；以及散熱結(jié)構(gòu)，位于多個ic芯片上，其中，散熱結(jié)構(gòu)包括：支撐結(jié)構(gòu)，位于多個ic芯片上；熱界面結(jié)構(gòu)，位于支撐結(jié)構(gòu)上；散熱器結(jié)構(gòu)，位于熱界面結(jié)構(gòu)上；以及一個或多個蒸汽室，嵌入支撐結(jié)構(gòu)中，其中，一個或多個蒸汽室分別包括具有第一寬度的面向多個ic芯片的底表面和具有第二寬度的面向散熱器結(jié)構(gòu)的頂表面，其中，第一寬度小于第二寬度。

3、本公開的又一實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：在中介層結(jié)構(gòu)上設(shè)置多個集成電路(ic)芯片；在支撐結(jié)構(gòu)內(nèi)形成蒸汽室；將支撐結(jié)構(gòu)接合到多個ic芯片，其中，蒸汽室置于多個ic芯片中單個ic芯片的至少部分上方；以及將蓋結(jié)構(gòu)接合到支撐結(jié)構(gòu)，其中，蓋結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率大于支撐結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述蒸汽室包括第一室部分和置于所述第一室部分上方的第二室部分，其中，所述第一室部分的寬度小于所述第二室部分的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一室部分的寬度是恒定的，其中，在朝向所述蓋結(jié)構(gòu)的方向上，所述第二室部分的寬度從所述第二室部分的底部連續(xù)地減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述支撐結(jié)構(gòu)包括第一襯底和位于所述第一襯底上方的第二襯底，其中，所述第一室部分由所述第一襯底的一個或多個表面限定，并且所述第二腔室部分由所述第二襯底的一個或多個表面限定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述蒸汽室包括密封在所述蒸汽室內(nèi)的可蒸發(fā)的工作流體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述支撐結(jié)構(gòu)包括一個或多個襯底和一個或多個介電層，其中，所述蓋結(jié)構(gòu)所具有的熱導(dǎo)率大于所述一個或多個襯底和所述一個或多個介電層的熱導(dǎo)率。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述蓋結(jié)構(gòu)的高度小于所述支撐結(jié)構(gòu)的高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括：

9.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

10.一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開的各個實(shí)施例針對半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括支撐結(jié)構(gòu)，支撐結(jié)構(gòu)具有與第二表面相對的第一表面。第一集成電路(IC)芯片位于支撐結(jié)構(gòu)的第一表面上。蓋結(jié)構(gòu)位于支撐結(jié)構(gòu)的第二表面上。蒸汽室設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)中并且置于第一IC芯片的至少部分上方。本公開的實(shí)施例還提供了形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：劉士瑋,江幸達(dá),吳存晏,言瑋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8