導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種貫穿膠體(Through molding via, TMV)的技術(shù),尤指一種導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]貫穿膠體(Through molding via, TMV)的技術(shù)，目前已廣泛運(yùn)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域,其主要技術(shù)為利用激光燒灼方式于封裝膠體表面進(jìn)行開孔制程，以顯露出位于封裝膠體下的電性接點(如線路或電性連接墊)。
[0003]例如，制作扇出型(Fan-Out, F0)封裝堆棧(Package on Package, POP)結(jié)構(gòu)時,便會使用該技術(shù)。圖1A至圖1D為現(xiàn)有F0-P0P封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)的制法的剖面示意圖。
[0004]如圖1A所示，一具有多個線路層100的封裝基板10設(shè)于一支撐件9上，且該封裝基板10上設(shè)有一芯片11與一封裝膠體12，并使該封裝膠體12包覆該芯片11。
[0005]如圖1B所示，形成一介電層13于該封裝膠體12上。
[0006]如圖1C所示，利用激光鉆孔方式貫穿該介電層13與該封裝膠體12，以形成多個盲孔130，令最上層的部分該線路層100 (即電性連接墊)外露于該盲孔130。
[0007]如圖1D所示，電鍍形成如銅的導(dǎo)電材14于該介電層13上與該盲孔130中，使該介電層13上的導(dǎo)電材14作為扇出型線路重布層141，且于該盲孔130中的導(dǎo)電材14作為導(dǎo)電盲孔140，以令該導(dǎo)電盲孔140電性連接該線路層100與該線路重布層141。
[0008]于后續(xù)制程中，如圖1E所示，形成一絕緣保護(hù)層15于該線路重布層141與該介電層13上，且該絕緣保護(hù)層15形成有多個開孔150，使該線路重布層141的電性接觸墊142外露于該些開孔150。之后，形成一表面處理層16于該電性接觸墊142上，以結(jié)合多個如焊球的導(dǎo)電組件(圖略)于該表面處理層16上，俾制成半導(dǎo)體封裝件I。最后，移除該支撐件90
[0009]目前該盲孔130的最大孔徑R為100至200微米(um)，如第IC圖所示，隨著該半導(dǎo)體封裝件I的體積朝輕薄短小及功能性增強(qiáng)的趨勢設(shè)計，該盲孔130的孔徑將愈做愈小，且布孔密度也愈高，以符合裝結(jié)構(gòu)體積輕薄短小、及功能性增強(qiáng)的需求。
[0010]然而，前述現(xiàn)有導(dǎo)電盲孔140的制法中，使用激光鉆孔方式形成該盲孔130，使該盲孔130的壁面130a呈現(xiàn)不平整表面，如圖1C’所示，該盲孔130的壁面130a的粗糙度(Ra)為50微米(um)，也就是該盲孔130的壁面130a極為粗糙，所以該導(dǎo)電盲孔140將因粗糙的該壁面130a而形成鋸齒狀表面，如圖1D所示，導(dǎo)致電荷容易集中于該導(dǎo)電盲孔140的表面突起處，以致于容易因電阻過高而產(chǎn)生焦耳熱，進(jìn)而造成線路斷路的問題。
[0011]此外,于電鍛銅時,會先減鍛一極薄的銅材晶種層(seed layer,圖略)，但銅材與該封裝膠體12的接口不親，所以當(dāng)該盲孔130的壁面130a極為粗糙時，該晶種層的銅材容易脫落(peeling)，致使后續(xù)電鍍的導(dǎo)電材14無法有效附著于該盲孔130的壁面130a上而發(fā)生脫層現(xiàn)象，導(dǎo)致該半導(dǎo)體封裝件I的可靠度不佳。
[0012]又，遂有另一方式，通過于該壁面130a上鍛覆一鈍化層(passvat1n layer)12’，以形成另一盲孔120，如圖1C”所示，而藉以改善孔壁的粗糙度，之后再形成該導(dǎo)電材14于該盲孔120中。然而，該鈍化層12’的厚度t僅I至2微米(um)，并無法有效填補(bǔ)該壁面130a的粗糙度，也就是該盲孔120的壁面120a仍然粗糙，即該盲孔120的壁面120a仍無法避免線路斷路與銅材脫落的問題。
[0013]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的目的為提供一種導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法，能避免當(dāng)電荷累積過多而產(chǎn)生焦耳熱以造成線路斷路的問題。
[0015]本發(fā)明的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)，包括:封裝膠體，其具有連通至該封裝膠體外部的多個穿孔；介電層，其形成于該封裝膠體上并填充該些穿孔，且于該些穿孔中形成有盲孔；以及導(dǎo)電材，其填充于該盲孔中。
[0016]本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)的制法，包括:于一封裝膠體中形成連通至該封裝膠體外部的多個穿孔；形成介電層于該封裝膠體上，且該介電層填滿該些穿孔；形成盲孔于該介電層上，且該盲孔位于該些穿孔中；以及形成導(dǎo)電材于該盲孔中。
[0017]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該些穿孔以激光鉆孔方式形成者，使該些穿孔的壁面為非平整面，且該些穿孔的壁面的平均粗糙度為2至60微米。
[0018]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該穿孔的最大孔徑為40至400微米。
[0019]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該介電層的材質(zhì)為感旋光性材質(zhì)。
[0020]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該介電層于該些穿孔中的厚度為30至50微米。
[0021]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該盲孔以曝光方式形成者，使該盲孔的壁面為平整面，且該盲孔的最大孔徑為30至350微米。
[0022]前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該導(dǎo)電材以電鍍方式形成者，例如，該導(dǎo)電材填滿該盲孔。
[0023]另外，前述的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法中，該導(dǎo)電材為銅材。
[0024]由上可知，本發(fā)明的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)及其制法，藉由先將該介電層填滿該些穿孔，再形成該盲孔于該些穿孔中的介電層中，以改善該些穿孔的壁面的粗糙度，而使該盲孔的壁面呈平整面。因此，該導(dǎo)電材于該盲孔中不會產(chǎn)生電荷集中于孔壁突起處的現(xiàn)象，所以能避免當(dāng)電荷累積過多而產(chǎn)生焦耳熱以造成線路斷路的問題。
[0025]此外，由于銅材與該介電層的接口極親，所以銅材不會從該盲孔的壁面上脫落，因而能避免該導(dǎo)電材脫層的問題。
【附圖說明】
[0026]圖1A至圖1D為現(xiàn)有導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)的制法的剖面示意圖；其中，圖1C’為圖1C的局部放大圖，圖1C”為圖1C’的另一方式；
[0027]圖1E為接續(xù)圖1D的后續(xù)制程的首I]面TJK意圖。
[0028]圖2A至圖2D為本發(fā)明的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)的制法的剖面示意圖；其中，圖2C’為圖2C的局部放大圖2D’ ；以及
[0029]圖2E為接續(xù)圖2D的后續(xù)制程的首I]面TJK意圖。
[0030]符號說明
[0031]I, 2半導(dǎo)體封裝件
[0032]10封裝基板
[0033]100, 200線路層
[0034]11芯片
[0035]12，22封裝膠體
[0036]12’鈍化層
[0037]120，130，230盲孔
[0038]120a, 130a, 220a, 230a 壁面
[0039]13,23介電層
[0040]14,24導(dǎo)電材
[0041]140,240,240’導(dǎo)電盲孔
[0042]141，241線路重布層
[0043]142，242電性接觸墊
[0044]15，25絕緣保護(hù)層
[0045]150, 250開孔
[0046]16, 26表面處理層
[0047]20承載件
[0048]21電子組件
[0049]220穿孔
[0050]9支撐件
[0051]D，R，R’孔徑
[0052]T, t厚度。
【具體實施方式】
[0053]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0054]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”及“一”等的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0055]圖2A至圖2D為本發(fā)明的導(dǎo)電盲孔結(jié)構(gòu)的制法的剖面示意圖。
[0056]如圖2A所示，一承載件20設(shè)于一支撐件9上，且該承載件20上設(shè)有一電子組件21與一封裝膠體22，并使該封裝膠體22包覆該電子組件21。之后，于該封裝膠體22中形成連通至該封裝膠體22外部的