保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片及檢查方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及能夠在半導(dǎo)體晶片等工件、或者在對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到的加工物 (例如半導(dǎo)體忍片）上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用（復(fù)合）片、W及對(duì)使用 它們而得到的帶保護(hù)膜的工件或加工物進(jìn)行檢查的檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，已使用被稱為倒裝（facedown)方式的安裝法來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的制造。 在該方法中，在安裝具有形成有凸塊等電極的電路面的半導(dǎo)體忍片時(shí)，將半導(dǎo)體忍片的電 路面?zhèn)冉雍嫌谝€框等忍片搭載部。因此，會(huì)成為未形成電路的半導(dǎo)體忍片的背面?zhèn)嚷冻?的結(jié)構(gòu)。
[0003] 因此，為了對(duì)半導(dǎo)體忍片加W保護(hù)，多數(shù)情況下在半導(dǎo)體忍片的背面?zhèn)刃纬捎捎?質(zhì)的有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜。該保護(hù)膜例如可使用專利文獻(xiàn)1或2所示那樣的半導(dǎo)體背面 用膜或切割膠帶一體型晶片背面保護(hù)膜而形成。
[0004] 利用專利文獻(xiàn)1中的半導(dǎo)體背面用膜，可使波長(zhǎng)532nm或1064nm下的透光率達(dá)到 20%W下。由此，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)基于激光照射的打印加工，同時(shí)可W防止對(duì)半導(dǎo)體元件造成 由激光帶來的不良影響。另外，利用專利文獻(xiàn)2中的晶片背面保護(hù)膜，可使可見光透射率達(dá) 到20%W下。由此，可減小因光線透過而對(duì)半導(dǎo)體元件造成的影響。 陽(yáng)(K)日]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2012-28396號(hào)公報(bào) 陽(yáng)00引專利文獻(xiàn)2 :日本特開2012-235168號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 然而，在將半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割而得到的半導(dǎo)體忍片等中，有時(shí)會(huì)因加工時(shí)產(chǎn)生 的應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋等。而在形成有具有如上所述的透光率的保護(hù)膜時(shí)，在半導(dǎo)體忍片的保 護(hù)膜側(cè)產(chǎn)生的裂紋等無法通過目測(cè)而被發(fā)現(xiàn)。而產(chǎn)生了無法被識(shí)別的裂紋等的半導(dǎo)體忍片 會(huì)導(dǎo)致制品成品率降低。
[0011] 另一方面，在半導(dǎo)體忍片的背面通常殘留有因?qū)Π雽?dǎo)體晶片實(shí)施的背面研磨處理 加工而引起的磨痕。從半導(dǎo)體忍片外觀的觀點(diǎn)考慮，期望該磨痕可W不被肉眼識(shí)別，期望可 利用上述的保護(hù)膜加W掩蔽。
[0012] 本發(fā)明鑒于如上所述的實(shí)際情況而完成，其目的在于提供保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜 形成用（復(fù)合）片、W及對(duì)使用它們而得到的帶保護(hù)膜的工件或加工物進(jìn)行檢查的檢查方 法，所述保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用（復(fù)合）片能夠形成可實(shí)現(xiàn)對(duì)在工件或?qū)υ摴ぜM(jìn) 行加工而得到的加工物上存在的裂紋等的檢查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被 肉眼識(shí)別到的保護(hù)膜。 陽(yáng)01引解決問題的方法
[0014] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，第1，本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成膜，其在波長(zhǎng)1600皿的透光 率為25%W上、在波長(zhǎng)550皿的透光率為20%W下（發(fā)明1)。
[0015]根據(jù)上述發(fā)明（發(fā)明1)，能夠形成可實(shí)現(xiàn)對(duì)在工件或?qū)υ摴ぜM(jìn)行加工而得到的 加工物上存在的裂紋等的基于紅外線的檢查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉 眼識(shí)別到的保護(hù)膜。
[0016] 在上述發(fā)明（發(fā)明1)中，上述保護(hù)膜形成膜優(yōu)選由未固化的固化性粘接劑構(gòu)成的 單層膜（發(fā)明2)。
[0017] 在上述發(fā)明（發(fā)明2)中，優(yōu)選上述固化性粘接劑含有著色劑及平均粒徑0.0 l~ Siim的填料（發(fā)明如。
[0018] 第2,本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成用片，其具備上述保護(hù)膜形成膜（發(fā)明1~3)、 和疊層于上述保護(hù)膜形成膜的一面或兩面的剝離片（發(fā)明4)。
[0019] 第3,本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具備在基材的一面?zhèn)券B層粘合劑層 而成的粘合片、和疊層于上述粘合片的上述粘合劑層側(cè)的保護(hù)膜形成膜，其中，上述保護(hù)膜 形成膜在波長(zhǎng)1600皿的透光率為25 %W上，上述保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)550皿的透光率為 20%W下（發(fā)明5)。
[0020] 根據(jù)上述發(fā)明（發(fā)明4、5)，能夠形成可實(shí)現(xiàn)對(duì)在工件或?qū)υ摴ぜM(jìn)行加工而得到 的加工物上存在的裂紋等的基于紅外線的檢查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被 肉眼識(shí)別到的保護(hù)膜。
[0021] 在上述發(fā)明（發(fā)明5)中，上述保護(hù)膜形成膜優(yōu)選由未固化的固化性粘接劑構(gòu)成的 單層膜（發(fā)明6)。
[0022] 在上述發(fā)明（發(fā)明6)中，優(yōu)選上述固化性粘接劑含有著色劑及平均粒徑0.0 l~ Siim的填料（發(fā)明7)。
[0023] 第4,本發(fā)明提供一種檢查方法，該方法包括：通過使用上述保護(hù)膜形成膜（發(fā)明 1~3)、上述保護(hù)膜形成用片（發(fā)明4)或上述保護(hù)膜形成用復(fù)合片（發(fā)明5~7)在工件 上形成保護(hù)膜來制造帶保護(hù)膜的工件，并利用紅外線、隔著上述保護(hù)膜對(duì)上述帶保護(hù)膜的 工件、或者對(duì)將上述帶保護(hù)膜的工件進(jìn)行加工而得到的加工物進(jìn)行檢查（發(fā)明8)。
[0024] 在上述發(fā)明（發(fā)明8)中，上述工件為半導(dǎo)體晶片、上述加工物為半導(dǎo)體忍片（發(fā) 明9)。
[00巧]第5,本發(fā)明提供基于上述檢查方法（發(fā)明8、9)而被判斷為良品的帶保護(hù)膜的工 件（發(fā)明10)。
[0026] 第6,本發(fā)明提供基于上述檢查方法（發(fā)明8、9)而被判斷為良品的加工物（發(fā)明 11)。
[0027] 發(fā)明的效果
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用（復(fù)合）片，能夠形成可實(shí)現(xiàn)對(duì)在工 件或?qū)υ摴ぜM(jìn)行加工而得到的加工物上存在的裂紋等的基于紅外線的檢查、并且可使工 件或加工物上存在的磨痕不被肉眼識(shí)別到的保護(hù)膜。另外，根據(jù)本發(fā)明的檢查方法，可通過 利用紅外線進(jìn)行對(duì)工件或加工物上存在的裂紋等的檢查。
【附圖說明】
[0029] [圖1]是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。
[0030] [圖2]是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。
[0031] [圖3]是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。
[0032] [圖4]是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的使用例的剖面圖。 陽(yáng)〇3引符號(hào)說明
[0034] 1…保護(hù)膜形成膜
[0035] 2…保護(hù)膜形成用片 齡36] 21…剝離片
[0037] 3、3A…保護(hù)膜形成用復(fù)合片
[0038] 4…粘合片
[0039] 41…基材 W40] 42…粘合劑層
[0041] 5…夾具用粘合劑層
[0042] 6…半導(dǎo)體晶片
[0043] 7…環(huán)狀框
【具體實(shí)施方式】
[0044] W下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 柳例[保護(hù)膜形成膜]
[0046] 本實(shí)施方式設(shè)及的保護(hù)膜形成膜用于在工件上、或者在對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到 的加工物上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜由保護(hù)膜形成膜構(gòu)成，優(yōu)選由固化后的保護(hù)膜形成膜構(gòu) 成。作為工件，可列舉例如半導(dǎo)體晶片等，作為對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到的加工物，可列舉 例如半導(dǎo)體忍片，但本發(fā)明并不限定于運(yùn)些。需要說明的是，工件為半導(dǎo)體晶片的情況下， 保護(hù)膜形成于半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)龋ㄎ葱纬赏箟K等電極的一側(cè)）。
[0047] 1.物性
[0048] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜是在波長(zhǎng)ieOOnm的透光率為25%W上、在波長(zhǎng)550nm 的透光率為20%W下的膜。需要說明的是，本說明書中的透光率是未使用積分球而測(cè)定的 值，作為測(cè)定儀器，使用分光光度計(jì)。
[0049] 對(duì)于由半導(dǎo)體晶片經(jīng)切割而得到的半導(dǎo)體忍片等，有時(shí)會(huì)因加工時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力而 產(chǎn)生裂紋等。如上所述，如果在波長(zhǎng)ieOOnm的透光率為25%W上，則紅外線的透過性良好， 能夠進(jìn)行從保護(hù)膜形成膜（或由該保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜）側(cè)獲取紅外線的紅外線檢 查。由此，能夠隔著保護(hù)膜形成膜（保護(hù)膜）而發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體忍片等加工物上的裂紋等，從而 使制品成品率提局。
[0050] 從上述紅外線透過性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)ieoonm的透光率為 40%W上、特別優(yōu)選為45%W上、進(jìn)一步優(yōu)選為50%W上。需要說明的是，在波長(zhǎng)1600皿 的透光率的上限并無特殊限定，但通過使波長(zhǎng)550nm的透光率為20 %W下，其是自然而然 確定的。另外，在使用形成有保護(hù)膜的加工物（半導(dǎo)體忍片等）時(shí)，通過使保護(hù)膜形成膜在 波長(zhǎng)ieOOnm的透光率為90%W下，能夠防止容易受到來自外部的紅外線的影響的加工物 出現(xiàn)誤動(dòng)作。
[0051] 另一方面，例如在半導(dǎo)體忍片的背面通常會(huì)殘留有因?qū)Π雽?dǎo)體晶片實(shí)施的背面研 磨處理加工而引起的磨痕。在波長(zhǎng)550nm的透光率為如上所述的20%W下時(shí)，保護(hù)膜形成 膜成為不易透射可見光線的膜。因此，上述的磨痕可被保護(hù)膜形成膜（保護(hù)膜）所掩蔽，基 本不會(huì)被肉眼識(shí)別到。由此，可使半導(dǎo)體忍片等加工物的外觀優(yōu)異。
[0052] 從上述磨痕掩蔽性的觀點(diǎn)考慮，保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)550nm的透光率優(yōu)選為15% W下、特別優(yōu)選為10%W下。需要說明的是，波長(zhǎng)550nm的透光率的下限并無特殊限定，但 通過使波長(zhǎng)1600皿下的透光率為25 %W上，其是自然而然確定的。
[0053] 運(yùn)里，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜可W由單層構(gòu)成，也可W由多層構(gòu)成，但從透光 率的控制容易性及制造成本方面考慮，優(yōu)選由單層構(gòu)成。保護(hù)膜形成膜由多層構(gòu)成的情況 下，從透光率的控制容易性方面考慮，優(yōu)選該多層整體上滿足上述的透光率。
[0054] 2.材料 陽(yáng)化5] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選由未固化的固化性粘接劑形成。該情況下，通過在將半導(dǎo)體晶 片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜之后使保護(hù)膜形成膜固化，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)膜強(qiáng)固地粘接于工 件，從而能夠在忍片等上形成具有耐久性的保護(hù)膜。
[0056] 需要說明的是，保護(hù)膜形成膜由未固化的固化性粘接劑形成的情況下，該保護(hù)膜 形成膜的透光率無論在固化前還是固化后均基本不會(huì)發(fā)生變化。因此，如果固化前的保護(hù) 膜形成膜在波長(zhǎng)1600皿的透光率為25%W上、在波長(zhǎng)550皿的透光率為20%W下，則固化 后的保護(hù)膜形成膜（保護(hù)膜）在波長(zhǎng)1600皿的透光率也為25%W上、在波長(zhǎng)550皿的透光 率也為20%W下。
[0057] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選在常溫下具有粘合性、或通過加熱而發(fā)揮出粘合性。由此，在如 上所述地使半導(dǎo)體晶片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜上時(shí)，可W使兩者貼合。因此，可W在使 保護(hù)膜形成膜固化之前切實(shí)地進(jìn)行定位。
[0058] 構(gòu)成具有如上所述特性的保護(hù)膜形成膜的固化性粘接劑優(yōu)選含有固化性成分和 粘合劑聚合物成分。作為固化性成分，可使用熱固性成分、能量線固化性成分、或它們的混 合物，特別優(yōu)選使用熱固性成分。其理由在于，保護(hù)膜形成膜因具有上述的透光率而不適于 紫外線固化，優(yōu)選為熱固性。
[0059] 作為熱固性成分，可列舉例如：環(huán)氧樹脂、酪醒樹脂、=聚氯胺樹脂、脈醒樹脂、聚 醋樹脂、聚氨醋樹脂、丙締酸樹脂、聚酷亞胺樹脂、苯并II;嗦樹脂等W及它們的混合物。運(yùn)些 當(dāng)中，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂、酪醒樹脂及它們的混合物。
[0060] 環(huán)氧樹脂具有受熱時(shí)成為=維網(wǎng)狀、從而形成強(qiáng)固的被膜的性質(zhì)。作為運(yùn)樣的環(huán) 氧樹脂，可使用W往公知的各種環(huán)氧樹脂，通常優(yōu)選分子量300~2000左右的環(huán)氧樹脂，特 別優(yōu)選分子量300~500的環(huán)氧樹脂。此外，優(yōu)選將分子量330~400的常溫下為液態(tài)的 環(huán)氧樹脂與分子量400~2500、特別是500~2000的常溫下為固體的環(huán)氧樹脂W共混的形 式使用。另外，環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為50~5000g/eq。
[0061] 作為運(yùn)樣的環(huán)氧樹脂，具體可列舉：雙酪A、雙酪F、間苯二酪、苯酪酪醒清漆、甲酪 酪醒清漆等酪類的縮水甘油酸；下二醇、聚乙二醇、聚丙二