電極結(jié)構及oled顯示器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電極結(jié)構及OLED顯示器。
【背景技術】
[0002]有源矩陣有機發(fā)光顯不器件(ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de,AMOLED)陽極金屬結(jié)構例如氧化銦錫(ITO)形成的透明導電膜，兼顧了薄膜的透明度和電性，在光電產(chǎn)業(yè)的應用非常成功。然而銦錫氧化物中的銦屬于稀有金屬，被大量使用之后，容易發(fā)生原料短缺、價格上漲的缺點。目前較普遍使用的AMOLED陽極金屬結(jié)構為ITO-Ag-1TO 薄膜。
[0003]如圖1所示，傳統(tǒng)的ITO-Ag-1TO薄膜包括第一 ITO層11、形成于第一 ITO層11上的Ag層12和形成于Ag層12上的第二 ITO層13。該ITO-Ag-1TO薄膜具有優(yōu)異的透明度和導電性，其導電性較單層ITO提升一個級數(shù)，而透光度僅有些微的下降。然而，純銀薄膜穩(wěn)定性差，在高于200°C的溫度進行鍍膜時，銀薄膜具有粗糙表面，導致ITO-Ag-1TO薄膜的導電性以及透光性下降。并且，由耐候性測試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，經(jīng)環(huán)境濕度長時間作用，縱然有外層ITO的保護，銀原子仍會發(fā)生界面遷移，導致銀薄膜聚結(jié)，同時，最外層ITO會有脫層、破裂、剝落等現(xiàn)象。這此缺陷會對光造成散射，因此以肉眼或光學顯微鏡觀察ITO-Ag-1T薄膜，會發(fā)現(xiàn)模糊白點。
[0004]在所述【背景技術】部分公開的上述信息僅用于加強對本發(fā)明的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明公開一種成本低、且外層不易剝落的電極結(jié)構。
[0006]本發(fā)明還公開一種設有本發(fā)明電極結(jié)構的OLED顯示器。
[0007]本發(fā)明的額外方面和優(yōu)點將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過本發(fā)明的實踐而習得。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供一種電極結(jié)構，包括第一電極層、第二電極層和第三電極層。其中，第一電極層包括鈦層、鈦合金層、鋯層和鋯合金層中的至少一層；第二電極層形成于第一電極層上；第三電極層形成于第二電極層上，該第三電極層包括鈦層、鈦合金層、鋯層和鋯合金層中的至少一層。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第一電極層和所述第三電極層材質(zhì)相同。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第一電極層和所述第三電極層均為鈦層；或者所述第一電極層和所述第三電極層均為鋯層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述鋯合金層選自釩鋯合金層、鋯鎳合金層、鋁鋯合金層、鎂鋯合金層、硅鋯合金層中的至少一層。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述鈦合金層選自鈦鋁釩合金層、鈦鋁錫合金層、鈦鋁鋯合金層、鈦鑰合金層、鈦鑰鎳合金層、鈦鈀合金層中的至少一層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第一電極層的厚度與第三電極層的厚度之和不小于所述電極結(jié)構總厚度的80%。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第一電極層的厚度為10?10nm ;所述第二電極層的厚度為2?20nm ;第三電極層的厚度為10?lOOnm。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述第二電極層為銀層或銀合金層。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，所述的電極結(jié)構用作有機發(fā)光二極管的陽極。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種OLED顯示器，包括基板、上電極、有機層和下電極。上電極位于所述基板上；有機層，位于所述上電極上；下電極，位于所述有機層上；所述上電極或下電極用作陽極，所述陽極是本發(fā)明所述的電極結(jié)構。
[0018]由上述技術方案可知，本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果在于:本發(fā)明中，第一電極層和第三電極層包括鈦層、鈦合金層、鋯層和鋯合金層中的至少一層。即本發(fā)明中，用鈦層、鈦合金層、鋯層或鋯合金層代替了傳統(tǒng)的ITO層，節(jié)省了大量的稀有金屬銦，有利于降低有機發(fā)光顯示器件的制造成本。同時由于鈦、鈦合金、鋯或鋯合金具有優(yōu)良的耐蝕性能，因此第一電極層和第三電極層不易發(fā)生脫層、破裂、剝落等現(xiàn)象，進而減少光散射。
【附圖說明】
[0019]通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。
[0020]圖1示出傳統(tǒng)電極結(jié)構的結(jié)構示意圖。
[0021]圖2示出本發(fā)明電極結(jié)構第一實施方式的結(jié)構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結(jié)構，因而將省略它們的詳細描述。
[0023]以下所描述的特征、結(jié)構或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本發(fā)明的技術方案而沒有所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組件、材質(zhì)等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結(jié)構、材質(zhì)或者操作以避免模糊本發(fā)明的各方面。
[0024]電極結(jié)構實施方式I
[0025]參見圖2。本發(fā)明電極結(jié)構第一實施方式包括第一電極層21、第二電極層22和第三電極層23。
[0026]第一電極層21為鈦(Ti)層，厚度為60nm(納米)。
[0027]第二電極層22為銀合金(Ag alloy)層，例如銀釕合金、銀鈀合金、銀鈣合金、銀釩合金或銀鈮合金等。第二電極層22厚度為10nm，第二電極層22可通過蒸鍍、沉積或濺射工藝形成于第一電極層21上。當然第二電極層22也可以為銀層。
[0028]第二電極層22還可以是在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鋁、鎂、錫、鋅、銦、鈦、鋯、錳、氧化物、復合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成的第二電極層22。上述8種金屬的化合物形成相分散于由銀或銀合金形成的基質(zhì)中，構成基質(zhì)的銀原子的遷移受到阻礙，可以維持第二電極層薄膜的平面性。借此，即使薄膜受熱，反射率的下降也得到抑制。
[0029]第三電極層23為鈦層，厚度為60nm。第三電極層23可通過蒸鍍、沉積或濺射工藝形成于第二電極層22上。
[0030]以上實施方式中，第一電極層21的厚度一般來說在10?10nm范圍內(nèi)均是可行的；第二電極層22的厚度一般來說在2?20nm范圍內(nèi)均是可行的；第三電極層23的厚度一般來說在10?10nm范圍內(nèi)均是可行的。較佳地，第一電極層21的厚度與第三電極層23的厚度之和等于或大于電極結(jié)構總厚度的80%。
[0031]該實施方式的電極結(jié)構為T1-Ag alloy-Ti電極結(jié)構。銀合金相比于純銀來說，銀原子較不易遷移；鈦金屬重量輕、強度高，并具有良好的耐高溫、耐低溫、抗強酸、抗強堿等特點，對中間的銀合金層起到良好的保護作用。因此，該第一實施方式的電極結(jié)構能明顯減少電極結(jié)構脫層、破裂、剝落等缺陷；同時由于第一電極層21、第三電極層23避免使用稀有金屬銦，因而降低了制造成本。