薄膜晶體管基板及其顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板及其顯示面板，該顯示面板包括：基板；第一金屬層，位于基板上，包括柵極，以及連接柵極的柵極線；第一絕緣層，位于第一金屬層上；平坦化層，位于第一絕緣層上；開口，由平坦化層的側壁與第一絕緣層的表面所定義，開口與柵極重疊；有源層，位于開口與平坦化層上；以及第二金屬層，位于有源層上，包括接觸有源層的源極，以及連接源極的數(shù)據(jù)線；其中平坦化層與第一絕緣層位于數(shù)據(jù)線與柵極線之間。
【專利說明】
薄膜晶體管基板及其顯示面板
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及薄膜晶體管，且特別是涉及薄膜晶體管基板以及顯示器。
【背景技術】
[0002] 目前的薄膜晶體管基板制作工藝中，在形成柵極與柵極線后，即定義有源層對應 柵極，以作為通道層。接著形成另一金屬層，其包含有源層兩側上的源極與漏極，以及連接 至源極的數(shù)據(jù)線。上述數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線重疊處僅隔有柵極介電層。為了降低薄膜晶體管的 驅(qū)動電流，需減少柵極介電層的厚度。然而柵極介電層越薄，數(shù)據(jù)線與柵極線之間的電容越 大而增加兩者交會處的負擔。換言之，上述結構無法同時降低薄膜晶體管的驅(qū)動電流與降 低數(shù)據(jù)線與柵極線之間的電容。
[0003] 綜上所述，目前亟需新的薄膜晶體管基板，以期在降低薄膜晶體管的驅(qū)動電流時， 也可降低數(shù)據(jù)線與柵極線之間的電容。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明一實施例提供的顯示面板，包括：基板；第一金屬層，位于基板上，包括柵 極，以及連接柵極的柵極線；第一絕緣層，位于第一金屬層上；平坦化層，位于第一絕緣層 上；開口，由平坦化層的側壁與第一絕緣層的表面所定義，開口與柵極重疊；有源層，位于 平坦化層上且覆蓋開口；以及第二金屬層，位于有源層上，包括接觸有源層的源極，以及連 接源極的數(shù)據(jù)線；其中平坦化層與第一絕緣層位于數(shù)據(jù)線與柵極線之間。
[0005] 本發(fā)明一實施例提供的薄膜晶體管基板，包括：基板；第一金屬層，位于基板上， 包括柵極，以及連接柵極的柵極線；第一絕緣層，位于第一金屬層上；平坦化層，位于第一 絕緣層上；開口，由平坦化層的側壁與第一絕緣層的表面所定義，開口與柵極重疊；有源 層，位于平坦化層上且覆蓋開口；以及第二金屬層，位于有源層上，包括接觸有源層的源極， 以及連接源極的數(shù)據(jù)線；其中平坦化層與第一絕緣層位于數(shù)據(jù)線與柵極線之間。
【附圖說明】
[0006] 圖1A至圖1D為本發(fā)明一實施例中薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0007] 圖2A至圖2D為對應圖1A至圖1D的上視圖；
[0008] 圖3A至圖3C為本發(fā)明一實施例中的薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0009] 圖4A至圖4C為對應圖3A至圖3C的上視圖；
[0010] 圖5A及圖5B為本發(fā)明實施例中薄膜晶體管基板的剖視圖；
[0011] 圖6A至圖6B為本發(fā)明一實施例中薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0012] 圖7A至圖7B為對應圖6A至圖6B的上視圖；
[0013] 圖8A至圖8C為本發(fā)明一實施例中的薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0014] 圖9A至圖9C為對應圖8A至圖8C的上視圖；
[0015] 圖10A至圖10D為本發(fā)明一實施例中薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0016] 圖11A至圖11D為對應圖10A至圖10D的上視圖；
[0017] 圖12A至圖12D為本發(fā)明一實施例中薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖；
[0018] 圖13A至圖13D為對應圖12A至圖12D的上視圖；
[0019] 圖14為本發(fā)明一實施例中顯示器的示意圖。
[0020] 符號說明
[0021] 10 基板
[0022] 11柵極線
[0023] 11A 柵極
[0024] 13、51 絕緣層
[0025] 15、15'平坦化層
[0026] 17 開口
[0027] 19有源層
[0028] 19'金屬氧化物導體層
[0029] 21數(shù)據(jù)線
[0030] 21A 源極
[0031] 21B 漏極
[0032] 31蝕刻停止層
[0033] 33、103 接觸孔
[0034] 101保護層
[0035] 1401薄膜晶體管基板
[0036] 1403顯示介質(zhì)
[0037] 1405對向基板
【具體實施方式】
[0038] 圖1A至圖1D為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖1A至 圖1D分別為圖2A至圖2D等上視圖的虛線處的剖視圖。值得注意的是，薄膜晶體管基板的 制作工藝也可由其他方式完成，并不限于下述步驟。此外，在形成薄膜晶體管基板之前、之 中、或之后可進行其他額外步驟，以定義其他層狀物于薄膜晶體管基板之中或之上。首先， 形成金屬層于基板10上，再圖案化金屬層以定義柵極線11及與其相連的柵極11A。在本發(fā) 明一實施例中，基板10可為玻璃、塑膠、或其他常見的基板材料。在本發(fā)明一實施例中，金 屬層可為鉬、鋁、銅、鈦等單層或多層組合的金屬或合金，其形成方法可為物理氣相沉積法 (PVD)、濺鍍法、或類似方法。圖案化金屬層的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝。光 刻制作工藝包含下述步驟：涂布光致抗蝕劑如旋涂法、軟烘烤、對準光掩模、曝光、曝光后烘 烤、顯影、沖洗、干燥如硬烘烤、其他合適制作工藝、或上述的組合。此外，光刻制作工藝的曝 光步驟可改用其他方法，比如無光掩模光刻、電子束直寫、或離子束直寫。在光刻制作工藝 后，可進行蝕刻制作工藝如干蝕刻、濕蝕刻、或上述的組合以圖案化金屬層。在蝕刻制作工 藝后可移除光致抗蝕劑圖案，其方法可為灰化、剝除、或上述的組合。
[0039] 接著依序形成絕緣層13與平坦化層15于柵極線11與柵極11A上。絕緣層13可為 有機硅氧化合物，或無機材質(zhì)如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿、或上述 材質(zhì)的多層結構，其形成方法可為化學氣相沉積法（CVD)如等離子體增強式CVD(PECVD)、 低壓CVD (LPCVD)、次常壓CVD (SACVD)、物理氣相沉積（PVD)、或類似技術。在本發(fā)明一實施 例中，絕緣層13的厚度介于100A~5000A之間。若絕緣層13的厚度過薄，則晶體管充電 能力雖高但柵極絕緣層漏電過高。若絕緣層13的厚度過厚，則晶體管充電能力過低。在本 發(fā)明一實施例中，平坦化層15可為有機絕緣層材料、或無機絕緣層材料，其形成方法可為 物理性沉積或是化學氣相沉積。在本發(fā)明一實施例中，平坦化層15的組成不同于絕緣層 13。在本發(fā)明一實施例中，平坦化層15的厚度介于5000A~30000A之間。若平坦化層15 的厚度過薄，則后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線與柵極線11之間的距離過短，而無法有效降低數(shù)據(jù)線與 柵極線11之間的電容。若平坦化層15的厚度過厚，則影響其圖案化難易度。在這必需說 明的是，圖2A的上視圖省略了絕緣層13與平坦化層15以簡化附圖。
[0040] 接著如圖1B與圖2B所示，圖案化平坦化層15以形成開口 17,以露出對應柵極11A 的絕緣層13的上表面。上述形成開口 17的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述， 在此不贅述。
[0041 ] 接著如圖1C與圖2C所示，形成有源層于上述結構后，圖案化有源層以定義有源層 19于開口 17的側壁與底部。如圖1C所示，有源層19可略大于開口 17,即延伸至部分平坦 化層15的表面上。在本發(fā)明一實施例中，有源層19可為多晶硅或金屬氧化物半導體如銦 鎵鋅氧化物（IGZ0)。有源層的形成方法可為CVD如PECVD、LPCVD、或SACVD、物理與氣相沉 積（PVD)、溶液合成方式沉積、或類似方法。值得注意的是，當有源層19為金屬氧化物半導 體時，平坦化層15不可為氮化硅或富含氫的絕緣材料，以避免在制作工藝中將位于開口 17 的側壁與底部的有源層19轉換為導體。圖案化有源層的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制 作工藝如前述，在此不贅述。
[0042] 接著如圖1D與圖2D所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù)據(jù) 線21、源極21A、與漏極21B。在本發(fā)明一實施例中，上述金屬層可為鉬、鋁、銅、鈦等單層或 多層組合的金屬或合金，其形成方法可為物理氣相沉積（PVD)或濺鍍。圖案化金屬層的方 法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重 疊處隔有平坦化層15與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù)線21。源極21A與漏極21B 分別位于開口 17的相反側壁上的有源層19上且彼此不相連。值得注意的是，若源極21A 與漏極21B只位于平坦化層15上的部分有源層19上而未延伸至開口 17的側壁上的有源 層19上，貝lj有源層19的通道長度（channel length)將過長而難以驅(qū)動。
[0043] 圖3A至圖3C為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖3A至 圖3C分別為圖4A至圖4C等上視圖的虛線處的剖視圖。在完成圖1C及圖2C的結構后，形 成蝕刻停止層31于其上以形成圖3A與圖4A所示的結構。在本發(fā)明一實施例中，蝕刻停止 層31可為氧化硅、氧化鋁、氧化鈦等無機絕緣層，其形成方法可為化學氣相沉積、原子層沉 積、物理沉積等方法。在本發(fā)明一實施例中，蝕刻停止層31的厚度介于500/\~3000A之 間。若蝕刻停止層31的厚度過薄，則對于有源層保護能力不夠。若蝕刻停止層31的厚度 過厚，則影響制作工藝時間及圖案化難度增加。在這必需說明的是，圖3A的上視圖省略了 絕緣層13、平坦化層15、與蝕刻停止層31以簡化附圖。
[0044] 接著如圖3B與圖4B所示，圖案化蝕刻停止層31以形成接觸孔33,以露出開口 17 的側壁上的有源層19與開口 17的底部上的部分有源層19。上述形成接觸孔33的方法可 為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。
[0045] 接著如圖3C與圖4C所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù)據(jù) 線21、源極21A、與漏極21B。上述金屬層的組成與形成方法同前述，且圖案化金屬層的方 法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重 疊處隔有蝕刻停止層31、平坦化層15、與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù)線21。源極 21A與漏極21B經(jīng)由接觸孔33,分別接觸位于開口 17的相反側壁上的有源層19且彼此不 相連。此實施例的數(shù)據(jù)線21與柵極線11之間相隔的層狀物更多，因此可進一步降低兩者 之間的電容。另一方面，開口 17底部的源極21A與漏極21B之間隔有蝕刻停止層31，可進 一步避免因制作工藝誤差造成兩者電性相連。
[0046] 圖5A為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的剖視圖。圖5A中的結構與圖1D的 結構類似，差異在形成開口 17后與形成有源層19前，先形成另一絕緣層51。絕緣層51與 有源層19之間具有較佳的界面性質(zhì)。在本發(fā)明一實施例中，絕緣層51可為氧化硅、氧化鋁、 或氧化鈦，其形成方法可為化學氣相沉積、原子層沉積、或物理性沉積等方法。在本發(fā)明一 實施例中，絕緣層51的厚度介于100A~5000AZ間。若絕緣層51的厚度過薄，則絕緣層 漏電過高。若絕緣層51的厚度過厚，則影響晶體管充電能力。
[0047] 圖5B為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的剖視圖。圖5B中的結構與圖3C的 結構類似，差異在形成開口 17后與形成有源層19前，先形成另一絕緣層51。絕緣層51與 有源層19之間具有較佳的界面性質(zhì)。至于絕緣層51的組成、形成方法、與厚度同前述，在 此不贅述。
[0048] 圖6A至圖6B為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖6A至 圖6B分別為圖7A至圖7B等上視圖的虛線處的剖視圖。圖6A的結構與圖1C的結構類似， 差異在圖6A的有源層19為金屬氧化物半導體如IGZ0,其包含有位于開口 17的底部上的第 一部分，以及位于平坦化層15上的第二部分，且圖1C的平坦化層15改為可將金屬氧化物 半導體轉換為導體的平坦化層15'。在本發(fā)明一實施例中，平坦化層15'為氮化硅或富含氫 的絕緣層，其氫含量需大于10原子％。如此一來，形成于平坦化層15'上的有源層19的第 二部分將轉換為金屬氧化物導體層19'。在這必需說明的是，圖7A的上視圖省略了絕緣層 13與平坦化層15'以簡化附圖。
[0049] 接著如圖6B與圖7B所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù)據(jù) 線21、源極21A、與漏極21B。上述金屬層的組成與形成方法同前述，且圖案化金屬層的方法 可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重疊處 隔有平坦化層15'與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù)線21。源極21A與漏極21B分 別位于有源層19兩側的金屬氧化物導體層19'上且彼此不相連。由于平坦化層15'上的 有源層19已被轉換為金屬氧化物導體層19'，源極21A與漏極21B只需接觸平坦化層15' 上的金屬氧化物導體層19'，而不需延伸至開口 17中，可進一步縮小開口 17的尺寸并避免 因制作工藝誤差造成兩者電性相連。
[0050] 圖8A至圖8C為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖8A至 圖8C分別為圖9A至圖9C等上視圖的虛線處的剖視圖。在完成圖6A與圖7A的結構后，形 成蝕刻停止層31于其上以形成圖8A與圖9A所示的結構。蝕刻停止層31的組成、形成方 法、與厚度同前述，在此不贅述。在這必須說明的是，圖9A的上視圖省略了絕緣層13、平坦 化層15'、與蝕刻停止層31以簡化附圖。
[0051] 接著如圖8B與圖9B所示，圖案化蝕刻停止層31以形成接觸孔81，以露出平坦化 層15'上的金屬氧化物導體層19'。上述形成接觸孔81的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制 作工藝如前述，在此不贅述。
[0052] 接著如圖8C與圖9C所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù)據(jù) 線21、源極21A、與漏極21B。上述金屬層的組成與形成方法同前述，且圖案化金屬層的方法 可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重疊 處隔有蝕刻停止層31、平坦化層15'、與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù)線21。源極 21A與漏極21B經(jīng)由接觸孔81，分別接觸位于開口 17的相反兩側上的平坦化層15'上的金 屬氧化物導體層19'且彼此不相連。此實施例的數(shù)據(jù)線21與柵極線11之間相隔的層狀物 更多，因此可進一步降低兩者之間的電容。另一方面，源極21A與漏極21B不需延伸至開口 17中，可進一步縮小開口 17的尺寸并避免因制作工藝誤差造成兩者電性相連。
[0053] 圖10A至圖10D為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖10A 至圖10D分別為圖11A至圖11D等上視圖的虛線處的剖視圖。在完成圖3A的結構后圖案 化蝕刻停止層31，至少保留蝕刻停止層31于開口 17的底部的有源層19上如圖10A所示。 在這必需說明的是，圖11A的上視圖省略了絕緣層13與平坦化層15以簡化附圖。
[0054] 接著如圖10B所示，沉積保護層101于上述結構上。在此實施例中，有源層19為金 屬氧化物半導體。上述蝕刻停止層31與絕緣層13不可為氮化硅或富含氫的絕緣層，以避 免將開口 17底部的有源層19轉換為導體。上述保護層101為氮化硅或富含氫的絕緣層， 其形成方法可為化學氣相沉積或物理性沉積等方法。上述保護層101可使開口 17底部以 外的其他有源層19轉換為金屬氧化物導體層19'。
[0055] 接著如圖10C與圖11C所示，形成接觸孔103穿過保護層101，以露出平坦化層15 上的金屬氧化物導體層19'。上述形成接觸孔103的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工 藝如前述，在此不贅述。
[0056] 接著如圖10D與圖11D所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù) 據(jù)線21、源極21A、與漏極21B。上述金屬層的組成與形成方法同前述，且圖案化金屬層的方 法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重 疊處隔有保護層101、平坦化層15、與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù)線21。源極21A 與漏極21B經(jīng)由接觸孔103分別接觸兩側的金屬氧化物導體層19'上且彼此不相連。由于 保護層101與開口 17底部之間具有蝕刻停止層31，可避免將開口 17底部的有源層19轉換 為導體。
[0057] 圖12A至圖12D為本發(fā)明一實施例中，薄膜晶體管基板的制作工藝剖視圖。圖12A 至圖12D分別為圖13A至圖13D等上視圖的虛線處的剖視圖。在完成圖3A的結構后圖案 化蝕刻停止層31，以保留蝕刻停止層31于開口 17的底部的有源層19上，以及有源層19以 外的其他區(qū)域上，如圖12A與圖13A所示。在這必需說明的是，圖13A的上視圖省略了絕緣 層13與平坦化層15以簡化附圖。
[0058] 接著如圖12B所示，沉積保護層101于上述結構上。在此實施例中，有源層19為金 屬氧化物半導體。上述蝕刻停止層31與絕緣層13不可為氮化硅或富含氫的絕緣層，以避 免將開口 17底部的有源層19轉換為導體。上述保護層101為氮化硅或富含氫的絕緣層， 其形成方法可為化學氣相沉積或物理性沉積等方法。上述保護層101可使開口 17底部以 外的其他有源層19轉換為金屬氧化物導體層19'。
[0059] 接著如圖12C與圖13C所示，圖案化保護層101以形成接觸孔103,以露出平坦化 層15上的金屬氧化物導體層19'。上述形成接觸孔103的方法可為光刻制作工藝與蝕刻制 作工藝如前述，在此不贅述。
[0060] 接著如圖12D與圖13D所示，形成金屬層于上述結構上，再圖案化金屬層以定義數(shù) 據(jù)線21、源極21A、與漏極21B。上述金屬層的組成與形成方法同前述，且圖案化金屬層的方 法可為光刻制作工藝與蝕刻制作工藝如前述，在此不贅述。上述數(shù)據(jù)線21與柵極線11重 疊處隔有保護層101、蝕刻停止層31、平坦化層15、與絕緣層13。上述源極21A連接至數(shù)據(jù) 線21。源極21A與漏極21B經(jīng)由接觸孔103分別接觸兩側的金屬氧化物導體層19'且彼此 不相連。此實施例的數(shù)據(jù)線21與柵極線11之間相隔的層狀物更多，因此可進一步降低兩 者之間的電容。
[0061] 上述圖1D、圖3C、圖5A、圖5B、圖6B、圖8C、圖10D、與圖12D所示的薄膜晶體管基 板的漏極21B可進一步與像素電極相連，以控制像素區(qū)的明暗。像素區(qū)可進一步包含共同 電極。上述像素電極與共同電極的設計常見于薄膜晶體管基板，在此不贅述。
[0062] 圖14為本發(fā)明一實施例的顯示器的剖視圖。在圖14中，顯示器包括薄膜晶體管 基板1401、對向基板1405以及夾于薄膜晶體管基板1401與對向基板1405之間的顯示介質(zhì) 1403。薄膜晶體管基板1401可為圖1D、圖3C、圖5A、圖5B、圖6B、圖8C、圖10D、或圖12D所 示的薄膜晶體管基板，顯示介質(zhì)1030可為液晶層或有機發(fā)光層。對向基板1020可為彩色 濾光基板或是透明基板。
【主權項】
1. 一種顯不面板，包括： 基板； 第一金屬層，位于該基板上，包括柵極，以及連接該柵極的柵極線； 第一絕緣層，位于該第一金屬層上； 平坦化層，位于該第一絕緣層上； 開口，由該平坦化層的側壁與該第一絕緣層的表面所定義，該開口與該柵極重疊； 有源層，位于該平坦化層上且覆蓋該開口；以及 第二金屬層，位于該有源層上，包括接觸該有源層的源極，以及連接該源極的數(shù)據(jù)線； 其中該平坦化層與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。2. 如權利要求1所述的顯示面板，其中，該第二金屬層接觸該開口上的該有源層。3. 如權利要求2所述的顯示面板，還包括第二絕緣層，位于該平坦化層上，且該有源層 位于該第二絕緣層上，且該第二絕緣層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵 極線之間。4. 如權利要求2所述的顯示面板，還包括蝕刻停止層，位于該有源層與該平坦化層上， 且該蝕刻停止層具有多個接觸孔露出該開口上的部分該有源層，其中該源極經(jīng)由該些接觸 孔的一接觸該有源層， 其中該蝕刻停止層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。5. 如權利要求4所述的顯示面板，還包括第二絕緣層，位于該平坦化層上，且該有源層 位于該第二絕緣層上，且該蝕刻停止層、該第二絕緣層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于 該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。6. 如權利要求1所述的顯示面板，其中，該有源層包含位于該第一絕緣層的表面上的 第一部分，以及位于該平坦化層上的第二部分，其中，該第二金屬層接觸該有源層的第二部 分。7. 如權利要求6所述的顯示面板，其中該平坦化層是由氮化硅或富含氫的絕緣材料所 組成。8. 如權利要求6所述的顯示面板，還包括蝕刻停止層，位于該有源層與該平坦化層上， 且該蝕刻停止層具有多個接觸孔露出部分該有源層的第二部分，其中該源極經(jīng)由該些接觸 孔的一接觸該有源層的第二部分， 其中該蝕刻停止層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。9. 如權利要求6所述的顯示面板，還包括： 蝕刻停止層，位于該有源層上；以及 保護層，位于該蝕刻停止層、該有源層的第二部分、與該平坦化層上，且該保護層具有 多個接觸孔露出部分該有源層的第二部分，該源極經(jīng)由該些接觸孔的一接觸該有源層的第 二部分； 其中該保護層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。10. 如權利要求9所述的顯示面板，其中該保護層是由氮化硅或富含氫的絕緣材料所 組成。11. 如權利要求9所述的顯示面板，其中該蝕刻停止層還位于該平坦化層上，且該保護 層、該蝕刻停止層、該平坦化層、與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。12. 如權利要求1所述的顯示面板，還包括： 對向基板；以及 顯示介質(zhì)，位于該基板與該對向基板之間。13. -種薄膜晶體管基板，包括： 基板； 第一金屬層，位于該基板上，包括柵極，以及連接該柵極的柵極線； 第一絕緣層，位于該第一金屬層上； 平坦化層，位于該第一絕緣層上； 開口，由該平坦化層的側壁與該第一絕緣層的表面所定義，該開口與該柵極重疊； 有源層，位于該平坦化層上且覆蓋該開口；以及 第二金屬層，位于該有源層上，包括接觸該有源層的源極，以及連接該源極的數(shù)據(jù)線； 其中該平坦化層與該第一絕緣層位于該數(shù)據(jù)線與該柵極線之間。
【文檔編號】H01L21/77GK105990332SQ201510085288
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月17日
【發(fā)明人】李冠鋒
【申請人】群創(chuàng)光電股份有限公司