電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)涉及包含空穴傳輸層A、慘雜的空穴傳輸層B和空穴傳輸層C的電子器件， 其中空穴傳輸層A、B和C布置在陽極與發(fā)光層之間，并且其中空穴傳輸層B布置在空穴傳 輸層A的陰極側(cè)上，并且空穴傳輸層C布置在空穴傳輸層B的陰極側(cè)上。
【背景技術(shù)】
[0002] 在本申請(qǐng)意義上的電子器件被認(rèn)為特別是指包含有機(jī)半導(dǎo)體材料作為功能材料 的所謂的有機(jī)電子器件。特別地，該些又被認(rèn)為是指有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)和下文提及 的其它電子器件。
[0003] 其中使用有機(jī)半導(dǎo)體作為功能材料的0LED的結(jié)構(gòu)例如描述于US4539507、US 5151629、EP0676461 和W0 98/27136 中。
[0004] 在所涉及的電子器件、特別是0LED的情況下，對(duì)于性能數(shù)據(jù)的改進(jìn)，特別是改進(jìn) 壽命、效率和工作電壓的改進(jìn)，非常受關(guān)注。
[0005] 特別是通過器件中電子和空穴的電荷載流子平衡，來確定電子器件、例如0L邸的 效率和壽命。通過器件中電荷載流子分布和相關(guān)場(chǎng)分布而建立該種平衡。
[0006] 對(duì)于良好的性能數(shù)據(jù)，電荷載流子在空穴傳輸層中的良好遷移率和良好的空穴注 入性質(zhì)是特別關(guān)鍵的。此外，至關(guān)重要的是，不同空穴傳輸層的材料的HOMO的差異并不過 大。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)公開了在陽極與發(fā)光層之間使用P型慘雜的空穴傳輸層，接著是未慘雜 的電子阻擋層（W0 2002/041414)。在該種情況下，P型慘雜的空穴傳輸層之后不是接著另 一個(gè)空穴傳輸層，而是直接接著發(fā)光層。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)此外公開了在陽極與發(fā)光層之間使用兩個(gè)或更多個(gè)空穴傳輸層（W0 2010/094378)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 基于此現(xiàn)有技術(shù)，技術(shù)目的是提供如下的電子器件，特別是0L邸，其具有改進(jìn)的性 能數(shù)據(jù)，特別是在壽命和效率方面具有改進(jìn)的性能數(shù)據(jù)。
[0010] 令人預(yù)料不到的是，現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)，從陽極考慮，在第一空穴傳輸層與另一個(gè)空穴傳輸 層之間使用P型慘雜的空穴傳輸層，導(dǎo)致在上述方面實(shí)現(xiàn)改進(jìn)并因此實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)目的。
[0011] 因此，本申請(qǐng)涉及如下的電子器件，其包含陽極、陰極和至少一個(gè)布置在所述陽極 與所述陰極之間的發(fā)光層，和
[0012] -至少一個(gè)空穴傳輸層A，其包含至少一種空穴傳輸材料
[0013] -至少一個(gè)P型慘雜的空穴傳輸層B，其包含至少一種P型慘雜劑和至少一種空穴 傳輸材料基質(zhì)
[0014] -至少一個(gè)空穴傳輸層C，其包含至少一種空穴傳輸材料，
[0015] 其中空穴傳輸層A、B和C布置在所述陽極與所述發(fā)光層之間，并且
[0016] 其中空穴傳輸層B布置在空穴傳輸層A的陰極側(cè)上，并且空穴傳輸層C布置在空 穴傳輸層B的陰極側(cè)上。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的電子器件具有如下優(yōu)點(diǎn)；其具有更高的效率，優(yōu)選同時(shí)具有更長(zhǎng)的 壽命。此外，其可W在比較低的電壓下操作。
[0018] 此外，根據(jù)本發(fā)明的器件具有如下優(yōu)點(diǎn)；具有低HOMO的材料因此可用于空穴傳輸 層中，特別是與具有較高HOMO的材料結(jié)合用于另一個(gè)空穴傳輸層中。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明，僅空穴傳輸層B必須被P型慘雜的事實(shí)是指，所需P型慘雜劑的量并 且因此成本比其中所有空穴傳輸層被P型慘雜的結(jié)構(gòu)低。該代表著相對(duì)于其中所有空穴傳 輸層都被P型慘雜的現(xiàn)有技術(shù)器件具有優(yōu)勢(shì)。
[0020] 為了本申請(qǐng)的目的，空穴傳輸層被認(rèn)為是指具有空穴傳輸性質(zhì)的有機(jī)層。特別地， 它被認(rèn)為是指位于陽極與發(fā)光層之間并具有空穴傳輸性質(zhì)的有機(jī)層。空穴傳輸材料相應(yīng)地 被認(rèn)為是指具有空穴傳輸性質(zhì)的材料。
[0021] P型慘雜劑被認(rèn)為是指如下的化合物，其能夠至少部分氧化在層中存在的其它化 合物（基質(zhì)）并W該種方式增加所述層的導(dǎo)電性。根據(jù)本申請(qǐng)的P型慘雜劑通常是有機(jī)電 子受體化合物。
[0022] 此處的基質(zhì)表示一種或多種如下的化合物，其代表在包含慘雜劑的層中的主要組 分（重量％)。相應(yīng)地，所述慘雜劑表示W(wǎng)較低量存在于相應(yīng)層中的組分。相應(yīng)情形適用于 特定術(shù)語空穴傳輸材料基質(zhì)和P型慘雜劑。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的電子器件優(yōu)選地選自有機(jī)發(fā)光晶體管（0LET)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池 (0LEC)、有機(jī)激光二極管（0-laser)和有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)。
[0024] 特別優(yōu)選的是有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)。
[0025] 所述電子器件的陽極優(yōu)選由具有高逸出功的材料組成。所述陽極優(yōu)選具有相對(duì)于 真空大于4. 5eV的逸出功。適于該個(gè)目的的一方面是具有高氧化還原電勢(shì)的金屬，例如Ag、 Pt或Au。另一方面，也可W優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極（例如Al/Ni/Ni〇x、Al/Pt〇x)。對(duì) 于一些應(yīng)用，至少一個(gè)電極必須是透明的或部分透明的，W利于有機(jī)材料福射（有機(jī)太陽 能電池）或光的禪合輸出（0LED、0-laser)。此處優(yōu)選的陽極材料是導(dǎo)電性混合金屬氧化 物。特別優(yōu)選氧化鋼錫（IT0)或氧化鋼鋒（IZ0)。此外優(yōu)選導(dǎo)電性慘雜有機(jī)材料，特別是導(dǎo) 電性慘雜聚合物。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，所述電子器件的特征在于所述陽極包含氧化 鶴、氧化鋼和/或氧化饑，和/或特征在于包含至少一種P型慘雜劑和空穴傳輸材料基質(zhì)的 P型慘雜的空穴傳輸層A'布置在陽極與空穴傳輸層A之間。
[0027] 上述包含氧化鶴、氧化鋼和/或氧化饑的陽極優(yōu)選W如下方式構(gòu)建：其由涂有氧 化鶴、氧化鋼和/或氧化饑的氧化鋼錫（IT0)組成。
[0028] 空穴傳輸層A'優(yōu)選包含選自有機(jī)電子受體化合物的P型慘雜劑。
[0029] 下文結(jié)合空穴傳輸層B的P型慘雜劑描述了P型慘雜劑的特別優(yōu)選的實(shí)施方式。
[0030] 空穴傳輸層A'中的P型慘雜劑優(yōu)選W 0. 1至20體積％、優(yōu)選0. 5至12體積％、 特別優(yōu)選1至8體積％、非常特別優(yōu)選2至6體積％的濃度存在。
[0031] 空穴傳輸層A'的空穴傳輸材料基質(zhì)可W是具有空穴傳輸性質(zhì)的任何期望的有機(jī) 材料。
[0032] 空穴傳輸層A'的空穴傳輸材料基質(zhì)優(yōu)選是巧并巧胺衍生物（例如根據(jù)WO 06/122630或WO06/100896)，EP1661888中公開的胺衍生物，六氮雜苯并菲衍生物（例 如根據(jù)W0 01/049806)，含有稠合芳族環(huán)系的胺衍生物（例如根據(jù)US5, 061，569)，W0 95/09147中公開的胺衍生物，單苯并巧并巧胺（例如根據(jù)W0 08/006449)，二苯并巧并巧 胺（例如根據(jù)W0 07/140847)，螺二巧單H芳基胺（例如根據(jù)W0 2012/034627或尚未公布 的EP12000929. 5)，螺二巧四H芳基胺，例如螺-TAD或螺-TTB，巧胺（例如根據(jù)尚未公布 的申請(qǐng)EP12005369. 9、EP12005370. 7 和EP12005371.5)，螺二苯并化喃胺（例如根據(jù)W0 2013/083216)，和二氨嚇巧衍生物（例如根據(jù)W0 2012/150001)。
[0033] 所述空穴傳輸材料基質(zhì)優(yōu)選地選自H芳基胺化合物，優(yōu)選單H芳基胺化合物，特 別優(yōu)選地選自上述結(jié)構(gòu)類別的單H芳基胺化合物。
[0034] 可選地，所述空穴傳輸材料基質(zhì)也可優(yōu)選地選自雙H芳基胺化合物或多H芳基胺 化合物，例如四H芳基胺化合物。
[0035] H芳基胺化合物被認(rèn)為是指含有一個(gè)或多個(gè)H芳基胺基團(tuán)的化合物。單H芳基胺 化合物被認(rèn)為是指含有單個(gè)H芳基胺基團(tuán)的化合物。H芳基氨基基團(tuán)是其中H個(gè)芳基或雜 芳基基團(tuán)鍵合于共同氮原子的基團(tuán)。單H芳基胺化合物優(yōu)選不含另外的芳基氨基基團(tuán)。單 H芳基胺化合物特別優(yōu)選不含另外的氨基基團(tuán)。類似地，雙H芳基胺化合物和四H芳基胺 化合物被定義為分別含有兩個(gè)或四個(gè)H芳基氨基基團(tuán)的化合物。
[0036] 空穴傳輸層A優(yōu)選與陽極或空穴傳輸層A'直接接觸。
[0037] 空穴傳輸層A優(yōu)選具有100至300皿、特別優(yōu)選130至230皿的厚度。
[0038] 存在于空穴傳輸層A中的優(yōu)選的空穴傳輸材料是巧并巧胺衍生物（例如根據(jù) W0 06/122630或W0 06/100896)，EP1661888中公開的胺衍生物，六氮雜苯并菲衍生物 (例如根據(jù)W0 01/049806)，含有稠合芳族環(huán)系的胺衍生物（例如根據(jù)US5, 061，569)，W0 95/09147中公開的胺衍生物，單苯并巧并巧胺（例如根據(jù)W0 08/006449)，二苯并巧并巧 胺（例如根據(jù)W0 07/140847)，螺二巧單H芳基胺（例如根據(jù)W0 2012/034627或尚未公布 的EP12000929. 5)，螺二巧四H芳基胺，例如螺-TAD或螺-TTB，巧胺（例如根據(jù)尚未公布 的申請(qǐng)EP12005369. 9、EP12005370. 7 和EP12005371. 5)，螺二苯并化喃胺（例如根據(jù)W0 2013/083216)，和二氨嚇巧衍生物（例如根據(jù)W0 2012/150001)。
[0039] 所述空穴傳輸材料優(yōu)選地選自H芳基胺化合物，優(yōu)選單H芳基胺化合物，特別優(yōu) 選地選自上述結(jié)構(gòu)類別的單H芳基胺化合物。
[0040] 可選地，所述空穴傳輸材料也可優(yōu)選地選自雙H